銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件的執行單位是中科院材料所, 產出年度是96, 計畫名稱是新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫, 技術規格是1.銅銦鎵硒CIGS主吸收薄膜：Cu：In：Ga：Se=1：0.7：0.3：2、硒化反應。_x000D_2.硒化鋅ZnSe(緩衝層)：真空蒸鍍法、膜厚100nm。_x000D_3.氧化鋁鋅AZO(透明導電電極)：達到85%光穿透度、1*10-3Ω/□_x000D_4.元件結構：Al/AZO/ZnSe..., 潛力預估是3C電子產業、居家型太陽能模組、可攜帶型太陽電池等.

序號	2194
產出年度	96
技術名稱-中文	銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本計畫技術開發可供靶材濺鍍，運用真空鍍膜技術在玻璃基板上製作鉬(下電極)、銅銦鎵硒(CIGS)(主吸收層)、硒化鋅ZnSe(緩衝層)、氧化鋁鋅AZO(透明導電電極)、鋁Al(上電極)，構成太陽能光電元件。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.銅銦鎵硒CIGS主吸收薄膜：Cu：In：Ga：Se=1：0.7：0.3：2、硒化反應。_x000D_2.硒化鋅ZnSe(緩衝層)：真空蒸鍍法、膜厚100nm。_x000D_3.氧化鋁鋅AZO(透明導電電極)：達到85%光穿透度、1*10-3Ω/□_x000D_4.元件結構：Al/AZO/ZnSe/CIGS/Mo/Soda Lime Glass，尺寸大小：2”x2”_x000D_
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	太陽能電池、光電轉換元件
潛力預估	3C電子產業、居家型太陽能模組、可攜帶型太陽電池等
聯絡人員	吳政翰
電話	03-4711334#357057
傳真	03-4711334
電子信箱	csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	蒸鍍機、濺鍍機(RF power、DC power)、硒化反應爐、元件成分分析儀、無塵潔靜室
需具備之專業人才	化工、材料、電子相關背景
同步更新日期	2024-09-03

序號

2194

產出年度

技術名稱-中文

銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本計畫技術開發可供靶材濺鍍，運用真空鍍膜技術在玻璃基板上製作鉬(下電極)、銅銦鎵硒(CIGS)(主吸收層)、硒化鋅ZnSe(緩衝層)、氧化鋁鋅AZO(透明導電電極)、鋁Al(上電極)，構成太陽能光電元件。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.銅銦鎵硒CIGS主吸收薄膜：Cu：In：Ga：Se=1：0.7：0.3：2、硒化反應。_x000D_2.硒化鋅ZnSe(緩衝層)：真空蒸鍍法、膜厚100nm。_x000D_3.氧化鋁鋅AZO(透明導電電極)：達到85%光穿透度、1*10-3Ω/□_x000D_4.元件結構：Al/AZO/ZnSe/CIGS/Mo/Soda Lime Glass，尺寸大小：2”x2”_x000D_

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

太陽能電池、光電轉換元件

潛力預估

3C電子產業、居家型太陽能模組、可攜帶型太陽電池等

聯絡人員

吳政翰

電話

03-4711334#357057

傳真

03-4711334

電子信箱

csist_mrdc@csnet.gov.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

蒸鍍機、濺鍍機(RF power、DC power)、硒化反應爐、元件成分分析儀、無塵潔靜室

需具備之專業人才

化工、材料、電子相關背景

同步更新日期

2024-09-03

根據名稱銅銦鎵硒 CIGS 太陽電池元件找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 銅銦鎵硒 CIGS 太陽電池元件 ...)

根據電話 03-4711334 357057 找到的相關資料

(以下顯示 4 筆) (或要:直接搜尋所有 03-4711334 357057 ...)

一種均質緻密CIS薄膜之製作方法	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.降低組成不均勻現象，也能使得前驅物的表面較為平整，有助於改善Cu-rich的CIS薄膜表面Cu-Se相的問題、明顯的有較緻密的晶粒結構、橫向組成分佈的均勻性。 2.在升溫過程中也有抑制銅擴散的速度... \| 潛力預估: 3C電子產業、居家形太陽能模組、可攜帶型太陽電池等 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
電子束熔煉製程技術開發	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 綠色產業用金屬材料應用研究發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高純度合金濺鍍靶材：純度>=4N、熔點>1700℃。 \| 潛力預估: 完成國內太陽能元件、節能發光元件、光電等產業與世界同步，成為當務之急之任務。為配合能源產業相關產品之性能提升，促進國內傳統產業之轉型及升級，本計畫針對太陽能元件、節能發光元件用的高溫/高純度金屬(鉬金... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高純度鈦金屬濺鍍用材料製程技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 高純度鈦金屬濺鍍用材料：靶材尺寸≧ψ3 inch、相對純度≧5N。 \| 潛力預估: 本技術以半導體元件用濺鍍材料商用規格為技術目標，建立熔煉、鍛造及加工等關鍵製程技術，高純度鈦金屬靶材已陸續送終端使用業界進行產品驗證，未來本團隊需克服其它高熔點/高純度濺鍍材料及量產製程技術，以高階半... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高純度鈦金屬濺鍍用材料製程技術	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階稀有綠能材料應用研究發展計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 高純度鈦金屬濺鍍用材料：靶材尺寸≧ψ3 inch、相對純度≧5N。 \| 潛力預估: 本技術以半導體元件用濺鍍材料商用規格為技術目標，建立熔煉、鍛造及加工等關鍵製程技術，高純度鈦金屬靶材已陸續送終端使用業界進行產品驗證，未來本團隊需克服其它高熔點/高純度濺鍍材料及量產製程技術，以高階半... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

一種均質緻密CIS薄膜之製作方法

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

電子束熔煉製程技術開發

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

高純度鈦金屬濺鍍用材料製程技術

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

高純度鈦金屬濺鍍用材料製程技術

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-4711334 357057 ... ]

在『經濟部產業技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件同分類的經濟部產業技術司可移轉技術資料集

超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio：50 ‧ 結構層：Poly Silicon，厚度範圍：1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
應變矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 \| 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... \| 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS
加強型行動終端應用程式發展平台	執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: 資策會 \| 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 \| 領域: 通訊與光電 \| 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術：行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... \| 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...
行動服務交付平台	執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: 資策會 \| 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 \| 領域: 通訊與光電 \| 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... \| 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

超臨界點抗黏著乾燥技術

低應力薄膜製程技術

矽晶深蝕刻製程技術

MRAM 元件製程技術

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

相變化薄膜製程技術

高介電值閘極介電物技術

相變化記憶體元件與製程技術

應變矽CMOS元件與製程技術

應變矽製程技術

無鉛製程技術

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

無鉛製程技術資訊平台建立

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術：行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件 - 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

技術名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

領域

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

技術現況敘述-中文

技術現況敘述-英文

技術規格

技術成熟度

可應用範圍

潛力預估

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

所須軟硬體設備

需具備之專業人才

同步更新日期

在『經濟部產業技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件同分類的經濟部產業技術司可移轉技術資料集

銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池元件
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部