有機-無機混成漸變折射率多層膜技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文有機-無機混成漸變折射率多層膜技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是97, 計畫名稱是南部產業關鍵技術計畫, 技術規格是1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， etc.) 之反射率與提高透光率, 潛力預估是應用於光學元件、太陽能產業.

序號2588
產出年度97
技術名稱-中文有機-無機混成漸變折射率多層膜技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文藉由調整二氧化鈦(TiO2)與環氧樹脂(Epoxy)的比例，製備出不同折射率之混成溶液，逐層塗佈於高折射率基板，可以得到漸變折射率的多層膜，達到抗反射的效果，進而提升基板之可見光穿透率。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， etc.) 之反射率與提高透光率
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍抗反射薄膜、光波導材料
潛力預估應用於光學元件、太陽能產業
聯絡人員汪仲仁
電話06-3847494
傳真06-3847288
電子信箱chungzen@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備化學反應槽、混合槽
需具備之專業人才化學、化工或高分子材料
同步更新日期2024-09-03

序號

2588

產出年度

97

技術名稱-中文

有機-無機混成漸變折射率多層膜技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

藉由調整二氧化鈦(TiO2)與環氧樹脂(Epoxy)的比例，製備出不同折射率之混成溶液，逐層塗佈於高折射率基板，可以得到漸變折射率的多層膜，達到抗反射的效果，進而提升基板之可見光穿透率。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， etc.) 之反射率與提高透光率

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

抗反射薄膜、光波導材料

潛力預估

應用於光學元件、太陽能產業

聯絡人員

汪仲仁

電話

06-3847494

傳真

06-3847288

電子信箱

chungzen@itri.org.tw

參考網址

http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

化學反應槽、混合槽

需具備之專業人才

化學、化工或高分子材料

同步更新日期

2024-09-03

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耐高溫多元高性能合金技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.600℃ Hv>350 2.抗氧化率＞Stellite 6 | 潛力預估: 可應用於刀工模具、重機械構件、能源石油鑽探等重型機具的高溫耐磨抗氧化機件

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高功率LED導熱界面材料技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具高導電度(~ 2*10-3 W/cm2) 2.)具良好熱傳導性～40W/mK。 3.)紅外線輻射發射率>98%。 4.)適用於平整性高之界面，膜厚～300nm，提升整體熱傳導量。 5.)樹酯為... | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池、電子紡織品業等所需之導熱元件或導熱塗層

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高功率LED散熱塗裝粉體技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具靜電消散導電度(~ 5.5*106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。 | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層

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奈米粉體分散技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)分散度：< 200 nm 2.)固含量：> 1 wt % 3.)穩定度: > 3 months | 潛力預估: 可應用於奈米碳材流體或複合材料製備

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壓克力單體與熱穩定、低吸水性壓克力材料技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)DCPD氫甲醯化催化技術-製備TCD MAL，產率>90％，純度>90％。 2.)TCD-DAL氫化催化技術-製備TCD-MM， 產率>90％，純度>90％。 3.)高耐熱性壓克力單體改技術-製... | 潛力預估: 可應用於面板、太陽電池等光學元件所需之高耐熱壓克力材料

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光學級共聚酯研製試量產技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)光學級非晶系共聚酯研製Pilot Scale，~100 Liter 2.)IV>0.6 3.)Tg >120℃ 4.)透光度>88% 5.)鉛筆硬度>HB | 潛力預估: 可應用光學元件、太陽能產業

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自擴散型光導板/擴散板加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 % | 潛力預估: 可應用LED燈具、面板及光電相關業者

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耐高溫多元高性能合金技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.600℃ Hv>350 2.抗氧化率＞Stellite 6 | 潛力預估: 可應用於刀工模具、重機械構件、能源石油鑽探等重型機具的高溫耐磨抗氧化機件

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高功率LED導熱界面材料技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具高導電度(~ 2*10-3 W/cm2) 2.)具良好熱傳導性～40W/mK。 3.)紅外線輻射發射率>98%。 4.)適用於平整性高之界面，膜厚～300nm，提升整體熱傳導量。 5.)樹酯為... | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池、電子紡織品業等所需之導熱元件或導熱塗層

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高功率LED散熱塗裝粉體技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具靜電消散導電度(~ 5.5*106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。 | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層

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奈米粉體分散技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)分散度：< 200 nm 2.)固含量：> 1 wt % 3.)穩定度: > 3 months | 潛力預估: 可應用於奈米碳材流體或複合材料製備

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壓克力單體與熱穩定、低吸水性壓克力材料技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)DCPD氫甲醯化催化技術-製備TCD MAL，產率>90％，純度>90％。 2.)TCD-DAL氫化催化技術-製備TCD-MM， 產率>90％，純度>90％。 3.)高耐熱性壓克力單體改技術-製... | 潛力預估: 可應用於面板、太陽電池等光學元件所需之高耐熱壓克力材料

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光學級共聚酯研製試量產技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)光學級非晶系共聚酯研製Pilot Scale，~100 Liter 2.)IV>0.6 3.)Tg >120℃ 4.)透光度>88% 5.)鉛筆硬度>HB | 潛力預估: 可應用光學元件、太陽能產業

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自擴散型光導板/擴散板加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 % | 潛力預估: 可應用LED燈具、面板及光電相關業者

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無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio：50 ‧ 結構層：Poly Silicon，厚度範圍：1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio：50 ‧ 結構層：Poly Silicon，厚度範圍：1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

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