自擴散型光導板/擴散板加工技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文自擴散型光導板/擴散板加工技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是97, 計畫名稱是南部產業關鍵技術計畫, 技術規格是1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 %, 潛力預估是可應用LED燈具、面板及光電相關業者.

序號	2594
產出年度	97
技術名稱-中文	自擴散型光導板/擴散板加工技術
執行單位	工研院南分院
產出單位	(空)
計畫名稱	南部產業關鍵技術計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	1.)運用雙相動態交聯之製程方法，開發出高擴散型情境光導板加工技術。 2.)本定位技術可提供各種LED相關周邊產品之光導效果。 3.)本技術特點在於利用微奈米級高擴散微粒進行光線調控，並搭配精密加工射出技術，達到製程簡單、方便的功效。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 %
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	個人隨身產品、傢俱裝飾藝術品、LED室內外燈具
潛力預估	可應用LED燈具、面板及光電相關業者
聯絡人員	汪仲仁
電話	06-3847494
傳真	06-3847288
電子信箱	chungzen@itri.org.tw
參考網址	http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備	高分子反應、加工設備
需具備之專業人才	化學、化工、高分子材料
同步更新日期	2024-09-03

序號

2594

產出年度

技術名稱-中文

自擴散型光導板/擴散板加工技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

1.)運用雙相動態交聯之製程方法，開發出高擴散型情境光導板加工技術。 2.)本定位技術可提供各種LED相關周邊產品之光導效果。 3.)本技術特點在於利用微奈米級高擴散微粒進行光線調控，並搭配精密加工射出技術，達到製程簡單、方便的功效。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 %

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

個人隨身產品、傢俱裝飾藝術品、LED室內外燈具

潛力預估

可應用LED燈具、面板及光電相關業者

聯絡人員

汪仲仁

電話

06-3847494

傳真

06-3847288

電子信箱

chungzen@itri.org.tw

參考網址

http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

高分子反應、加工設備

需具備之專業人才

化學、化工、高分子材料

同步更新日期

2024-09-03

根據名稱自擴散型光導板擴散板加工技術找到的相關資料

無其他自擴散型光導板擴散板加工技術資料。

[ 搜尋所有 自擴散型光導板擴散板加工技術 ... ]

根據電話 06-3847494 找到的相關資料

(以下顯示 7 筆) (或要:直接搜尋所有 06-3847494 ...)

耐高溫多元高性能合金技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.600℃ Hv>350 2.抗氧化率＞Stellite 6 \| 潛力預估: 可應用於刀工模具、重機械構件、能源石油鑽探等重型機具的高溫耐磨抗氧化機件 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
有機-無機混成漸變折射率多層膜技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， et... \| 潛力預估: 應用於光學元件、太陽能產業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高功率LED導熱界面材料技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.)具高導電度(~ 210-3 W/cm2) 2.)具良好熱傳導性～40W/mK。 3.)紅外線輻射發射率>98%。 4.)適用於平整性高之界面，膜厚～300nm，提升整體熱傳導量。 5.)樹酯為... \| 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池、電子紡織品業等所需之導熱元件或導熱塗層* @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高功率LED散熱塗裝粉體技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: *1.)具靜電消散導電度(~ 5.5106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。 \| 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層** @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米粉體分散技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.)分散度：< 200 nm 2.)固含量：> 1 wt % 3.)穩定度: > 3 months \| 潛力預估: 可應用於奈米碳材流體或複合材料製備 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
壓克力單體與熱穩定、低吸水性壓克力材料技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.)DCPD氫甲醯化催化技術-製備TCD MAL，產率>90％，純度>90％。 2.)TCD-DAL氫化催化技術-製備TCD-MM，產率>90％，純度>90％。 3.)高耐熱性壓克力單體改技術-製... \| 潛力預估: 可應用於面板、太陽電池等光學元件所需之高耐熱壓克力材料 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
光學級共聚酯研製試量產技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.)光學級非晶系共聚酯研製Pilot Scale，~100 Liter 2.)IV>0.6 3.)Tg >120℃ 4.)透光度>88% 5.)鉛筆硬度>HB \| 潛力預估: 可應用光學元件、太陽能產業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 06-3847494 ... ]

在『經濟部產業技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與自擴散型光導板/擴散板加工技術同分類的經濟部產業技術司可移轉技術資料集

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap \| 潛力預估: 可取代現行2-gap技術
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: none \| 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT...
LTPS光罩Reduction技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 \| 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接...
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。
具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 \| 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用
軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高