泛在服務組合技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文泛在服務組合技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是98, 計畫名稱是南部產業關鍵技術計畫, 技術規格是‧WS-Discovery 服務探索技術 ‧WS-Events 服務事件傳遞技術 ‧WS-Management 服務管理機制 ‧Adaptive UI 可適性使用者介面技術, 潛力預估是商用化潛力高.

序號3209
產出年度98
技術名稱-中文泛在服務組合技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術利用彈性之XML描述加值服務取得所需之資源、流程及與使用者互動間之關係;將其加以組合並發布成新的網路服務。服務組合引擎負責這些加值服務之執行與監控。以達到降低成本、提高可靠度與客製化之自動化服務平台;目前已有1案專利申請中。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧WS-Discovery 服務探索技術 ‧WS-Events 服務事件傳遞技術 ‧WS-Management 服務管理機制 ‧Adaptive UI 可適性使用者介面技術
技術成熟度雛形
可應用範圍家庭服務平台、社區服務平台、小型私有企業服務平台
潛力預估商用化潛力高
聯絡人員黃雅琤
電話06-3847195
傳真06-3847182
電子信箱yacheng@itri.org.tw
參考網址http://airp.org.tw/iars/981224/index.htm
所須軟硬體設備
需具備之專業人才JAVA、C語言程式撰寫能力
同步更新日期2024-09-03

序號

3209

產出年度

98

技術名稱-中文

泛在服務組合技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術利用彈性之XML描述加值服務取得所需之資源、流程及與使用者互動間之關係;將其加以組合並發布成新的網路服務。服務組合引擎負責這些加值服務之執行與監控。以達到降低成本、提高可靠度與客製化之自動化服務平台;目前已有1案專利申請中。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧WS-Discovery 服務探索技術 ‧WS-Events 服務事件傳遞技術 ‧WS-Management 服務管理機制 ‧Adaptive UI 可適性使用者介面技術

技術成熟度

雛形

可應用範圍

家庭服務平台、社區服務平台、小型私有企業服務平台

潛力預估

商用化潛力高

聯絡人員

黃雅琤

電話

06-3847195

傳真

06-3847182

電子信箱

yacheng@itri.org.tw

參考網址

http://airp.org.tw/iars/981224/index.htm

所須軟硬體設備

需具備之專業人才

JAVA、C語言程式撰寫能力

同步更新日期

2024-09-03

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OSGi服務平台遠端管理系統

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 網路與通訊應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合OSGi標準與SOAP標準之Service Life Cycle Management、Remote Management Agent、Initial Provision、Subscription... | 潛力預估: 家庭網路服務平台遠端管理系統可技轉國內包含居家照護、居家保全、家庭節能、家庭設備遠端控制等服務業之Service Operator/Provider,以增進服務提供品質及降低營運成本。

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OSGi與MHP協同運作軟體技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 網路與通訊應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: OSGi Service Platform符合OSGi SPR3標準,UPnP符合UPnP Architecture 1.0標準,MHP符合DVB-MHP1.1.1標準。 | 潛力預估: 透過OSGi與MHP協同運作軟體技術,期望國內家用閘道器業者可藉此提升國內產業技術水平,並期許與國外大廠並駕齊驅。

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HSDPA模組於嵌入式作業系統下之驅動軟體技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: HSDPA是符合於3GPP R5標準,滿足上下行資料傳輸不對稱的需求而提出的技術。 | 潛力預估: 支緩HSDPA模組於Linux系統下的行動設備,強化了行動設備無線通訊的下行傳輸速率,傳輸率大幅提升後,行動設備就可支援行動視訊的播放、播送,也可讓每個行動設備用戶自行指定播放的視訊內容。更簡單說,即...

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支援隨插即用之MOST網路異質介面匯流系統

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: MOST的傳輸率為50Mbps,資料通訊標準、規範等規格制訂遵循ISO/OSI的網路七層參考模型,符合點對點(Peer to peer)傳輸方式,最多可以連接64個裝置或節點,具有隨插即用的特性,允許... | 潛力預估: Automotive Infotainment System、Audio/Video Distribution System、Telematics Service、Multi-Camera Surve...

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基於Mobile IP之異質性網路換手系統

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: Mobile IPv4、IEEE 802.3、IEEE 802.11、IEEE 802.16 | 潛力預估: 支援異質網路換手、Linux嵌入式作業系統、Windows作業系統

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開放式服務平台

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 支援OSGi R4;支援 KnopflerFish 2.0.1;短訊通知功能:Mail,SMS;圖表繪製功能;支援資料庫架構:Hibernet 3.x;支援Log機制:log4j 1.2;支援Web ... | 潛力預估: ◆開放式服務平台架構_x000D_‧動態且彈性的服務傳遞與部署機制_x000D_‧高移植性跨平台整合功能_x000D_‧多樣化使用者介面 : 電腦, PDA, 手機, 電視_x000D_◆元件化軟體模...

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轉換一般設備成為UPnP設備之橋接技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 符合UPnP技術規格。_x000D_設備可轉換之接取網路介面與通訊協定有:_x000D_‧有線 : USB, RS-232, 電力線, 雙絞線_x000D_‧無線 : ZigBee, BlueToot... | 潛力預估: 主要可用來轉換一般運算能力或是硬體能力不強的設備,讓設備也能夠具有UPnP的通訊運作能力,或是透過UPnP網路方便讓具有UPnP控制端的設備方便溝通、控制。運用在居家健康照護設備,可以很方便得知設備目...

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服務接取技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: .服務建置:影音、住宅電力網路量測、家電控制、照明及環境控制等服務 .服務接取機硬體:x86、ARM9 .多元化網路接取支援:RS232/485、X10、LonWorks、USB、Zigbee、Eth... | 潛力預估: 商用化潛力高

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OSGi服務平台遠端管理系統

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 網路與通訊應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合OSGi標準與SOAP標準之Service Life Cycle Management、Remote Management Agent、Initial Provision、Subscription... | 潛力預估: 家庭網路服務平台遠端管理系統可技轉國內包含居家照護、居家保全、家庭節能、家庭設備遠端控制等服務業之Service Operator/Provider,以增進服務提供品質及降低營運成本。

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OSGi與MHP協同運作軟體技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 網路與通訊應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: OSGi Service Platform符合OSGi SPR3標準,UPnP符合UPnP Architecture 1.0標準,MHP符合DVB-MHP1.1.1標準。 | 潛力預估: 透過OSGi與MHP協同運作軟體技術,期望國內家用閘道器業者可藉此提升國內產業技術水平,並期許與國外大廠並駕齊驅。

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HSDPA模組於嵌入式作業系統下之驅動軟體技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: HSDPA是符合於3GPP R5標準,滿足上下行資料傳輸不對稱的需求而提出的技術。 | 潛力預估: 支緩HSDPA模組於Linux系統下的行動設備,強化了行動設備無線通訊的下行傳輸速率,傳輸率大幅提升後,行動設備就可支援行動視訊的播放、播送,也可讓每個行動設備用戶自行指定播放的視訊內容。更簡單說,即...

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支援隨插即用之MOST網路異質介面匯流系統

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: MOST的傳輸率為50Mbps,資料通訊標準、規範等規格制訂遵循ISO/OSI的網路七層參考模型,符合點對點(Peer to peer)傳輸方式,最多可以連接64個裝置或節點,具有隨插即用的特性,允許... | 潛力預估: Automotive Infotainment System、Audio/Video Distribution System、Telematics Service、Multi-Camera Surve...

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基於Mobile IP之異質性網路換手系統

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: Mobile IPv4、IEEE 802.3、IEEE 802.11、IEEE 802.16 | 潛力預估: 支援異質網路換手、Linux嵌入式作業系統、Windows作業系統

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開放式服務平台

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 支援OSGi R4;支援 KnopflerFish 2.0.1;短訊通知功能:Mail,SMS;圖表繪製功能;支援資料庫架構:Hibernet 3.x;支援Log機制:log4j 1.2;支援Web ... | 潛力預估: ◆開放式服務平台架構_x000D_‧動態且彈性的服務傳遞與部署機制_x000D_‧高移植性跨平台整合功能_x000D_‧多樣化使用者介面 : 電腦, PDA, 手機, 電視_x000D_◆元件化軟體模...

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轉換一般設備成為UPnP設備之橋接技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 符合UPnP技術規格。_x000D_設備可轉換之接取網路介面與通訊協定有:_x000D_‧有線 : USB, RS-232, 電力線, 雙絞線_x000D_‧無線 : ZigBee, BlueToot... | 潛力預估: 主要可用來轉換一般運算能力或是硬體能力不強的設備,讓設備也能夠具有UPnP的通訊運作能力,或是透過UPnP網路方便讓具有UPnP控制端的設備方便溝通、控制。運用在居家健康照護設備,可以很方便得知設備目...

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服務接取技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: .服務建置:影音、住宅電力網路量測、家電控制、照明及環境控制等服務 .服務接取機硬體:x86、ARM9 .多元化網路接取支援:RS232/485、X10、LonWorks、USB、Zigbee、Eth... | 潛力預估: 商用化潛力高

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超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio:50 ‧ 結構層:Poly Silicon,厚度範圍:1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio:50 ‧ 結構層:Poly Silicon,厚度範圍:1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

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