微型雷射投影技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文微型雷射投影技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是98, 計畫名稱是南部產業關鍵技術計畫, 技術規格是投影解析度:> QVGA ; 影像亮度均勻化與光機失真補償 ; 2-Axis Micro Scanning Mirror ; Mirror Size:14 × 8 × 4mm3。, 潛力預估是主要合作廠商如手機業者、精密光學業、3C消費電子業。.

序號3231
產出年度98
技術名稱-中文微型雷射投影技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文應用微機電二維微型掃描面鏡及紅綠藍雷射,實現微型雷射投影機,其特色在於體積微型化,畫面永保清晰無須對焦,並且色彩鮮麗,可提供隨身投影顯示功能。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格投影解析度:> QVGA ; 影像亮度均勻化與光機失真補償 ; 2-Axis Micro Scanning Mirror ; Mirror Size:14 × 8 × 4mm3。
技術成熟度雛形
可應用範圍可應用於智慧型寬幅投影手機、數位相機、PDA、NB、隨身遊戲機等 3C消費電子產品,車用多重螢幕雷射抬頭顯示器,生醫感測、工業偵測等。
潛力預估主要合作廠商如手機業者、精密光學業、3C消費電子業。
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847294
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://airp.org.tw/iars/981224/index.htm
所須軟硬體設備元件設計與邏輯分析軟體、FPGA韌體平台、高速示波器、光功率計、精密組裝對位平台。
需具備之專業人才電子電路、半導體製程、微機電、機械相關背景。
同步更新日期2023-07-22

序號

3231

產出年度

98

技術名稱-中文

微型雷射投影技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

應用微機電二維微型掃描面鏡及紅綠藍雷射,實現微型雷射投影機,其特色在於體積微型化,畫面永保清晰無須對焦,並且色彩鮮麗,可提供隨身投影顯示功能。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

投影解析度:> QVGA ; 影像亮度均勻化與光機失真補償 ; 2-Axis Micro Scanning Mirror ; Mirror Size:14 × 8 × 4mm3。

技術成熟度

雛形

可應用範圍

可應用於智慧型寬幅投影手機、數位相機、PDA、NB、隨身遊戲機等 3C消費電子產品,車用多重螢幕雷射抬頭顯示器,生醫感測、工業偵測等。

潛力預估

主要合作廠商如手機業者、精密光學業、3C消費電子業。

聯絡人員

范玉玟

電話

06-3847123

傳真

06-3847294

電子信箱

AdyFan@itri.org.tw

參考網址

http://airp.org.tw/iars/981224/index.htm

所須軟硬體設備

元件設計與邏輯分析軟體、FPGA韌體平台、高速示波器、光功率計、精密組裝對位平台。

需具備之專業人才

電子電路、半導體製程、微機電、機械相關背景。

同步更新日期

2023-07-22

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# 微型雷射投影技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號6440
產出年度102
技術名稱-中文雷射投影技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部新興產業發展關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以微型雷射投影技術為核心,完成25kHz高頻掃描元件、2cc嵌入式光機引擎、720P超高畫質微投影模組,相關技術規格已具國際領先水準。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格MEMS雙軸掃描元件:掃描頻率 25 kHz 。 超微型光機引擎:體積 2cm3。 雷射投影系統:解析度 1280×720 pixels。
技術成熟度雛型
可應用範圍消費性行動3C電子與車用電子產品等領域。
潛力預估主要合作廠商如3C相關產業,手機市場將是應用潛力最大的載具平台,其次為數位相機、DV攝影機、個人遊戲機等內嵌式產品;新興產品如平板電腦、智慧機器人等。
聯絡人員陳國彰
電話06-3847136
傳真06-3847294
電子信箱kerwin_c@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備光學、機構、邏輯電路設計等軟體,機構加工、半自動組裝、封裝測試等設備。
需具備之專業人才光學、機構、邏輯、硬體電路設計、半自動組裝、封裝測試等相關背景。
序號: 6440
產出年度: 102
技術名稱-中文: 雷射投影技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以微型雷射投影技術為核心,完成25kHz高頻掃描元件、2cc嵌入式光機引擎、720P超高畫質微投影模組,相關技術規格已具國際領先水準。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: MEMS雙軸掃描元件:掃描頻率 25 kHz 。 超微型光機引擎:體積 2cm3。 雷射投影系統:解析度 1280×720 pixels。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 消費性行動3C電子與車用電子產品等領域。
潛力預估: 主要合作廠商如3C相關產業,手機市場將是應用潛力最大的載具平台,其次為數位相機、DV攝影機、個人遊戲機等內嵌式產品;新興產品如平板電腦、智慧機器人等。
聯絡人員: 陳國彰
電話: 06-3847136
傳真: 06-3847294
電子信箱: kerwin_c@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備: 光學、機構、邏輯電路設計等軟體,機構加工、半自動組裝、封裝測試等設備。
需具備之專業人才: 光學、機構、邏輯、硬體電路設計、半自動組裝、封裝測試等相關背景。
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# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號2994
產出年度97
技術名稱-中文電阻式感測元件陣列掃瞄控制電路及讀出電路
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱軟性電子關鍵技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文電阻式感測元件陣列,以一10x10陣列而言,就有一百個元件,如果將單一一個元件均拉線進行量測,少則需要至少200條以上的線路,本技術開發一以掃描方式進行電阻陣列中各個元件的電阻的估算,以一10x10陣列而言,僅需20條線路即可完成,並利用標準電阻方式計算各個電阻值,可大幅降低連接器的使用,並大幅降低佈線困難度。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.可掃描陣列數: > 10x10 陣列 2.誤差: < 5% (10x10 陣列, 12bit A/D) 3.速度: > 2Hz (10x10陣列, 8Bit Micro-Controller)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍電阻式感測陣列 (壓阻式、熱阻式等變阻性感測材料) 應用產品:照護用智慧型壓力墊、遊戲用踏墊、2D (or near 3D) 掃描
潛力預估以專利之標準電阻掃描電路及演算法技術,完成大型軟性壓力感測陣列模組開發。此一技術可以解決目前國內廠商對國外技術的依賴並降低成本
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847123
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備需搭配後端主機系統,如個人電腦、遊戲主機等進行後端應用程式的執行和聯結
需具備之專業人才
序號: 2994
產出年度: 97
技術名稱-中文: 電阻式感測元件陣列掃瞄控制電路及讀出電路
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 軟性電子關鍵技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 電阻式感測元件陣列,以一10x10陣列而言,就有一百個元件,如果將單一一個元件均拉線進行量測,少則需要至少200條以上的線路,本技術開發一以掃描方式進行電阻陣列中各個元件的電阻的估算,以一10x10陣列而言,僅需20條線路即可完成,並利用標準電阻方式計算各個電阻值,可大幅降低連接器的使用,並大幅降低佈線困難度。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.可掃描陣列數: > 10x10 陣列 2.誤差: < 5% (10x10 陣列, 12bit A/D) 3.速度: > 2Hz (10x10陣列, 8Bit Micro-Controller)
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 電阻式感測陣列 (壓阻式、熱阻式等變阻性感測材料) 應用產品:照護用智慧型壓力墊、遊戲用踏墊、2D (or near 3D) 掃描
潛力預估: 以專利之標準電阻掃描電路及演算法技術,完成大型軟性壓力感測陣列模組開發。此一技術可以解決目前國內廠商對國外技術的依賴並降低成本
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847123
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 需搭配後端主機系統,如個人電腦、遊戲主機等進行後端應用程式的執行和聯結
需具備之專業人才:

# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號7540
產出年度104
技術名稱-中文微機電製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文建立高深寬比厚膜光波導製程(AR>6; 厚度>100?m),突破業界製程能力僅能達到約60~70um之能力,達到高訊躁比與辨識能力之光學式指紋辨識之產品需求
技術現況敘述-英文(空)
技術規格光阻厚度>100?m; AR> 6 for 6 inch wafer
技術成熟度試量產
可應用範圍應用於光學指紋辨識及光學檢測等領域
潛力預估可應用於目前手機等手持裝置等相關產品
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847123
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備微機電製程設備與相關模擬軟體
需具備之專業人才微機電製程設計與製成相關技能
序號: 7540
產出年度: 104
技術名稱-中文: 微機電製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 建立高深寬比厚膜光波導製程(AR>6; 厚度>100?m),突破業界製程能力僅能達到約60~70um之能力,達到高訊躁比與辨識能力之光學式指紋辨識之產品需求
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 光阻厚度>100?m; AR> 6 for 6 inch wafer
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 應用於光學指紋辨識及光學檢測等領域
潛力預估: 可應用於目前手機等手持裝置等相關產品
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847123
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: 微機電製程設備與相關模擬軟體
需具備之專業人才: 微機電製程設計與製成相關技能

# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號8207
產出年度105
技術名稱-中文晶圓級氣密接合與高緻密無汙染薄膜等關鍵技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文開發晶圓級氣密接合與高緻密無汙染薄膜等關鍵技術,達到TEM於15,000倍率下,無背景汙染之要求規格 ,解決目前電檢儀器無法檢測濕式樣品之問題,應用在TEM檢測關鍵載具。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Direct bond:SiN /SiN, Si/Si … The gap of channel : 0.2, 0.5, 2?m
技術成熟度試量產
可應用範圍微機電製程設計與製成相關技能
潛力預估本技術應用服務可協助電子業、生醫、傳產、化妝品、食品等相關產業,直接觀察分析液態樣品之載具
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847123
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備黃光微影、乾/濕蝕刻、晶圓接合等設備
需具備之專業人才微機電製程相關
序號: 8207
產出年度: 105
技術名稱-中文: 晶圓級氣密接合與高緻密無汙染薄膜等關鍵技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 開發晶圓級氣密接合與高緻密無汙染薄膜等關鍵技術,達到TEM於15,000倍率下,無背景汙染之要求規格 ,解決目前電檢儀器無法檢測濕式樣品之問題,應用在TEM檢測關鍵載具。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Direct bond:SiN /SiN, Si/Si … The gap of channel : 0.2, 0.5, 2?m
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 微機電製程設計與製成相關技能
潛力預估: 本技術應用服務可協助電子業、生醫、傳產、化妝品、食品等相關產業,直接觀察分析液態樣品之載具
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847123
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: 黃光微影、乾/濕蝕刻、晶圓接合等設備
需具備之專業人才: 微機電製程相關

# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號2007
產出年度96
技術名稱-中文3D慣性感測應用技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術為結合微慣性感測元件及人體姿態動力學的特殊演算處理機制,所開發出一種可對人體動作作高解析度的指向定位及動作形態之解碼技術。本技術有別於傳統利用語音、鍵盤或影像等的輸入方式,而是採用人體自然的肢體動作作為輸入方式,以達到直覺式互動反應的全新體驗。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格空間自由度:六軸,位移訊號傳送速率:100 次/秒,無線傳輸能力: 2.4 GHz / 10公尺,可解析動作數目: 10 種。_x000D_
技術成熟度試量產
可應用範圍電腦輸入介面、互動遊戲輸入介面、互動玩具。
潛力預估本技術可應用於電腦輸入裝置、互動遊戲輸入裝置、數位家電遙控介面等,協助拓展新世代動作輸入介面產品應用及市場。
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847298
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備電腦、頻譜儀、訊號產生器與示波器。
需具備之專業人才電子電路與力學相關背景。
序號: 2007
產出年度: 96
技術名稱-中文: 3D慣性感測應用技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術為結合微慣性感測元件及人體姿態動力學的特殊演算處理機制,所開發出一種可對人體動作作高解析度的指向定位及動作形態之解碼技術。本技術有別於傳統利用語音、鍵盤或影像等的輸入方式,而是採用人體自然的肢體動作作為輸入方式,以達到直覺式互動反應的全新體驗。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 空間自由度:六軸,位移訊號傳送速率:100 次/秒,無線傳輸能力: 2.4 GHz / 10公尺,可解析動作數目: 10 種。_x000D_
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 電腦輸入介面、互動遊戲輸入介面、互動玩具。
潛力預估: 本技術可應用於電腦輸入裝置、互動遊戲輸入裝置、數位家電遙控介面等,協助拓展新世代動作輸入介面產品應用及市場。
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847298
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 電腦、頻譜儀、訊號產生器與示波器。
需具備之專業人才: 電子電路與力學相關背景。

# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號2008
產出年度96
技術名稱-中文MEMS類比麥克風模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術著重在電容式麥克風元件結構、製作、讀取電路、封裝與應用技術之開發,利用MEMS製程設計製作出電容式麥克風,較一般傳統ECM麥克風具有小型化及易加工的特性,並適用於指向性或噪音消除等相關功能需求之3C消費產品應用。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格尺寸:4.8mm×3.9mm×1.5mm,頻率響應:100Hz~10KHz,靈敏度:-40dB,訊噪比:53dB。
技術成熟度雛型
可應用範圍手機、PDA、MP3播放器、筆記型電腦、助聽器。
潛力預估本技術可應用於手機、筆記型電腦、助聽器、汽車電子、VOIP、機器人等產品,協助業者拓展新興電聲應用的3C、消費電子與醫療器材市場。
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847298
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備力學模擬軟體與電腦硬體、聲學模擬軟體與電腦硬體、電磁模擬軟體頻譜儀與電腦硬體、頻譜儀、訊號產生器、DC電源產生器、探針台、晶粒檢測設備、聲音頻率響應量測設備。
需具備之專業人才電子學、電機學、物理學、材料學、力學、封裝與測試技術、聲學、微機電技術。
序號: 2008
產出年度: 96
技術名稱-中文: MEMS類比麥克風模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術著重在電容式麥克風元件結構、製作、讀取電路、封裝與應用技術之開發,利用MEMS製程設計製作出電容式麥克風,較一般傳統ECM麥克風具有小型化及易加工的特性,並適用於指向性或噪音消除等相關功能需求之3C消費產品應用。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 尺寸:4.8mm×3.9mm×1.5mm,頻率響應:100Hz~10KHz,靈敏度:-40dB,訊噪比:53dB。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 手機、PDA、MP3播放器、筆記型電腦、助聽器。
潛力預估: 本技術可應用於手機、筆記型電腦、助聽器、汽車電子、VOIP、機器人等產品,協助業者拓展新興電聲應用的3C、消費電子與醫療器材市場。
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847298
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 力學模擬軟體與電腦硬體、聲學模擬軟體與電腦硬體、電磁模擬軟體頻譜儀與電腦硬體、頻譜儀、訊號產生器、DC電源產生器、探針台、晶粒檢測設備、聲音頻率響應量測設備。
需具備之專業人才: 電子學、電機學、物理學、材料學、力學、封裝與測試技術、聲學、微機電技術。

# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號2009
產出年度96
技術名稱-中文CCM靜態防手振系統技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術為利用慣性感測模組與體波式微型致動器,藉由微型致動器推動影像感測器移動,實現防手振功能與模組的微小化,以強化高階照相模組產品的功能。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Moving rate ≧5mm/sec,Compensated vibration:±0.4°,Compensated frequency≧10Hz。_x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍數位 相機、網路攝影機、智慧型機器人、行車輔助系統、監視器。
潛力預估可協助國內手機照相模組與數位相機廠擁有高階照相模組自主技術,為國內數位相機產業創造更高的附加價值。
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847298
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備訊號產生器、示波器。
需具備之專業人才電子或製造產業相關背景。
序號: 2009
產出年度: 96
技術名稱-中文: CCM靜態防手振系統技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術為利用慣性感測模組與體波式微型致動器,藉由微型致動器推動影像感測器移動,實現防手振功能與模組的微小化,以強化高階照相模組產品的功能。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Moving rate ≧5mm/sec,Compensated vibration:±0.4°,Compensated frequency≧10Hz。_x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 數位 相機、網路攝影機、智慧型機器人、行車輔助系統、監視器。
潛力預估: 可協助國內手機照相模組與數位相機廠擁有高階照相模組自主技術,為國內數位相機產業創造更高的附加價值。
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847298
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 訊號產生器、示波器。
需具備之專業人才: 電子或製造產業相關背景。

# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號2010
產出年度96
技術名稱-中文光學變焦模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術利用單層式壓電片微型致動器,藉由微型致動器推動光學鏡組,實現微小化、低耗能光學變焦模組,為高階手機相機市場創造更高的附加價值。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格3倍光學變焦,模組尺寸:14 × 13 × 22mm3,耗能:100~220mW。_x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍手機相機、數位攝影機、Webcam、智慧型機器人、行車輔助系統、智慧型監控系統。
潛力預估可協助國內手機相機鏡頭模組廠、手機系統廠切入高階相機手機市場,為國內行動數位影音產業創造更高的附加價值。
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847298
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備訊號產生器、示波器。
需具備之專業人才電子或製造產業相關背景。
序號: 2010
產出年度: 96
技術名稱-中文: 光學變焦模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術利用單層式壓電片微型致動器,藉由微型致動器推動光學鏡組,實現微小化、低耗能光學變焦模組,為高階手機相機市場創造更高的附加價值。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 3倍光學變焦,模組尺寸:14 × 13 × 22mm3,耗能:100~220mW。_x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 手機相機、數位攝影機、Webcam、智慧型機器人、行車輔助系統、智慧型監控系統。
潛力預估: 可協助國內手機相機鏡頭模組廠、手機系統廠切入高階相機手機市場,為國內行動數位影音產業創造更高的附加價值。
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847298
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 訊號產生器、示波器。
需具備之專業人才: 電子或製造產業相關背景。

# 06-3847123 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號2011
產出年度96
技術名稱-中文雙軸微加速度計元件技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術之發展在於雙軸加速度計之感測單元設計、製造、晶圓測試、讀取電路、封裝、與產品試驗證,以達到小尺寸、低功耗、可整合基本信號處理的產品功能。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Range +/-2g,Package Size 25mm3,解析度 2mg (BW=100Hz),功率消耗 < 1mW。_x000D_
技術成熟度試量產
可應用範圍消費性電子產品,如: 手機、硬碟、遊戲機。
潛力預估主要合作廠商如3C電子廠商、ASIC 設計廠商及微機電代工廠商等。
聯絡人員范玉玟
電話06-3847123
傳真06-3847298
電子信箱AdyFan@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備元件設計模擬軟體工具。
需具備之專業人才電子電路、半導體製程、微機電、機械相關背景。
序號: 2011
產出年度: 96
技術名稱-中文: 雙軸微加速度計元件技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術之發展在於雙軸加速度計之感測單元設計、製造、晶圓測試、讀取電路、封裝、與產品試驗證,以達到小尺寸、低功耗、可整合基本信號處理的產品功能。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Range +/-2g,Package Size 25mm3,解析度 2mg (BW=100Hz),功率消耗 < 1mW。_x000D_
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 消費性電子產品,如: 手機、硬碟、遊戲機。
潛力預估: 主要合作廠商如3C電子廠商、ASIC 設計廠商及微機電代工廠商等。
聯絡人員: 范玉玟
電話: 06-3847123
傳真: 06-3847298
電子信箱: AdyFan@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 元件設計模擬軟體工具。
需具備之專業人才: 電子電路、半導體製程、微機電、機械相關背景。
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與微型雷射投影技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... | 潛力預估: 15億新台幣

電容去離子奈米複合碳電極材料開發

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g;CDI去除率> 250 ppm/次 | 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例,其最大放電電容量僅約100 F/g,目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾,可得一中孔性奈米結構碳材,其電容量可增加25~40%,預期其市場接受性高,且目前並無相...

奈米可見光光觸媒材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後,細菌數目減少至原來之0.1%以下;(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計,2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時,日本的光觸媒產值將達100億日圓,約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念,在日本已經十分普...

超薄型塗佈技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度£0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm | 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術,建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等,如果本土材料產業成功的話,可提供下游就近的材料提供與成本競爭力,預期可以有很大的產業...

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜,如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作,皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起,如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm,線/纖維長度≧20μm,長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估,以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用,本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm,最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上;AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間,比表面積可高達240 m2/g以上,而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告,2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年,市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

奈米檢測技術-表面分析檢測技術應用先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以微區ESCA技術分析表面/薄膜深度可 | 潛力預估: 可應用在DLED開發高亮度、高發光效率

奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米,其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%,邊際效益< 2mm;3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增,保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發,其電氣特性符合:測試頻率:< 65 GHz, K Value:1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力,強化對產品設計及特性之掌握度,加速產品進入市場的速度,提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... | 潛力預估: 15億新台幣

電容去離子奈米複合碳電極材料開發

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g;CDI去除率> 250 ppm/次 | 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例,其最大放電電容量僅約100 F/g,目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾,可得一中孔性奈米結構碳材,其電容量可增加25~40%,預期其市場接受性高,且目前並無相...

奈米可見光光觸媒材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後,細菌數目減少至原來之0.1%以下;(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計,2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時,日本的光觸媒產值將達100億日圓,約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念,在日本已經十分普...

超薄型塗佈技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度£0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm | 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術,建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等,如果本土材料產業成功的話,可提供下游就近的材料提供與成本競爭力,預期可以有很大的產業...

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜,如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作,皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起,如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm,線/纖維長度≧20μm,長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估,以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用,本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm,最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上;AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間,比表面積可高達240 m2/g以上,而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告,2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年,市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

奈米檢測技術-表面分析檢測技術應用先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以微區ESCA技術分析表面/薄膜深度可 | 潛力預估: 可應用在DLED開發高亮度、高發光效率

奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米,其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%,邊際效益< 2mm;3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增,保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發,其電氣特性符合:測試頻率:< 65 GHz, K Value:1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力,強化對產品設計及特性之掌握度,加速產品進入市場的速度,提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

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