鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是98, 計畫名稱是下世代儲電元件與系統技術開發計畫, 技術規格是鋰電池隔離膜材料檢測技術建立 、鋰電池全電池整合驗證技術建立。, 潛力預估是現今鋰電池隔離膜市場被美日韓三國壟斷。而標準化檢測驗證平台的建立，有助於提高國內隔離膜廠商產品的可靠度，公信力，與競爭力。使研發單位能有清楚的規格需求與突破方向。.

序號4059
產出年度98
技術名稱-中文鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱下世代儲電元件與系統技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本單位建立鋰電池隔離膜材料標準化檢測技術(孔隙度、膜厚、機械強度、孔徑分佈、滲透率、尺寸穩定度、封孔性、吸濕度)，並搭配整合鋰電池全電池(鈕扣型，筒型)驗證技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格鋰電池隔離膜材料檢測技術建立 、鋰電池全電池整合驗證技術建立。
技術成熟度試量產
可應用範圍鋰電池隔離膜製程、檢測技術。
潛力預估現今鋰電池隔離膜市場被美日韓三國壟斷。而標準化檢測驗證平台的建立，有助於提高國內隔離膜廠商產品的可靠度，公信力，與競爭力。使研發單位能有清楚的規格需求與突破方向。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備Thickness gauge/Pycometer/SEM/Densometer/Porometer/DMA/TMA/DSC/Goniometer/Potentiostat/Battery system
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機等相關背景。
同步更新日期2024-09-03

序號

4059

產出年度

98

技術名稱-中文

鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代儲電元件與系統技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本單位建立鋰電池隔離膜材料標準化檢測技術(孔隙度、膜厚、機械強度、孔徑分佈、滲透率、尺寸穩定度、封孔性、吸濕度)，並搭配整合鋰電池全電池(鈕扣型，筒型)驗證技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

鋰電池隔離膜材料檢測技術建立 、鋰電池全電池整合驗證技術建立。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

鋰電池隔離膜製程、檢測技術。

潛力預估

現今鋰電池隔離膜市場被美日韓三國壟斷。而標準化檢測驗證平台的建立，有助於提高國內隔離膜廠商產品的可靠度，公信力，與競爭力。使研發單位能有清楚的規格需求與突破方向。

聯絡人員

蔡麗端

電話

03-5915310

傳真

03-5820442

電子信箱

LiDuanTsai@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

Thickness gauge/Pycometer/SEM/Densometer/Porometer/DMA/TMA/DSC/Goniometer/Potentiostat/Battery system

需具備之專業人才

材料、化工、電化學、機械、電機等相關背景。

同步更新日期

2024-09-03

根據名稱 鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術 找到的相關資料

無其他 鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術 資料。

[ 搜尋所有 鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術 ... ]

根據電話 03-5915310 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915310 ...)

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 | 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

鋁晶片電容器單元電極技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為... | 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

導電高分子固態電容器材料及製程技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

多孔性結構電極成型及其燒結技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 | 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

晶片電容器單元電極技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80... | 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 | 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

鋁晶片電容器單元電極技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為... | 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

導電高分子固態電容器材料及製程技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

多孔性結構電極成型及其燒結技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 | 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

晶片電容器單元電極技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80... | 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-5915310 ... ]

在『經濟部產業技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與鋰電池隔離膜與全電池檢測驗證技術同分類的經濟部產業技術司可移轉技術資料集

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API：1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services；Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%，降低5%的生產成本，縮短10%的Time-to-market，提升產品出貨量達3%。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API：1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services；Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%，降低5%的生產成本，縮短10%的Time-to-market，提升產品出貨量達3%。

　|