大客車車身鋁合金結構之銲接方法與流程(國立屏東科技大學車輛工程系)
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文大客車車身鋁合金結構之銲接方法與流程(國立屏東科技大學車輛工程系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是1.車身結構之銲接參數設定。2.車身結構之銲接程序。3.車身結構之銲接品質檢驗。, 潛力預估是車輛製造.

序號	4358
產出年度	99
技術名稱-中文	大客車車身鋁合金結構之銲接方法與流程(國立屏東科技大學車輛工程系)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	具實用性，可技術授權
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.車身結構之銲接參數設定。2.車身結構之銲接程序。3.車身結構之銲接品質檢驗。
技術成熟度	量產
可應用範圍	大(小)客車、卡車、汽機車等車身結構之銲接。
潛力預估	車輛製造
聯絡人員	鍾諠芃小姐
電話	(08)-7740174
傳真	(08)-7740158
電子信箱	yung5825@mail.npust.edu.tw
參考網址	http://ord.npust.edu.tw/technology/
所須軟硬體設備	汽機車、卡車零件製造設備
需具備之專業人才	熟悉車體結構銲結
同步更新日期	2024-09-03

序號

4358

產出年度

技術名稱-中文

大客車車身鋁合金結構之銲接方法與流程(國立屏東科技大學車輛工程系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

具實用性，可技術授權

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.車身結構之銲接參數設定。2.車身結構之銲接程序。3.車身結構之銲接品質檢驗。

技術成熟度

量產

可應用範圍

大(小)客車、卡車、汽機車等車身結構之銲接。

潛力預估

車輛製造

聯絡人員

鍾諠芃小姐

電話

(08)-7740174

傳真

(08)-7740158

電子信箱

yung5825@mail.npust.edu.tw

參考網址

http://ord.npust.edu.tw/technology/

所須軟硬體設備

汽機車、卡車零件製造設備

需具備之專業人才

熟悉車體結構銲結

同步更新日期

2024-09-03

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逆向差速齒輪式車輛複合動力系統(國立屏東科技大學車輛工程系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用差速齒輪做為動力分配機構與系統電子控制單元，讓不同動力源能根據不同的行車狀態來作動力的結合與分配，並讓各動力模組能在最佳的效率或最低污染範圍內運轉與工作，使整體車輛符合低油耗與低污染的最終目的。 \| 潛力預估: 車輛製造 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
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逆向差速齒輪式混合動力裝置控制模組之模擬測試方法(國立屏東科技大學車輛工程系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術利用一中央處理單元、一能量管理裝置、一通訊裝置及一車輛動態模擬裝置模擬一車輛之各個動力裝置在實際運轉情況下之動態操作特性。 \| 潛力預估: 車輛製造 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
多晶矽平坦化技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 \| 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
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合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。
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相變化記憶體元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... \| 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) \| 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

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