高阻氣性基板製程技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文高阻氣性基板製程技術的執行單位是工研院顯示中心, 產出年度是100, 計畫名稱是新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫, 技術規格是1.高阻氣性軟性基板，取下製程良率≧90% (取樣數33) 2.可任意多邊形之圖案化，離型層圖案化之尺寸偏差≦3mm 3.耐撓曲之阻水氣能力：WVTR~5×10^-6g/m^2/day@r=5cm/ 5,000次, 潛力預估是加值軟性基板研發完整性，以利軟性電子產品之開發。.

序號	5154
產出年度	100
技術名稱-中文	高阻氣性基板製程技術
執行單位	工研院顯示中心
產出單位	(空)
計畫名稱	新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	建立軟性基板製程標準並持續提昇取下良率，開發多邊形之基板製程技術，同時研發具可撓性的阻水氣層技術與軟性基板整合之製程技術。並建立相關可撓性Gas Barrier的評估機制，此一關鍵基礎技術，將可協助廠商建立關鍵性高阻氣軟性基板技術之研發及量測平台，對於開發軟性AMOLED顯示器將具有決定性的幫助及影響。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.高阻氣性軟性基板，取下製程良率≧90% (取樣數33) 2.可任意多邊形之圖案化，離型層圖案化之尺寸偏差≦3mm 3.耐撓曲之阻水氣能力：WVTR~5×10^-6g/m^2/day@r=5cm/ 5,000次
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	電子紙、OLED、Solar cell及相關軟性電子產品。
潛力預估	加值軟性基板研發完整性，以利軟性電子產品之開發。
聯絡人員	李中禕
電話	03-5914195
傳真	03-5913482
電子信箱	leechungi@itri.org.tw
參考網址	http://-
所須軟硬體設備	具薄膜封裝製程與塗佈製程相關經驗。
需具備之專業人才	具薄膜封裝製程與塗佈製程相關經驗。
同步更新日期	2019-07-24

序號

5154

產出年度

100

技術名稱-中文

高阻氣性基板製程技術

執行單位

工研院顯示中心

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

建立軟性基板製程標準並持續提昇取下良率，開發多邊形之基板製程技術，同時研發具可撓性的阻水氣層技術與軟性基板整合之製程技術。並建立相關可撓性Gas Barrier的評估機制，此一關鍵基礎技術，將可協助廠商建立關鍵性高阻氣軟性基板技術之研發及量測平台，對於開發軟性AMOLED顯示器將具有決定性的幫助及影響。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.高阻氣性軟性基板，取下製程良率≧90% (取樣數33) 2.可任意多邊形之圖案化，離型層圖案化之尺寸偏差≦3mm 3.耐撓曲之阻水氣能力：WVTR~5×10^-6g/m^2/day@r=5cm/ 5,000次

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

電子紙、OLED、Solar cell及相關軟性電子產品。

潛力預估

加值軟性基板研發完整性，以利軟性電子產品之開發。

聯絡人員

李中禕

電話

03-5914195

傳真

03-5913482

電子信箱

leechungi@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

具薄膜封裝製程與塗佈製程相關經驗。

需具備之專業人才

具薄膜封裝製程與塗佈製程相關經驗。

同步更新日期

2019-07-24

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軟性有機主動面板技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: *1. 6”軟性彩色 AMOLED顯示器 2. color：4 bits 3. Resolution：320RGB240 4. Brightness：150 nit* \| 潛力預估: 本技術展示全台第一片可動態彎曲顯示之主動式彩色有機發光二極體顯示器，其撓曲半徑可達5cm以下。本技術未來可適用於4代以上之量產線。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
可撓式電子裝置的轉移結構及可撓式電子裝置的製造方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性資訊顯示系統與應用技術開發計畫 \| 專利發明人: 蔡寶鳴、江良祐、張悠揚、李宏元 \| 證書號碼: ZL200910127232.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性資訊顯示系統與應用技術開發計畫 \| 專利發明人: 蔡寶鳴、江良祐、張悠揚、李宏元 \| 證書號碼: I419091 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性資訊顯示系統與應用技術開發計畫 \| 專利發明人: 蔡寶鳴、江良祐、張悠揚、李宏元 \| 證書號碼: 8715802 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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軟性基板製程技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: *(1)軟性基板材質︰PI；(2)規格︰厚度20~75μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20Å，基板翹曲量小於2mm@370mm470mm2.8mm玻璃載板...* \| 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元，此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公布資料，全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
軟性非晶矽電晶體及顯示陣列設計技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)規格︰曲率半徑≦5cm；Ion/Ioff＞10(4次方)；Before Debounding Vth≦5V；Under Bending △Vth≦3.5V；Saturation Mobility... \| 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT，且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
軟性非晶矽電晶體及顯示陣列設計技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.15... \| 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5c... \| 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
單基板軟性觸控薄膜	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: *TCO：ITO 膜厚：< 50nm 片電阻值：< 25Ω/□ 感測模組：投射式電容光學穿透率：85%以上 b：≦2** \| 潛力預估: 隨著電子書應用市場的興起，2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元，此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公布資料，全球應用於... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
軟性基板製程技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 軟性基板材質：PI (2) 規格︰厚度15μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20?，基板翹曲量小於1.5mm@370mmx470mmx0.7mm玻璃載板，取下外觀... \| 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元。此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公佈資料，全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm，Ion/Ioff＞10E4，Before De-bonding Vth≦5V，Under Bending ΔVth≦3.5V，Saturation Mobility≧0.5... \| 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
顯示互動元件與驅動技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: *1. Size：6” 2. Thickness：< 30μm 3. Transparency：≧ 85% 4. CIE: (a,b) ＜ 5 5. Bending Test Be...** \| 潛力預估: 為目前世界首創軟性觸控自發光顯示薄膜技術，此技術具有可大型化、輕量化及易貼合等優點。本技術可應用於高畫質彩色化捲軸式顯示器、曲面顯示器及軟性電子閱讀器等產品。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性基板製程技術

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與高阻氣性基板製程技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等
LTPS TFT Display相關電路設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) \| 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區...
高導電導線技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% \| 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場接受性高
半穿透/反射式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代現行2-gap技術
半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga \| 潛力預估: 可取代現行2-gap技術
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: one \| 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT...
LTPS光罩Reduction技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 \| 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接...
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。
具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 \| 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用
軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。