MEMS 3D封裝技術
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技術名稱-中文MEMS 3D封裝技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是100, 計畫名稱是南部產業共同實驗室環境建構計畫, 技術規格是Aspect ratio > 20；( for Via diameter= 20μm), 潛力預估是Wafer bonding : Copper to Copper.

序號5212
產出年度100
技術名稱-中文MEMS 3D封裝技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業共同實驗室環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供MEMS 元件、光電元件及電子元件等晶圓級封裝所需之製程封裝技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Aspect ratio > 20；( for Via diameter= 20μm)
技術成熟度Seed layer > 5:1 (Dia. 20mm
可應用範圍Deep 100mm)
潛力預估Wafer bonding : Copper to Copper
聯絡人員Temporary wafer bonding
電話實驗室階段
傳真可應用於微機電元件(如麥克風 、加速度計)、光電元件(如CMOS image sensor等)、電子產品堆疊封裝(如DRAM等)
電子信箱應用廠商如3C電子封裝廠商、微機電代工廠商、光電元件封裝廠商
參考網址http://范玉玟
所須軟硬體設備06-3847123
需具備之專業人才06-3847294
同步更新日期2024-09-03

序號

5212

產出年度

100

技術名稱-中文

MEMS 3D封裝技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業共同實驗室環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

提供MEMS 元件、光電元件及電子元件等晶圓級封裝所需之製程封裝技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Aspect ratio > 20；( for Via diameter= 20μm)

技術成熟度

Seed layer > 5:1 (Dia. 20mm

可應用範圍

Deep 100mm)

潛力預估

Wafer bonding : Copper to Copper

聯絡人員

Temporary wafer bonding

電話

實驗室階段

傳真

可應用於微機電元件(如麥克風 、加速度計)、光電元件(如CMOS image sensor等)、電子產品堆疊封裝(如DRAM等)

電子信箱

應用廠商如3C電子封裝廠商、微機電代工廠商、光電元件封裝廠商

參考網址

http://范玉玟

所須軟硬體設備

06-3847123

需具備之專業人才

06-3847294

同步更新日期

2024-09-03

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MEMS 3D封裝技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業共同實驗室環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Aspect ratio > 20；( for Via diameter= 20μm) | 潛力預估: Wafer bonding : Copper to Copper

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MEMS 3D封裝技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業共同實驗室環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Aspect ratio > 20；( for Via diameter= 20μm) | 潛力預估: Wafer bonding : Copper to Copper

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癌症抗原TMCC3單株抗體開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 包含單株抗體篩選、抗體特性分析、抗體人源化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下: 已證明抗TMCC3單株抗體可抑制TMCC3 高度表現細胞株的生長，in vtro可毒殺癌細胞，且對高度表現的肝癌細... | 潛力預估: 已篩選出具毒殺效力之抗體藥物，完成藥物先期細胞毒殺測試，104年已推展至抗體人源化工程及進行動物異體移植腫瘤試驗階段的測試，以開發具市場價值之新藥為目標，期於未來能推展至IND及臨床試驗階段，並技術移...

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癌症幹細胞抗原TMCC3單株抗體開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 免疫治療生技藥物開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 包含單株抗體篩選、抗體特性分析、抗體人源化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下:已證明抗TMCC3單株抗體可抑制TMCC3高度表現細胞株的生長；In vitro可毒殺癌細胞，且對高度表現的肝癌細胞... | 潛力預估: 已篩選出具毒殺效力之抗體藥物，完成藥物先期細胞毒殺測試，目前已完成抗體人源化工程及動物異體移植腫瘤試驗階段的測試。以開發具市場價值之新藥為目標，期於未來能推展至IND及臨床試驗階段，並技術移轉廠商，帶...

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抗血纖維蛋白溶酶原接受器ENO-1單株抗體開發技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 包含單株抗體篩選技術、抗體特性分析、抗體最適化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下: 證明抗體抑制ENO-1生化活性in vivo可降低肺癌細胞轉移，且對風濕性關節炎及多發性硬化症之治療具有可行性... | 潛力預估: 已篩選出新型之抗體藥物，完成臨床前期開發的先期測試，依規劃將推展至IND申請及臨床試驗階段的開發，以開發具市場價值之新藥為目標，且亦有廠商接洽並議約中，正努力促成技轉合約之簽訂成功。

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聚乙二醇介白素-1受器拮抗劑抗發炎藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 生技中心創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 進行新型聚乙二醇單體之開發，分別在活性連接部位、橋接部位及聚乙二醇型式進行改良，其中在分支型聚乙二醇單體上開發出對稱及不對稱分支型聚乙二醇單體，可供需要不同分子量聚乙二醇修飾之藥物使用。 2.... | 潛力預估: 將可以競爭全球類風濕性關節炎，慢性痛風，骨關節炎市場。另所開發聚乙二醇多體(Polymer of PEG)技術亦可提供其他蛋白藥物改良與穩定性改善。

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抗血纖維蛋白溶?原接受器ENO-1單株抗體開發技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 包含單株抗體篩選技術、抗體特性分析、抗體最適化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下:證明抗體抑制ENO-1生化活性in vivo可降低肺癌細胞轉移，利用開發之affinity maturation... | 潛力預估: 已篩選出新型之抗體藥物，進一步完成臨床前期的開發與評估，尋求合作廠商，進行IND申請及臨床試驗階段的開發，開發具市場價值之新藥。

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特殊難熔金屬精煉純化技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 1.精進與改良金屬材料電子束電氣精煉設備與純化技術。 2.使熔煉(熔池)系統溫度可>3200℃、能源使用率>70%、殘氧O<100ppmw。 3.使耐火(難熔)金屬廢材(鉬Mo)回收精煉純化可達4N以... | 潛力預估: 1.使國內廠商建立高純高階材料技術相關知識與技術基礎。 2.使國內廠商建立高階電氣精煉設備之規格設計能力。 3.使國內傳統基本金屬冶煉業者競爭力層次，由被動型之累積專業實務經驗，提升至具備主動型之反應...

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雙特異性單株抗體藥物技術平台

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發雙特異性抗體與優化製程和分析等技術平台，目前已開發方向與技術規格如下:本計畫選定已具有市場驗證之標的，經由單株抗體篩選、抗體最適化、抗體活性與親和性增進、抗體人源化進行藥品修飾等，進而開發生物改良... | 潛力預估: 已篩選出新型之抗體藥物，將進一步進行lead optimization，且亦積極尋求具技轉意願之廠商，以期其未來能推展至IND及臨床試驗階段，進而開發出具市場價值之新藥。

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急性心肌梗塞檢測試劑

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 個體化診療醫材關鍵技術開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 干擾物影響<10% 專一性影響<0.01% 最低偵測濃度：TnI:<10pg/ml, CK-MB:<0.2ng/ml 偵測範圍：TnI:<0-70ng/ml, CK-MB:<0-150ng/ml 精密... | 潛力預估: 1. 根據Kalorama Information 2016發布的市場報告，2016年全球體外診斷產值有605億美元，其中實驗室(lab-based)免疫檢測(感染性疾病除外)產值為80億美元，心血管...

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癌症抗原TMCC3單株抗體開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 包含單株抗體篩選、抗體特性分析、抗體人源化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下: 已證明抗TMCC3單株抗體可抑制TMCC3 高度表現細胞株的生長，in vtro可毒殺癌細胞，且對高度表現的肝癌細... | 潛力預估: 已篩選出具毒殺效力之抗體藥物，完成藥物先期細胞毒殺測試，104年已推展至抗體人源化工程及進行動物異體移植腫瘤試驗階段的測試，以開發具市場價值之新藥為目標，期於未來能推展至IND及臨床試驗階段，並技術移...

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癌症幹細胞抗原TMCC3單株抗體開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 免疫治療生技藥物開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 包含單株抗體篩選、抗體特性分析、抗體人源化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下:已證明抗TMCC3單株抗體可抑制TMCC3高度表現細胞株的生長；In vitro可毒殺癌細胞，且對高度表現的肝癌細胞... | 潛力預估: 已篩選出具毒殺效力之抗體藥物，完成藥物先期細胞毒殺測試，目前已完成抗體人源化工程及動物異體移植腫瘤試驗階段的測試。以開發具市場價值之新藥為目標，期於未來能推展至IND及臨床試驗階段，並技術移轉廠商，帶...

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抗血纖維蛋白溶酶原接受器ENO-1單株抗體開發技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 包含單株抗體篩選技術、抗體特性分析、抗體最適化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下: 證明抗體抑制ENO-1生化活性in vivo可降低肺癌細胞轉移，且對風濕性關節炎及多發性硬化症之治療具有可行性... | 潛力預估: 已篩選出新型之抗體藥物，完成臨床前期開發的先期測試，依規劃將推展至IND申請及臨床試驗階段的開發，以開發具市場價值之新藥為目標，且亦有廠商接洽並議約中，正努力促成技轉合約之簽訂成功。

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聚乙二醇介白素-1受器拮抗劑抗發炎藥物開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 生技中心創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 進行新型聚乙二醇單體之開發，分別在活性連接部位、橋接部位及聚乙二醇型式進行改良，其中在分支型聚乙二醇單體上開發出對稱及不對稱分支型聚乙二醇單體，可供需要不同分子量聚乙二醇修飾之藥物使用。 2.... | 潛力預估: 將可以競爭全球類風濕性關節炎，慢性痛風，骨關節炎市場。另所開發聚乙二醇多體(Polymer of PEG)技術亦可提供其他蛋白藥物改良與穩定性改善。

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抗血纖維蛋白溶?原接受器ENO-1單株抗體開發技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 包含單株抗體篩選技術、抗體特性分析、抗體最適化等技術平台。目前已開發方向與技術規格如下:證明抗體抑制ENO-1生化活性in vivo可降低肺癌細胞轉移，利用開發之affinity maturation... | 潛力預估: 已篩選出新型之抗體藥物，進一步完成臨床前期的開發與評估，尋求合作廠商，進行IND申請及臨床試驗階段的開發，開發具市場價值之新藥。

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特殊難熔金屬精煉純化技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 1.精進與改良金屬材料電子束電氣精煉設備與純化技術。 2.使熔煉(熔池)系統溫度可>3200℃、能源使用率>70%、殘氧O<100ppmw。 3.使耐火(難熔)金屬廢材(鉬Mo)回收精煉純化可達4N以... | 潛力預估: 1.使國內廠商建立高純高階材料技術相關知識與技術基礎。 2.使國內廠商建立高階電氣精煉設備之規格設計能力。 3.使國內傳統基本金屬冶煉業者競爭力層次，由被動型之累積專業實務經驗，提升至具備主動型之反應...

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雙特異性單株抗體藥物技術平台

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 蛋白質藥品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發雙特異性抗體與優化製程和分析等技術平台，目前已開發方向與技術規格如下:本計畫選定已具有市場驗證之標的，經由單株抗體篩選、抗體最適化、抗體活性與親和性增進、抗體人源化進行藥品修飾等，進而開發生物改良... | 潛力預估: 已篩選出新型之抗體藥物，將進一步進行lead optimization，且亦積極尋求具技轉意願之廠商，以期其未來能推展至IND及臨床試驗階段，進而開發出具市場價值之新藥。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

急性心肌梗塞檢測試劑

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 個體化診療醫材關鍵技術開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 干擾物影響<10% 專一性影響<0.01% 最低偵測濃度：TnI:<10pg/ml, CK-MB:<0.2ng/ml 偵測範圍：TnI:<0-70ng/ml, CK-MB:<0-150ng/ml 精密... | 潛力預估: 1. 根據Kalorama Information 2016發布的市場報告，2016年全球體外診斷產值有605億美元，其中實驗室(lab-based)免疫檢測(感染性疾病除外)產值為80億美元，心血管...

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MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API：1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services；Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%，降低5%的生產成本，縮短10%的Time-to-market，提升產品出貨量達3%。

行動影音傳輸整合工具

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 受限於頻寬與行動裝置的能力，多媒體內容在行動裝置上的應用一直受限，目前警局限於靜態圖片與語音資料。本技術提供有效率、高畫質之行動裝置多媒體solution，保含多媒體簡訊、視訊壓縮、視訊轉碼、視訊串流... | 潛力預估: 協助技轉廠商運用MPEG4影音技術研發成果，開發視訊會議、視訊編輯、PDA軟體、手機線上遊戲等多媒體軟體及視訊晶片產品，自主掌握關鍵技術，降低國內廠商產品開發成本。

行動終端平台3D線上互動引擎

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 行動終端平台 3D 場景漸進載入技術、行動終端平台 3D 物件場景管理技術、行動終端平台自動貼圖資源管理技術、行動網路環境 3D 內容下載技術、行動網路環境線上多互動 SESSION 管理技術、行動終... | 潛力預估: 應用行動終端平台3D線上互動引擎可加速內容廠商開發時程，降低開發成本，並帶起新的手機應用程式及新一代的界面，有利國內手機廠推行其獨特的手機，提供在世界上的市佔率。

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API：1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services；Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%，降低5%的生產成本，縮短10%的Time-to-market，提升產品出貨量達3%。

行動影音傳輸整合工具

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 受限於頻寬與行動裝置的能力，多媒體內容在行動裝置上的應用一直受限，目前警局限於靜態圖片與語音資料。本技術提供有效率、高畫質之行動裝置多媒體solution，保含多媒體簡訊、視訊壓縮、視訊轉碼、視訊串流... | 潛力預估: 協助技轉廠商運用MPEG4影音技術研發成果，開發視訊會議、視訊編輯、PDA軟體、手機線上遊戲等多媒體軟體及視訊晶片產品，自主掌握關鍵技術，降低國內廠商產品開發成本。

行動終端平台3D線上互動引擎

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 行動終端平台 3D 場景漸進載入技術、行動終端平台 3D 物件場景管理技術、行動終端平台自動貼圖資源管理技術、行動網路環境 3D 內容下載技術、行動網路環境線上多互動 SESSION 管理技術、行動終... | 潛力預估: 應用行動終端平台3D線上互動引擎可加速內容廠商開發時程，降低開發成本，並帶起新的手機應用程式及新一代的界面，有利國內手機廠推行其獨特的手機，提供在世界上的市佔率。

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