飛秒雷射薄膜結晶模組技術
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技術名稱-中文飛秒雷射薄膜結晶模組技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是100, 計畫名稱是飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫, 技術規格是於雷射能量足夠下，能提高製作直接圖案化速度2~5倍(600 mm/sec)。, 潛力預估是以分光模組安裝於現成光路提高製程速度.

序號	5275
產出年度	100
技術名稱-中文	飛秒雷射薄膜結晶模組技術
執行單位	工研院南分院
產出單位	(空)
計畫名稱	飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	透過繞射光學元件，在薄膜材料上同時進行多點改質，提高製作直接圖案化速度。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	於雷射能量足夠下，能提高製作直接圖案化速度2~5倍(600 mm/sec)。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	應用於薄膜光電產品製作，在材料表面產生一新的光電性質與物理特性。
潛力預估	以分光模組安裝於現成光路提高製程速度
聯絡人員	廖金二
電話	06-6939109
傳真	06-6939056
電子信箱	artliao@itri.org.tw
參考網址	http://airp.org.tw/iars/1001223/index.htm
所須軟硬體設備	雷射設備
需具備之專業人才	雷射掃瞄加工基礎知識
同步更新日期	2024-09-03

序號

5275

產出年度

100

技術名稱-中文

飛秒雷射薄膜結晶模組技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

透過繞射光學元件，在薄膜材料上同時進行多點改質，提高製作直接圖案化速度。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

於雷射能量足夠下，能提高製作直接圖案化速度2~5倍(600 mm/sec)。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

應用於薄膜光電產品製作，在材料表面產生一新的光電性質與物理特性。

潛力預估

以分光模組安裝於現成光路提高製程速度

聯絡人員

廖金二

電話

06-6939109

傳真

06-6939056

電子信箱

artliao@itri.org.tw

參考網址

http://airp.org.tw/iars/1001223/index.htm

所須軟硬體設備

雷射設備

需具備之專業人才

雷射掃瞄加工基礎知識

同步更新日期

2024-09-03

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雷射圖案製程應用技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.光學解析度: 3 um_x000D_2.Optical resolution : 3 um_x000D_3.加工材料: TCO, Metal/Organic layers_x000D_4.材料厚度... \| 潛力預估: 可撓式顯示器、薄膜式太陽電池、軟性電子製造商及相關設備開發商 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
軟板對位與封裝設備技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.連續式基板寬度≧250mm_x000D_2.對位精度±2.5μm_x000D_3.張力偏差：±0.5% / 50kgf_x000D_4.導正速率：60mm/sec_x000D_5.解析0.5μm \| 潛力預估: 軟性顯示器、軟性電子產品、軟性電路板、軟性太陽電池設備業者 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
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軟板對位與封裝設備技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 連續式基材寬度300mm 水平對位精度 ±2.5μm 動態補償誤差20μm \| 潛力預估: 可協助自動化設備業者、軟電製程及設備業者、及顯示器設備業者提升相關技術。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
有機薄膜封裝技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel size：370mm×470mm 基板材質：Glass、PI 對位精度：±10um 製程溫度：＜100℃ 均勻度：＜±5％ \| 潛力預估: 預計可協助軟性電子/顯示器、太陽光電等應用廠商提升相關技術。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈秒脈衝光纖雷射技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 \| 領域: \| 技術規格: 雷射尖端功率(Maximum Peak Power): 1500 W 雷射脈衝能量：0.19 mJ 雷射波長（Wavelength）: 1064 nm 雷射頻寬（Bandwidth， FWHM）: ≦... \| 潛力預估: 預計可應用於雷射精密加工、及半導體等產業。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
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複合材料發射管製作	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一以纖維強化塑膠（FRP）一體成型所繞製而成，且內部具有四條向左旋之導軌之中空管體。 \| 潛力預估: 軍用各型火箭發射器
複材天線模組製作	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm ˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm，深度大於3 mm，尺寸精度高於在±0.05 mm以內，表面粗度 Ra 6.3以內 ˙複材... \| 潛力預估: 可應用於各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡，具衍生應用價值
高性能抗彈陶瓷板試製及小批量產技術開發研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 \| 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元
通訊用燃料電池模組應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
質子交換膜燃料電池應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
玻璃融封零組件應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 \| 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。
微波吸收材應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 \| 潛力預估: 生產所需機具成本較高。
真空機械手臂開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 \| 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
集束型製程設備真空輸送平台系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm \| 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
半導體基材輸送設備控制器開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 \| 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換
磁性流體軸封開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封 \| 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
磁性聯軸器設計開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m \| 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
半導體前段設備標準通標模組	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 \| 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗