高附著性硼氫化鈉產氫觸媒
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技術名稱-中文高附著性硼氫化鈉產氫觸媒的執行單位是中科院材料所, 產出年度是101, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展第二期計畫, 技術規格是所製備之高附著性觸媒,在15%之NaBH4溶液中,以43 kHz,150 W的超音波震盪兩小時,其重量損失小於5 %。, 潛力預估是.

序號5593
產出年度101
技術名稱-中文高附著性硼氫化鈉產氫觸媒
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱奈米材料及製程技術發展第二期計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文配合氫燃料電池開發化學氫奈米產氫觸媒,並藉由配方的調整達到高附著性的功效,減少產氫過程中觸媒的損耗,提高整體流床之效能。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格所製備之高附著性觸媒,在15%之NaBH4溶液中,以43 kHz,150 W的超音波震盪兩小時,其重量損失小於5 %。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍奈米技術
潛力預估
聯絡人員陳柏延
電話02-26712711#313860
傳真03-4711024
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址http://無
所須軟硬體設備化學製造設備
需具備之專業人才化學化工、材料
同步更新日期2019-07-24

序號

5593

產出年度

101

技術名稱-中文

高附著性硼氫化鈉產氫觸媒

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展第二期計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

配合氫燃料電池開發化學氫奈米產氫觸媒,並藉由配方的調整達到高附著性的功效,減少產氫過程中觸媒的損耗,提高整體流床之效能。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

所製備之高附著性觸媒,在15%之NaBH4溶液中,以43 kHz,150 W的超音波震盪兩小時,其重量損失小於5 %。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

奈米技術

潛力預估

聯絡人員

陳柏延

電話

02-26712711#313860

傳真

03-4711024

電子信箱

hohh@csnet.gov.tw

參考網址

http://無

所須軟硬體設備

化學製造設備

需具備之專業人才

化學化工、材料

同步更新日期

2019-07-24

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高附著性硼氫化鈉產氫觸媒

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 所製備之高附著性觸媒,在15%之NaBH4溶液中,以43 kHz,150 W的超音波震盪兩小時,其重量損失小於5 %。 | 潛力預估:

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高附著性硼氫化鈉產氫觸媒

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 所製備之高附著性觸媒,在15%之NaBH4溶液中,以43 kHz,150 W的超音波震盪兩小時,其重量損失小於5 %。 | 潛力預估:

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高附著性硼氫化鈉產氫觸媒

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 所製備之高附著性觸媒,在15%之NaBH4溶液中,以43 kHz,150 W的超音波震盪兩小時,其重量損失小於5 %。 | 潛力預估:

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高附著性硼氫化鈉產氫觸媒

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 所製備之高附著性觸媒,在15%之NaBH4溶液中,以43 kHz,150 W的超音波震盪兩小時,其重量損失小於5 %。 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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高導熱石墨紙成形技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 可控制厚度在30~100微米等級 | 潛力預估:

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高導熱石墨紙成形技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 可控制厚度在30~100微米等級 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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高導熱石墨紙成形技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: | 技術規格: 可控制厚度在30~100微米等級 | 潛力預估:

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高導熱石墨紙成形技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 可控制厚度在30~100微米等級 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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石墨紙增厚技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 以高溫法膨脹柔性石墨粉,獲得易加工的膨脹石墨粉,再以壓合技術壓製成紙狀。 | 潛力預估:

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HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)空間解析度:7.7 μm。(2)深度範圍:< 200μm。 | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

光纖干涉式位置感測器

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:1nm | 潛力預估: 可搶攻非接觸位置感測器市場

控制奈米碳管長度之方法與裝置

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Tip length | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場

創新壓電管驅動器技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3D nano-imaging. | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡探針市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)空間解析度:7.7 μm。(2)深度範圍:< 200μm。 | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

光纖干涉式位置感測器

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:1nm | 潛力預估: 可搶攻非接觸位置感測器市場

控制奈米碳管長度之方法與裝置

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Tip length | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場

創新壓電管驅動器技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3D nano-imaging. | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡探針市場

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