微奈米化產品配方設計與安全/功能評估技術
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技術名稱-中文微奈米化產品配方設計與安全/功能評估技術的執行單位是食品所, 產出年度是102, 計畫名稱是新興食品機能加值製程技術研發與應用四年計畫, 技術規格是1.配方設計:分散濃度≧10% w/v;分散劑相對使用量≦50% w/w;平均粒徑≦450nm, D90/Dave≦5;流動性指標≧0.90。 2.安全/功能評估:細胞/基因毒性、亞急毒,抗發炎、神經保護與分散/穩定指標等。, 潛力預估是藉由微細化改善素材的口感、加工與儲存適性,增進營養物質利用與降低添加物使用,有助於推展富含植化素等保健機能成分應用,開發高值化改善代謝症候群與銀髮族食品。另使用高濃度、高生物利用率、低添加物的新型磷脂複合物製備技術,預估可降低10%以上製程成本,建立一運用食品奈米技術之新產業,並配合功能性評估,以創....

序號6013
產出年度102
技術名稱-中文微奈米化產品配方設計與安全/功能評估技術
執行單位食品所
產出單位(空)
計畫名稱新興食品機能加值製程技術研發與應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文藉由食品級分散劑的篩選,與介質研磨製程調整,已建立高濃度(≧10%w/v)奈米/次微米疏水性保健機能成分水相分散技術,並參考歐盟風險評估與ISO物化分析指導,遵照台灣方法草案進行奈米食品安全性評估。已分析其生物利用率、相關物化性質,並已進行過28天亞急性餵食毒性試驗及神經保護細胞與動物試驗。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.配方設計:分散濃度≧10% w/v;分散劑相對使用量≦50% w/w;平均粒徑≦450nm, D90/Dave≦5;流動性指標≧0.90。 2.安全/功能評估:細胞/基因毒性、亞急毒,抗發炎、神經保護與分散/穩定指標等。
技術成熟度試量產
可應用範圍保健食品與配料業、生技醫藥產業、化妝品業以及精緻農業,應用於改善機能成分之操作適性(溶解度、穩定性等)、感官品質(顏色、風味、口感等)與機能性質(吸收性等)。
潛力預估藉由微細化改善素材的口感、加工與儲存適性,增進營養物質利用與降低添加物使用,有助於推展富含植化素等保健機能成分應用,開發高值化改善代謝症候群與銀髮族食品。另使用高濃度、高生物利用率、低添加物的新型磷脂複合物製備技術,預估可降低10%以上製程成本,建立一運用食品奈米技術之新產業,並配合功能性評估,以創造差異化,進行產品加值。
聯絡人員陳仲仁研究員、陳如茵研究員
電話03-5223191#243、289
傳真03-5214016
電子信箱jen@firdi.org.tw、ryc@firdi.org.tw
參考網址http://www.firdi.org.tw/transfer/transfer.htm
所須軟硬體設備高壓均質機、介質研磨機
需具備之專業人才食品加工/工程、化學工程、生物技術

序號

6013

產出年度

102

技術名稱-中文

微奈米化產品配方設計與安全/功能評估技術

執行單位

食品所

產出單位

(空)

計畫名稱

新興食品機能加值製程技術研發與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

藉由食品級分散劑的篩選,與介質研磨製程調整,已建立高濃度(≧10%w/v)奈米/次微米疏水性保健機能成分水相分散技術,並參考歐盟風險評估與ISO物化分析指導,遵照台灣方法草案進行奈米食品安全性評估。已分析其生物利用率、相關物化性質,並已進行過28天亞急性餵食毒性試驗及神經保護細胞與動物試驗。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.配方設計:分散濃度≧10% w/v;分散劑相對使用量≦50% w/w;平均粒徑≦450nm, D90/Dave≦5;流動性指標≧0.90。 2.安全/功能評估:細胞/基因毒性、亞急毒,抗發炎、神經保護與分散/穩定指標等。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

保健食品與配料業、生技醫藥產業、化妝品業以及精緻農業,應用於改善機能成分之操作適性(溶解度、穩定性等)、感官品質(顏色、風味、口感等)與機能性質(吸收性等)。

潛力預估

藉由微細化改善素材的口感、加工與儲存適性,增進營養物質利用與降低添加物使用,有助於推展富含植化素等保健機能成分應用,開發高值化改善代謝症候群與銀髮族食品。另使用高濃度、高生物利用率、低添加物的新型磷脂複合物製備技術,預估可降低10%以上製程成本,建立一運用食品奈米技術之新產業,並配合功能性評估,以創造差異化,進行產品加值。

聯絡人員

陳仲仁研究員、陳如茵研究員

電話

03-5223191#243、289

傳真

03-5214016

電子信箱

jen@firdi.org.tw、ryc@firdi.org.tw

參考網址

http://www.firdi.org.tw/transfer/transfer.htm

所須軟硬體設備

高壓均質機、介質研磨機

需具備之專業人才

食品加工/工程、化學工程、生物技術

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300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

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