LTE行動通訊PHY baseband技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文LTE行動通訊PHY baseband技術的執行單位是工研院資通所, 產出年度是102, 計畫名稱是新世代行動通訊技術發展計畫, 技術規格是符合3GPP LTE R9標準規範, 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA, 潛力預估是3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。.

序號6298
產出年度102
技術名稱-中文LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合3GPP LTE R9標準規範, 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。
同步更新日期2023-07-22

序號

6298

產出年度

102

技術名稱-中文

LTE行動通訊PHY baseband技術

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代行動通訊技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

符合3GPP LTE R9標準規範, 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。

潛力預估

3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。

聯絡人員

陳俊吉

電話

03-5914465

傳真

03-5820240

電子信箱

idchen@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

無線通訊晶片開發設備

需具備之專業人才

熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。

同步更新日期

2023-07-22

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# LTE行動通訊PHY baseband技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號5103
產出年度100
技術名稱-中文LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合3GPP LTE R9標準規範。 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
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所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。
序號: 5103
產出年度: 100
技術名稱-中文: LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合3GPP LTE R9標準規範。 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估: 3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
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所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才: 熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。

# LTE行動通訊PHY baseband技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號5746
產出年度101
技術名稱-中文LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合3GPP LTE R9標準規範, 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
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所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備。
需具備之專業人才熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。
序號: 5746
產出年度: 101
技術名稱-中文: LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合3GPP LTE R9標準規範, 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估: 3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
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所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備。
需具備之專業人才: 熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。
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# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號5116
產出年度100
技術名稱-中文下世代WiMAX行動通訊baseband技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文依據IEEE 802.16m之規範,完成MAC Protocol設計。 符合IEEE 802.16m D10版規格。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合IEEE 802.16m基本功能要求。
技術成熟度雛型
可應用範圍1. 行動通訊協定與系統設計 2. 下世代WiMAX行動通訊
潛力預估WiMAX為我國投入大量資源發展之產業,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才1. 具備通訊基頻演算法設計者 2. 熟悉OFMDA技術者
序號: 5116
產出年度: 100
技術名稱-中文: 下世代WiMAX行動通訊baseband技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 依據IEEE 802.16m之規範,完成MAC Protocol設計。 符合IEEE 802.16m D10版規格。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合IEEE 802.16m基本功能要求。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 1. 行動通訊協定與系統設計 2. 下世代WiMAX行動通訊
潛力預估: WiMAX為我國投入大量資源發展之產業,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
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所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才: 1. 具備通訊基頻演算法設計者 2. 熟悉OFMDA技術者

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號5190
產出年度100
技術名稱-中文衛星通訊接收機基頻技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文可解調衛星訊號。 有真正field try過,可以清楚解出衛星訊號的QPSK星狀點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合MF-TDMA的通訊標準
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍須接收衛星訊號之相關產業
潛力預估此技術針對衛星訊號進行解調,為特定需求之應用技術,應用潛力低。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才熟悉無線通訊技術、衛星通訊相關技術者。
序號: 5190
產出年度: 100
技術名稱-中文: 衛星通訊接收機基頻技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 可解調衛星訊號。 有真正field try過,可以清楚解出衛星訊號的QPSK星狀點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合MF-TDMA的通訊標準
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 須接收衛星訊號之相關產業
潛力預估: 此技術針對衛星訊號進行解調,為特定需求之應用技術,應用潛力低。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才: 熟悉無線通訊技術、衛星通訊相關技術者。

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號5446
產出年度101
技術名稱-中文可見光通訊平台
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用LED傳送IP封包,可做為兼具照明與無線上網之接取點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格可在3公尺的距離下達到22.5 Mbps的傳輸率。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍室內無線AP,可用在如居家,辦公室,機場,會議廳等室內場合。
潛力預估可紓解wi-fi頻寬擁擠的問題,以及無法使用wi-fi如醫院,機艙等場合。
聯絡人員陳駿吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備LED傳送接收模祖
需具備之專業人才通訊IC設計人才
序號: 5446
產出年度: 101
技術名稱-中文: 可見光通訊平台
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用LED傳送IP封包,可做為兼具照明與無線上網之接取點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 可在3公尺的距離下達到22.5 Mbps的傳輸率。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 室內無線AP,可用在如居家,辦公室,機場,會議廳等室內場合。
潛力預估: 可紓解wi-fi頻寬擁擠的問題,以及無法使用wi-fi如醫院,機艙等場合。
聯絡人員: 陳駿吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: LED傳送接收模祖
需具備之專業人才: 通訊IC設計人才

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號5456
產出年度101
技術名稱-中文以操作區間為主的最小頻寬資源分配法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文我們所提出的資源分配法是先滿足最小操作區間的AP,再逐一滿足其他操作區間較大的AP,因此可以在同樣的資源下,容納更多AP,達到更高效率的資源利用。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格支援的頻率範圍為30 ~ 1500 MHz,頻寬為536 MHz,可處理的電視通道數量為136個,AP的頻率延展為15 MHz,子載波個數為1024。
技術成熟度概念
可應用範圍本計畫所發展的資源分配演算法可適用於各種TVWS的系統,可用於802.11af、802.15.4m、及802.22等標準(現有的TVWS標準)的資源分配。
潛力預估為國內WiFi及系統廠提供一個演算法驗證的平台。
聯絡人員陳駿吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備Matlab、GNU radio、電腦
需具備之專業人才熟悉Cross-layer演算法設計、資料庫管理、網頁撰寫、Matlab程式開發、GNU radio程式開發之人
序號: 5456
產出年度: 101
技術名稱-中文: 以操作區間為主的最小頻寬資源分配法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 我們所提出的資源分配法是先滿足最小操作區間的AP,再逐一滿足其他操作區間較大的AP,因此可以在同樣的資源下,容納更多AP,達到更高效率的資源利用。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 支援的頻率範圍為30 ~ 1500 MHz,頻寬為536 MHz,可處理的電視通道數量為136個,AP的頻率延展為15 MHz,子載波個數為1024。
技術成熟度: 概念
可應用範圍: 本計畫所發展的資源分配演算法可適用於各種TVWS的系統,可用於802.11af、802.15.4m、及802.22等標準(現有的TVWS標準)的資源分配。
潛力預估: 為國內WiFi及系統廠提供一個演算法驗證的平台。
聯絡人員: 陳駿吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: Matlab、GNU radio、電腦
需具備之專業人才: 熟悉Cross-layer演算法設計、資料庫管理、網頁撰寫、Matlab程式開發、GNU radio程式開發之人

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號6210
產出年度102
技術名稱-中文雙模影像感測器
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文可照相與通訊之雙模影像感測器
技術現況敘述-英文(空)
技術規格通訊速度可達到1Mbps以上
技術成熟度雛型
可應用範圍手機,平版之可見光接收機
潛力預估可見光通訊產業
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備影像感測器製程設備
需具備之專業人才IC設計,通訊系統設計
序號: 6210
產出年度: 102
技術名稱-中文: 雙模影像感測器
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 可照相與通訊之雙模影像感測器
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 通訊速度可達到1Mbps以上
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 手機,平版之可見光接收機
潛力預估: 可見光通訊產業
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 影像感測器製程設備
需具備之專業人才: IC設計,通訊系統設計

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號6222
產出年度102
技術名稱-中文通用編解調器及智慧行車系統應用技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在FPGA平台上設計多核心通用編解調器系統
技術現況敘述-英文(空)
技術規格在FPGA平台上達成IEEE 802.11p規格實體層驗證
技術成熟度雛型
可應用範圍通訊系統物理層基頻訊號處理
潛力預估多規格通訊市場
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備通訊系統及晶片廠
需具備之專業人才通訊技術背景
序號: 6222
產出年度: 102
技術名稱-中文: 通用編解調器及智慧行車系統應用技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在FPGA平台上設計多核心通用編解調器系統
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 在FPGA平台上達成IEEE 802.11p規格實體層驗證
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 通訊系統物理層基頻訊號處理
潛力預估: 多規格通訊市場
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: 通訊系統及晶片廠
需具備之專業人才: 通訊技術背景
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與LTE行動通訊PHY baseband技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

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