底盤平台結構鋼-鋁異材Slip Joint接頭技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文底盤平台結構鋼-鋁異材Slip Joint接頭技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是103, 計畫名稱是車輛開放式底盤平台關鍵技術暨產業化建構計畫, 領域是製造精進, 技術規格是Slip Joint異材接頭開發技術,考量接頭應用位置與不同強度需求,透過幾何外型設計與複式接合技術應用,解決Space Frame異材結構組合限制,減少異材銲接之介金屬化合物生成,鋼-鋁異材Space Frame接頭接合處搭接拉力值≧300Kgf以上。, 潛力預估是應用鋼-鋁異材接合技術,將鋁合金等輕量化材料快速導入原鋼材之車體結構,提升車體結構輕量化效益,解決輕量化之議題,並同時提升燃油效率。.

序號7095
產出年度103
技術名稱-中文底盤平台結構鋼-鋁異材Slip Joint接頭技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱車輛開放式底盤平台關鍵技術暨產業化建構計畫
領域製造精進
已申請專利之國家中華民國、中國大陸
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文鋼-鋁異材接合技術: 透過Slip Joint幾何接頭設計匹配不同之異材接合技術,達成鋼-鋁異材接合技術建構,目前已完成Slip Joint異材接頭設計3種樣式(已完成專利佈局),可應用於不同的位置,另外Slip Joint鋼-鋁異材接頭接合方法包含:自衝鉚接異材接合技術、摩擦攪拌異材接合技術、低溫傳輸異材接合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Slip Joint異材接頭開發技術,考量接頭應用位置與不同強度需求,透過幾何外型設計與複式接合技術應用,解決Space Frame異材結構組合限制,減少異材銲接之介金屬化合物生成,鋼-鋁異材Space Frame接頭接合處搭接拉力值≧300Kgf以上。
技術成熟度雛型
可應用範圍L6/L7等級輕型低速車(LSV)、輕型多功能越野車(UTV)、全地形沙灘車(ATV)
潛力預估應用鋼-鋁異材接合技術,將鋁合金等輕量化材料快速導入原鋼材之車體結構,提升車體結構輕量化效益,解決輕量化之議題,並同時提升燃油效率。
聯絡人員林典永
電話07-3513121轉2515
傳真07-3533382
電子信箱dylin@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備CAD軟體(Solidworks、 Catia、 ProE)
需具備之專業人才結構設計與製造技術
同步更新日期2023-07-22

序號

7095

產出年度

103

技術名稱-中文

底盤平台結構鋼-鋁異材Slip Joint接頭技術

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

車輛開放式底盤平台關鍵技術暨產業化建構計畫

領域

製造精進

已申請專利之國家

中華民國、中國大陸

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

鋼-鋁異材接合技術: 透過Slip Joint幾何接頭設計匹配不同之異材接合技術,達成鋼-鋁異材接合技術建構,目前已完成Slip Joint異材接頭設計3種樣式(已完成專利佈局),可應用於不同的位置,另外Slip Joint鋼-鋁異材接頭接合方法包含:自衝鉚接異材接合技術、摩擦攪拌異材接合技術、低溫傳輸異材接合技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Slip Joint異材接頭開發技術,考量接頭應用位置與不同強度需求,透過幾何外型設計與複式接合技術應用,解決Space Frame異材結構組合限制,減少異材銲接之介金屬化合物生成,鋼-鋁異材Space Frame接頭接合處搭接拉力值≧300Kgf以上。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

L6/L7等級輕型低速車(LSV)、輕型多功能越野車(UTV)、全地形沙灘車(ATV)

潛力預估

應用鋼-鋁異材接合技術,將鋁合金等輕量化材料快速導入原鋼材之車體結構,提升車體結構輕量化效益,解決輕量化之議題,並同時提升燃油效率。

聯絡人員

林典永

電話

07-3513121轉2515

傳真

07-3533382

電子信箱

dylin@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備

CAD軟體(Solidworks、 Catia、 ProE)

需具備之專業人才

結構設計與製造技術

同步更新日期

2023-07-22

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# 07-3513121轉2515 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號6537
產出年度102
技術名稱-中文底盤平台結構低變型接合與精密組裝技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱車輛開放式底盤平台關鍵技術暨產業化建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文底盤零部件快速定位驗證方法與Space Frame底盤組配工序制定,使組立時達到零件組裝快速,且具備即時精度驗證,同時配合Slip Joint/Plane可調結構設計,使Space Frame底盤尺寸組裝精度提升。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧高強度鋼底盤平台結構低變形接合技術,建立銲接程序/組裝順序制定,符合銲接規範要求,銲道強度可達母材90~95%。 ‧Space Frame底盤尺寸組裝精度最大誤差達±1.9/3,000mm。
技術成熟度雛型
可應用範圍電動車輛、L6等級輕型低速車(LSV)、L7等級輕型低速車(LSV)、輕型多功能越野車(UTV)、全地形沙灘車(ATV)
潛力預估應用於電動車底盤結構組立接合,針對低入熱式接合技術,搭配合適之治具,達到低變形量/快速組裝之需求。
聯絡人員林典永
電話07-3513121轉2515
傳真07-3533382
電子信箱dylin@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備CAD軟體(Solidworks、 Catia、 ProE)
需具備之專業人才底盤結構設計與製造技術
序號: 6537
產出年度: 102
技術名稱-中文: 底盤平台結構低變型接合與精密組裝技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 車輛開放式底盤平台關鍵技術暨產業化建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 底盤零部件快速定位驗證方法與Space Frame底盤組配工序制定,使組立時達到零件組裝快速,且具備即時精度驗證,同時配合Slip Joint/Plane可調結構設計,使Space Frame底盤尺寸組裝精度提升。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ‧高強度鋼底盤平台結構低變形接合技術,建立銲接程序/組裝順序制定,符合銲接規範要求,銲道強度可達母材90~95%。 ‧Space Frame底盤尺寸組裝精度最大誤差達±1.9/3,000mm。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 電動車輛、L6等級輕型低速車(LSV)、L7等級輕型低速車(LSV)、輕型多功能越野車(UTV)、全地形沙灘車(ATV)
潛力預估: 應用於電動車底盤結構組立接合,針對低入熱式接合技術,搭配合適之治具,達到低變形量/快速組裝之需求。
聯絡人員: 林典永
電話: 07-3513121轉2515
傳真: 07-3533382
電子信箱: dylin@mail.mirdc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: CAD軟體(Solidworks、 Catia、 ProE)
需具備之專業人才: 底盤結構設計與製造技術

# 07-3513121轉2515 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號8533
產出年度105
技術名稱-中文鋁合金異材結構散熱防水封銲技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱節能電動化車輛關鍵模組技術暨產業化發展計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文鋁合金異材結構散熱防水封銲技術,藉由錯位式擠型設計,使鋁合金殼體具散熱流道結構、並應用嵌合式銲道防水封銲,低溫緩冷接合,延緩冷卻溫度梯度,突破異材鋁合金殼體散熱與精度變異製程瓶頸,達到輕量化目的與客製化產品品質需求。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. 低入熱殼體結構接合技術,符合AWS D1.2 規範要求。 2. 鋁合金殼體結構符合IP56防塵防水規範要求。
技術成熟度雛型
可應用範圍1.電動化車輛動力電池系統殼體構件、2.車輛底盤結構鋁化構件
潛力預估1.協助國內車廠、電池系統廠,開發輕量鋁合金電池殼體,增加電動車行駛里程。 2.錯位式擠型結構設計,零件數減少、減重效果顯著提升,並可有效控制鋁化後所提高之製造成本導入技術至相關業者,提升業界之技術能量。
聯絡人員林典永
電話07-3513121轉2515
傳真07-3533382
電子信箱dylin@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備CAD軟體(Solidworks、 Catia、 ProE)、熱傳分析軟體及銲接設備。
需具備之專業人才結構設計與接合製造技術
序號: 8533
產出年度: 105
技術名稱-中文: 鋁合金異材結構散熱防水封銲技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 節能電動化車輛關鍵模組技術暨產業化發展計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 鋁合金異材結構散熱防水封銲技術,藉由錯位式擠型設計,使鋁合金殼體具散熱流道結構、並應用嵌合式銲道防水封銲,低溫緩冷接合,延緩冷卻溫度梯度,突破異材鋁合金殼體散熱與精度變異製程瓶頸,達到輕量化目的與客製化產品品質需求。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1. 低入熱殼體結構接合技術,符合AWS D1.2 規範要求。 2. 鋁合金殼體結構符合IP56防塵防水規範要求。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 1.電動化車輛動力電池系統殼體構件、2.車輛底盤結構鋁化構件
潛力預估: 1.協助國內車廠、電池系統廠,開發輕量鋁合金電池殼體,增加電動車行駛里程。 2.錯位式擠型結構設計,零件數減少、減重效果顯著提升,並可有效控制鋁化後所提高之製造成本導入技術至相關業者,提升業界之技術能量。
聯絡人員: 林典永
電話: 07-3513121轉2515
傳真: 07-3533382
電子信箱: dylin@mail.mirdc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: CAD軟體(Solidworks、 Catia、 ProE)、熱傳分析軟體及銲接設備。
需具備之專業人才: 結構設計與接合製造技術
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單/複方免疫調節產品

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中草藥保健產品: 小鼠巨噬細胞J774A.1吞噬能力:12.5g/ml可提昇吞噬能力2~3倍;初代淋巴細胞增生能力: 50 g/ml可增加2倍。 | 潛力預估: 中草藥保健食品約有250億元市場,利用本分析技術可以針對一些特定的保健產品進行免疫活性的篩選。

抑鈣沉澱黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算,每年需補充4140噸之鈣當量,以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算,每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。

脂質代謝調整胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億,飼料添加物市場80-90億。

肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 m | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

單/複方免疫調節產品

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中草藥保健產品: 小鼠巨噬細胞J774A.1吞噬能力:12.5g/ml可提昇吞噬能力2~3倍;初代淋巴細胞增生能力: 50 g/ml可增加2倍。 | 潛力預估: 中草藥保健食品約有250億元市場,利用本分析技術可以針對一些特定的保健產品進行免疫活性的篩選。

抑鈣沉澱黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算,每年需補充4140噸之鈣當量,以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算,每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。

脂質代謝調整胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億,飼料添加物市場80-90億。

肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 m | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

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