CIGS太陽電池等級不銹鋼之規格評估
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文CIGS太陽電池等級不銹鋼之規格評估的執行單位是中科院飛彈火箭研究所, 產出年度是105, 計畫名稱是大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是材質:NK-430MAnanoTA、成分:C-0.025%、Si-1.00%、Mn-1.00%、P-0.04%、S-0.005%、Ni-0.6%、Cr-21.00%、Cu-0.6%、NB-0.7%, 潛力預估是與國內傳統鋼鐵廠商合作開發應用於可撓式CIGS太陽電池用之不銹鋼材料，期望藉由原材料的等級提升，製造出國內首件撓性CIGS產品與相關熔煉技術.

序號	8436
產出年度	105
技術名稱-中文	CIGS太陽電池等級不銹鋼之規格評估
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	"國內在不銹鋼傳統材料具備有相當需求，包含傳統鑄造、建築、民生用品等均需達到各種產品要求規格及規範。與國內傳統鋼鐵廠商合作開發應用於可撓式CIGS太陽電池用之不銹鋼材料，期望藉由原材料的等級提升，製造出國內首件撓性CIGS產品與相關熔煉技術。"
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	材質:NK-430MAnanoTA、成分:C-0.025%、Si-1.00%、Mn-1.00%、P-0.04%、S-0.005%、Ni-0.6%、Cr-21.00%、Cu-0.6%、NB-0.7%
技術成熟度	試量產
可應用範圍	在傳統金屬、綠能及軟性電子等產業相關研究領域。
潛力預估	與國內傳統鋼鐵廠商合作開發應用於可撓式CIGS太陽電池用之不銹鋼材料，期望藉由原材料的等級提升，製造出國內首件撓性CIGS產品與相關熔煉技術
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	薄膜設備
需具備之專業人才	CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。
同步更新日期	2023-07-22

序號

8436

產出年度

105

技術名稱-中文

CIGS太陽電池等級不銹鋼之規格評估

執行單位

中科院飛彈火箭研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

"國內在不銹鋼傳統材料具備有相當需求，包含傳統鑄造、建築、民生用品等均需達到各種產品要求規格及規範。與國內傳統鋼鐵廠商合作開發應用於可撓式CIGS太陽電池用之不銹鋼材料，期望藉由原材料的等級提升，製造出國內首件撓性CIGS產品與相關熔煉技術。"

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

材質:NK-430MAnanoTA、成分:C-0.025%、Si-1.00%、Mn-1.00%、P-0.04%、S-0.005%、Ni-0.6%、Cr-21.00%、Cu-0.6%、NB-0.7%

技術成熟度

試量產

可應用範圍

在傳統金屬、綠能及軟性電子等產業相關研究領域。

潛力預估

與國內傳統鋼鐵廠商合作開發應用於可撓式CIGS太陽電池用之不銹鋼材料，期望藉由原材料的等級提升，製造出國內首件撓性CIGS產品與相關熔煉技術

聯絡人員

潘文玨

電話

03-4712201#352460

傳真

03-4713318

電子信箱

wcpan000@gmail.com

參考網址

http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備

薄膜設備

需具備之專業人才

CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	8437
產出年度	105
技術名稱-中文	一種用電管理系統
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	中華民國
已獲得專利之國家	中華民國
技術現況敘述-中文	本創作所揭露的用電管理系統可透過控制器的設定，將離峰時段的電力藉由充電器儲存於儲能元件中，再於用電尖峰時段，接近契約容量設定時透過能量回收模組(ERS)回補、電錶會感應目前的耗電功率並回報給控制器，由控制器決定後，要透過能量回收模組從儲能元件中回補電力以降低市電需求。當功率上升到超越補電啟動值時，則控制器由儲能元件抽取相對的功率補回電力迴路，避免超過契約容量。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	契約容量控制、用電離尖峰監控、電力分散管理
技術成熟度	(空)
可應用範圍	電池、電池製造、電池模組、電動機車、電動汽車、3C產品、儲能系統等。產業:電池製造業、電池模組產業、電動車輛產業、儲能產業。
潛力預估	當離峰時段電價相對便宜時，功率也下降到低於充電啟動值，則控制器會由充電器抽市電到儲能元件中備用。
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	充放電機等相關測試設備
需具備之專業人才	專科以上化工, 化學, 材料, 機械領域相關專長

序號: 8437

產出年度: 105

技術名稱-中文: 一種用電管理系統

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: 中華民國

已獲得專利之國家: 中華民國

技術現況敘述-中文: 本創作所揭露的用電管理系統可透過控制器的設定，將離峰時段的電力藉由充電器儲存於儲能元件中，再於用電尖峰時段，接近契約容量設定時透過能量回收模組(ERS)回補、電錶會感應目前的耗電功率並回報給控制器，由控制器決定後，要透過能量回收模組從儲能元件中回補電力以降低市電需求。當功率上升到超越補電啟動值時，則控制器由儲能元件抽取相對的功率補回電力迴路，避免超過契約容量。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 契約容量控制、用電離尖峰監控、電力分散管理

技術成熟度: (空)

可應用範圍: 電池、電池製造、電池模組、電動機車、電動汽車、3C產品、儲能系統等。產業:電池製造業、電池模組產業、電動車輛產業、儲能產業。

潛力預估: 當離峰時段電價相對便宜時，功率也下降到低於充電啟動值，則控制器會由充電器抽市電到儲能元件中備用。

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

參考網址: http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備: 充放電機等相關測試設備

需具備之專業人才: 專科以上化工, 化學, 材料, 機械領域相關專長

# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	8438
產出年度	105
技術名稱-中文	太陽電池模組技術
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	整合雙脈衝寬度之光纖雷射與卷對卷機構，藉此發展太陽電池於後段模組化技術，因應電池操作電壓之選擇，從完成鍍Mo背電極製程後以奈秒光纖雷射進行批次式大小尺寸之裁切，另外，為降低薄膜製程後出現短路現象，另利用皮秒光纖雷射針對太陽電池膜層進行四邊劃線，以確保後段打線製程無出現漏電現象。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	CIGS吸收層顯微組織經光學顯微鏡觀察無明顯熱效應產生、電池量測上下電極之電阻值至少達1KΩ。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。
潛力預估	可應用於太陽電池模組技術
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	鍍Mo背電極製程設備
需具備之專業人才	CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

序號: 8438

產出年度: 105

技術名稱-中文: 太陽電池模組技術

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 整合雙脈衝寬度之光纖雷射與卷對卷機構，藉此發展太陽電池於後段模組化技術，因應電池操作電壓之選擇，從完成鍍Mo背電極製程後以奈秒光纖雷射進行批次式大小尺寸之裁切，另外，為降低薄膜製程後出現短路現象，另利用皮秒光纖雷射針對太陽電池膜層進行四邊劃線，以確保後段打線製程無出現漏電現象。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: CIGS吸收層顯微組織經光學顯微鏡觀察無明顯熱效應產生、電池量測上下電極之電阻值至少達1KΩ。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。

潛力預估: 可應用於太陽電池模組技術

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

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所須軟硬體設備: 鍍Mo背電極製程設備

需具備之專業人才: CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	8441
產出年度	105
技術名稱-中文	用於玻璃基版之硒化製程設備
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	中華民國
已獲得專利之國家	中華民國
技術現況敘述-中文	本發明係提供一種用於玻璃基板之硒化製程設備包括設置於腔體中的第一加熱單元；運載加熱模組設置於腔體且位於第一加熱單元下方，運載加熱模組藉由惰性氣體以減少其與玻璃基板之間的接觸所形成之熱痕跡(thermal mark)，並帶動玻璃基板進行運動及對玻璃基板加熱，並藉由惰性氣體之熱對流，以均勻化玻璃基板之熱分佈；硒蒸氣進氣模組與腔體相連接，以將硒蒸氣導入腔體中；以及氣體回收模組與腔體相連接，以回收硒蒸氣以及惰性氣體。另外，本發明設置一上加熱模組，可以適當之波長將大部分能量施加於薄膜上，藉以對薄膜進行快速之昇、降溫。藉此，本發明可避免玻璃基板長時間處於軟化點之上的溫度，亦可依製程之需求提高硒化溫度以降低硒化製程所需時間達到省時之功效，且回收腔體中之硒蒸氣及惰性氣體可再利用以進而降低材料成本。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	機台快速硒/硫化玻璃基板升溫速率能力可達 5℃/sec & 降溫速率能力可達3 ℃/sec。基板溫度可達 600 ℃。基板持溫段均勻度可控制在±10℃。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。
潛力預估	可避免玻璃基板長時間處於軟化點之上的溫度，亦可依製程之需求提高硒化溫度以降低硒化製程所需時間達到省時之功效，且回收腔體中之硒蒸氣及惰性氣體可再利用以進而降低材料成本。
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	熱流場分析軟體
需具備之專業人才	CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

序號: 8441

產出年度: 105

技術名稱-中文: 用於玻璃基版之硒化製程設備

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: 中華民國

已獲得專利之國家: 中華民國

技術現況敘述-中文: 本發明係提供一種用於玻璃基板之硒化製程設備包括設置於腔體中的第一加熱單元；運載加熱模組設置於腔體且位於第一加熱單元下方，運載加熱模組藉由惰性氣體以減少其與玻璃基板之間的接觸所形成之熱痕跡(thermal mark)，並帶動玻璃基板進行運動及對玻璃基板加熱，並藉由惰性氣體之熱對流，以均勻化玻璃基板之熱分佈；硒蒸氣進氣模組與腔體相連接，以將硒蒸氣導入腔體中；以及氣體回收模組與腔體相連接，以回收硒蒸氣以及惰性氣體。另外，本發明設置一上加熱模組，可以適當之波長將大部分能量施加於薄膜上，藉以對薄膜進行快速之昇、降溫。藉此，本發明可避免玻璃基板長時間處於軟化點之上的溫度，亦可依製程之需求提高硒化溫度以降低硒化製程所需時間達到省時之功效，且回收腔體中之硒蒸氣及惰性氣體可再利用以進而降低材料成本。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 機台快速硒/硫化玻璃基板升溫速率能力可達 5℃/sec & 降溫速率能力可達3 ℃/sec。基板溫度可達 600 ℃。基板持溫段均勻度可控制在±10℃。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。

潛力預估: 可避免玻璃基板長時間處於軟化點之上的溫度，亦可依製程之需求提高硒化溫度以降低硒化製程所需時間達到省時之功效，且回收腔體中之硒蒸氣及惰性氣體可再利用以進而降低材料成本。

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

參考網址: http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備: 熱流場分析軟體

需具備之專業人才: CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	8442
產出年度	105
技術名稱-中文	多加熱源熱隔絕控制技術
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用特殊材質與多層材料堆疊方式，使得不同加熱源間之溫度交互影響降低，可有效控制加熱源之溫度，並使得相近之加熱源間之熱效應降至最低。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	相鄰之加熱源在高溫下可分別控制，有10%之輸出調控量。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	應用於航太工業、電子產業等
潛力預估	提高廠商之製造技術，可達成更高規格之產品製作，可應用於航太工業、電子產業等
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	真空腔體、焊接設備、加熱設備
需具備之專業人才	具真空及金屬熱處理相關背景

序號: 8442

產出年度: 105

技術名稱-中文: 多加熱源熱隔絕控制技術

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用特殊材質與多層材料堆疊方式，使得不同加熱源間之溫度交互影響降低，可有效控制加熱源之溫度，並使得相近之加熱源間之熱效應降至最低。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 相鄰之加熱源在高溫下可分別控制，有10%之輸出調控量。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 應用於航太工業、電子產業等

潛力預估: 提高廠商之製造技術，可達成更高規格之產品製作，可應用於航太工業、電子產業等

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

參考網址: http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備: 真空腔體、焊接設備、加熱設備

需具備之專業人才: 具真空及金屬熱處理相關背景

# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號	8446
產出年度	105
技術名稱-中文	活塞頭組真空硬焊與熱處理
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用硬焊合金在高溫真空過程中與金屬元件之擴散結合方法配合熱處理製程，得到表面潔淨、材料性質不變、且不須助焊劑之和接製程。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	高真空度600度C。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	應用於航太工業、電子產業等
潛力預估	提高廠商之製造技術，可達成更高規格之產品製作，可應用於航太工業、電子產業等
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	真空腔體、焊接設備、加熱設備
需具備之專業人才	具真空及金屬熱處理相關背景

序號: 8446

產出年度: 105

技術名稱-中文: 活塞頭組真空硬焊與熱處理

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用硬焊合金在高溫真空過程中與金屬元件之擴散結合方法配合熱處理製程，得到表面潔淨、材料性質不變、且不須助焊劑之和接製程。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 高真空度600度C。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 應用於航太工業、電子產業等

潛力預估: 提高廠商之製造技術，可達成更高規格之產品製作，可應用於航太工業、電子產業等

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

參考網址: http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備: 真空腔體、焊接設備、加熱設備

需具備之專業人才: 具真空及金屬熱處理相關背景

# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號	8447
產出年度	105
技術名稱-中文	氧化銦鋅錫鈀材研製與薄膜製程開發
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	IZTO靶材優勢在於經物理沉積後其電性可優於ITO薄膜，且成本較ITO低廉。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	*靶材成分須達3N5 薄膜電性510-4歐姆公分以下薄膜透光度達85%以上**
技術成熟度	試量產
可應用範圍	在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。
潛力預估	可應用於氧化銦鋅錫鈀材研製與薄膜製程
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	熱流場分析軟體
需具備之專業人才	CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

序號: 8447

產出年度: 105

技術名稱-中文: 氧化銦鋅錫鈀材研製與薄膜製程開發

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: IZTO靶材優勢在於經物理沉積後其電性可優於ITO薄膜，且成本較ITO低廉。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 靶材成分須達3N5 薄膜電性5*10-4歐姆公分以下薄膜透光度達85%以上

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。

潛力預估: 可應用於氧化銦鋅錫鈀材研製與薄膜製程

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

參考網址: http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備: 熱流場分析軟體

需具備之專業人才: CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號	8449
產出年度	105
技術名稱-中文	軟性太陽能電池光吸收層之製程設備及其製造方法
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	中華民國
已獲得專利之國家	中華民國
技術現況敘述-中文	整合蒸鍍機台創新技術設計，包含減熱模組、主動輪驅動等速以及放收料提供張力控制技術、放收料隔絕硒蒸氣影響、三階段蒸鍍CIGS佈置及製程程序、真空循邊技術、全系統模組化設計。開發線性蒸鍍模組，包含可高溫裂解硒之蒸氣模組、硒汙染防治cold trap設計、金屬線性蒸鍍模組等；精進蒸鍍模組設計研製，並整合至蒸鍍模組腔體中。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	30cm捲軸三階段CIGS線性蒸鍍製程設備系統規格，包括：(1)運轉測試：全機真空-操作真空 5×10-6 torr以下，製程真空 10-4 torr以下；基板加熱溫度550℃±1%；尋邊控制 (±0.5cm )；捲軸速度控制 20±1cm。(2)銅銦鎵硒三階鍍蒸鍍化合測試：維持銅銦鎵硒之溫度穩定性Cu溫度可達 1500℃ ±1℃、In 溫度可達1130℃ ±1℃、Ga 溫度可達1120℃ ±1℃；硒蒸氣外部加熱導入腔體內溫度全程不低於350℃。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。
潛力預估	具備太陽能電池光吸收層之製程設備及其製造方法
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	熱流場分析軟體
需具備之專業人才	CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

序號: 8449

產出年度: 105

技術名稱-中文: 軟性太陽能電池光吸收層之製程設備及其製造方法

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: 中華民國

已獲得專利之國家: 中華民國

技術現況敘述-中文: 整合蒸鍍機台創新技術設計，包含減熱模組、主動輪驅動等速以及放收料提供張力控制技術、放收料隔絕硒蒸氣影響、三階段蒸鍍CIGS佈置及製程程序、真空循邊技術、全系統模組化設計。開發線性蒸鍍模組，包含可高溫裂解硒之蒸氣模組、硒汙染防治cold trap設計、金屬線性蒸鍍模組等；精進蒸鍍模組設計研製，並整合至蒸鍍模組腔體中。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 30cm捲軸三階段CIGS線性蒸鍍製程設備系統規格，包括：(1)運轉測試：全機真空-操作真空 5×10-6 torr以下，製程真空 10-4 torr以下；基板加熱溫度550℃±1%；尋邊控制 (±0.5cm )；捲軸速度控制 20±1cm。(2)銅銦鎵硒三階鍍蒸鍍化合測試：維持銅銦鎵硒之溫度穩定性Cu溫度可達 1500℃ ±1℃、In 溫度可達1130℃ ±1℃、Ga 溫度可達1120℃ ±1℃；硒蒸氣外部加熱導入腔體內溫度全程不低於350℃。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。

潛力預估: 具備太陽能電池光吸收層之製程設備及其製造方法

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

參考網址: http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備: 熱流場分析軟體

需具備之專業人才: CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

# 03-4712201 352460 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號	8456
產出年度	105
技術名稱-中文	銅銦鎵硒(CIGS)薄膜式太陽能電池產製技術
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	著重於整線現製程技術暨模組產品試製與驗證包含1、蒸鍍法製備吸收層最佳化研究暨線性蒸鍍批次式生產開發；2、批次式水浴系統與技術開發；3、太陽電池元件切割與邊緣絕緣化技術；4、批次式網印與封裝技術開發；5、批次式元件生產之篩選分析研究(EL,PL) 等五個大方向進行先期整合開發
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	完成整線現製程技術暨模組產品試製模組批次式元件效率達12~15%，卷式元件切割與邊緣絕緣化之製程技術建立及後段模組封裝所需元件之上電極進行批次式網印。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。
潛力預估	完成整線現製程技術暨模組產品試製模組批次式元件效率達12~15%
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#352460
傳真	03-4713318
電子信箱	wcpan000@gmail.com
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	蒸鍍法製備設備
需具備之專業人才	CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

序號: 8456

產出年度: 105

技術名稱-中文: 銅銦鎵硒(CIGS)薄膜式太陽能電池產製技術

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所

產出單位: (空)

計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫

領域: 綠能科技

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 著重於整線現製程技術暨模組產品試製與驗證包含1、蒸鍍法製備吸收層最佳化研究暨線性蒸鍍批次式生產開發；2、批次式水浴系統與技術開發；3、太陽電池元件切割與邊緣絕緣化技術；4、批次式網印與封裝技術開發；5、批次式元件生產之篩選分析研究(EL,PL) 等五個大方向進行先期整合開發

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 完成整線現製程技術暨模組產品試製模組批次式元件效率達12~15%，卷式元件切割與邊緣絕緣化之製程技術建立及後段模組封裝所需元件之上電極進行批次式網印。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。

潛力預估: 完成整線現製程技術暨模組產品試製模組批次式元件效率達12~15%

聯絡人員: 潘文玨

電話: 03-4712201#352460

傳真: 03-4713318

電子信箱: wcpan000@gmail.com

參考網址: http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備: 蒸鍍法製備設備

需具備之專業人才: CIGS製程、精密溫度、精密真空高溫轉速控制、硒汙染控制。

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與CIGS太陽電池等級不銹鋼之規格評估同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

耐候性樹脂加工技術	執行單位: 紡織所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: 紡織所 \| 計畫名稱: 高科技紡織產業技術研究與發展四年計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 1.完成奈米二氧化矽之製備設計，二氧化矽粒徑＜100nm。 2.完成耐候性紡織品結構設計與應用加工，織物具高耐磨性(耐磨性測試、ASTMD3884：損耗率≦1％)及高耐候性(耐候性測試、ASTM D... \| 潛力預估: 對產業之影響也可替代傳統PVC樹脂，提供環保型耐候樹脂之製備，確保製程及產品之安全性；並降低原有高耐候樹脂(氟類樹脂)之成本昂貴問題
O-PET光學膜配方及研製技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜透光率≧85﹪、吸水率0.4、耐熱溫度≧150℃，且延伸倍率可達3倍以上。 \| 潛力預估: 目前既有產品多為國外日本進口，價格昂貴，且都已鍍好ITO膜，售價達2500元 NT/m2。本技術為自行開發O-PET光學級酯粒材料及其雙軸製膜技術，自製膜材料＜100元 NT/m2，而二次加工處理導電...
有機無機混成耐磨耗材料與製程技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 水性系統材料硬度可達: H 溶劑系統材料硬度可達: 塑膠基材可達2~3 H，玻璃基材可達5~7 H \| 潛力預估: 有機無機混成材料相關技術之建立可開發具有尺寸安定、低膨脹係數、高阻水氣及氧氣、高接著性、高耐熱、高透明性及可變折射率之特性，此材料相關產品可衍生應用於於耐磨耗、抗反射之薄膜塗層開發，以及高經濟價值之多...
平面光波導製程技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 傳遞損失TE (TransverseElectric)：0.47dB TM (Transverse Magnetic) ： 0.51 dB/cm 極化損失(PDL): 0.03 dB(1.31) ... \| 潛力預估: 此技術成果的最大效益在於發展低成本、高品質且易於大量生產製造的光通訊被動元件。有別於以往成本較高、製作過程繁瑣的傳統光通訊元件，如能以旋轉塗佈與黃光製程的製造方式取代以往的FHD+RIE製程，不僅可大...
無鹵無磷難燃複合材料技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 燃劑開發奈米混成複材基板，達到所需規格，Tg 3 150℃，Z軸膨脹率α1 ￡ 70 ppm/ oC, α2￡ 300ppm/ oC, UL94V-0以及copper peel strength≧8 ... \| 潛力預估: ‧難燃機電應用：如絕緣礙子、筆記型電腦外殼、印刷電路板，OA產品外殼等等 ‧高級建材產品：如捷運第三軌，機電工程等等
無鹵無磷高尺寸安定性奈米基板材料開發	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: - 難燃性UL94-V0 - Tg 3 G6 - Z軸膨脹率( 50→260℃) ￡ 3.5 % - Solderability( 288℃) > 5min - peel strength : 8~1... \| 潛力預估: 高尺寸安定性奈米FR-4：高尺寸安定奈米FR-4之市場切入點在於取代目前high Tg基板（目前約佔FR-4之5~10%，大中華地區約30~50億NT，未來可能成長至20%，超過100億NT）。無...
新型OLED藍色發光材料及其合成技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最終材料產品，產率 > 45 %。光激發與電激發光譜範圍：380 ~ 470nm。玻璃轉移溫度 > 120 ℃。裂解溫度 > 430 ℃。 \| 潛力預估: 本產品可應用於低成本FPD與平面光源，相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件，如：太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。
Y, M, C,K紫外線交聯顏料微粒化分散技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 顏料種類：Y, M, C, K 顏料分散粒徑(D50)≦80nm 顏料含量≧20wt% 通過安定性測試，40℃，三天 \| 潛力預估: 可應用於噴印在金屬、塑膠、橡膠、陶瓷、木材等不吸墨基材。
高耐磨/保健機能性PU奈米樹脂與合成皮革技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧固成分330wt% ‧儲存安定性(室溫)390days ‧PU樹脂乾膜抗張強度200-600kg/cm2 ‧PU樹脂乾膜延展性200-600% \| 潛力預估: ‧高加工性機能性奈米黏土分散液 ‧高附加複合機能性PU樹脂與合成皮革
奈米粉體表面改質技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.含.UV 感光官能基 2.反應性奈米級SiO2：5% 以上 3.Transmittance（550nm）：95% 以上 4.平均粒徑：60nm 以下 \| 潛力預估: 應用在光電薄膜、塑膠地磚、地板、木器、金屬及3C產業的耐磨高硬度塗料市場，估計超過50億元。
電極助燒結劑調配技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃組成無鉛化、介電常數5 ~ 30、介電損失 < 0.005、燒結製程溫度800 ~ 950 oC；應用於0603端電極中，拉力 > 1.8 kg/cm2、高化學穩定性 \| 潛力預估: 玻璃陶瓷微粉材料應用於被動元件及高頻基板等產業，年預估產值約為1 ~ 5億元；若利用相關核心技術衍生到光電產業中，預估年產值可提升至15億元
膽固醇液晶配方技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.液晶相溫度範圍在0℃~40℃ 2.黏度約80 cps 3.反射波長在800~900nm的紅外光區 4.應答速度 \| 潛力預估: 預估技術衍生之應用產品，未來3年可增加新台幣20億以上之產值。
氣壓式液晶純化技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.一次純化回收率 >95 % 。 2.純化時間：0.5小時/批次。 3.純化量：1Kg/次。 4.純化規格：STN液晶純化後>1011cm.。 \| 潛力預估: 可應用於各類型液晶化學品純化與回收，與光電等級高純度化學品純化應用
高倍數DVDR染料	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.λmax = 570-580nm 2.染料純度 >98 % 3.ε> 1x105 4.溶解度≧2% 5.Td (TGA) > 150℃ 6.mp >150℃ \| 潛力預估: DVD-R光碟片今年2004年可達27億片，預估明年2005年將成長至38億片，2006年可成長至46億片。而以CD-R光碟片為例台灣公司製造佔有世界70~80%的產量，DVD-R光碟製造依然以台灣為...
Hard coat精密塗佈製程評估技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ? 基材：PET Film ? 鉛筆硬度：≧3H ? 穿透率：≧92﹪ ? 霧度：≦1% ? 接著性：3M Scotch 610 膠帶測試通過 \| 潛力預估: 可藉由塗料配方調整，改善眩光、靜電等問題，提高產品之附加價值。