電極助燒結劑調配技術 - 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部 技術名稱-中文電極助燒結劑調配技術 的執行單位是工研院化工所 , 產出年度是93 , 計畫名稱是精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 , 技術規格是玻璃組成無鉛化、介電常數5 ~ 30、介電損失 < 0.005、燒結製程溫度800 ~ 950 oC；應用於0603端電極中，拉力 > 1.8 kg/cm2、高化學穩定性 , 潛力預估是玻璃陶瓷微粉材料應用於被動元件及高頻基板等產業，年預估產值約為1 ~ 5億元；若利用相關核心技術衍生到光電產業中，預估年產值可提升至15億元 .
序號 555 產出年度 93 技術名稱-中文 電極助燒結劑調配技術 執行單位 工研院化工所 產出單位 (空) 計畫名稱 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 配合被動元件的卑金屬電極（如Cu、Ni等）製程的導入，本技術重點在建立玻璃配方調整之核心技術，開發適合應用於卑金屬電極中之助燒結添加助劑；同時配合被動元件高頻應用的需求，研製適用於LTCC整合製程中的玻璃陶瓷微粉材料。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 玻璃組成無鉛化、介電常數5 ~ 30、介電損失 < 0.005、燒結製程溫度800 ~ 950 oC；應用於0603端電極中，拉力 > 1.8 kg/cm2、高化學穩定性 技術成熟度 試量產 可應用範圍 圓板型或晶片型電容、電感、電阻元件、高頻元件陶瓷基版 潛力預估 玻璃陶瓷微粉材料應用於被動元件及高頻基板等產業，年預估產值約為1 ~ 5億元；若利用相關核心技術衍生到光電產業中，預估年產值可提升至15億元 聯絡人員 王勝民 電話 03-5732452 傳真 03-5732346 電子信箱 leechiou@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 玻璃熔製高溫設備、微粉粉製作設備（如研磨、造粒、乾燥） 需具備之專業人才 無機材料、粉體合成 同步更新日期 2023-07-22
序號 555 產出年度 93 技術名稱-中文 電極助燒結劑調配技術 執行單位 工研院化工所 產出單位 (空) 計畫名稱 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 配合被動元件的卑金屬電極（如Cu、Ni等）製程的導入，本技術重點在建立玻璃配方調整之核心技術，開發適合應用於卑金屬電極中之助燒結添加助劑；同時配合被動元件高頻應用的需求，研製適用於LTCC整合製程中的玻璃陶瓷微粉材料。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 玻璃組成無鉛化、介電常數5 ~ 30、介電損失 < 0.005、燒結製程溫度800 ~ 950 oC；應用於0603端電極中，拉力 > 1.8 kg/cm2、高化學穩定性 技術成熟度 試量產 可應用範圍 圓板型或晶片型電容、電感、電阻元件、高頻元件陶瓷基版 潛力預估 玻璃陶瓷微粉材料應用於被動元件及高頻基板等產業，年預估產值約為1 ~ 5億元；若利用相關核心技術衍生到光電產業中，預估年產值可提升至15億元 聯絡人員 王勝民 電話 03-5732452 傳真 03-5732346 電子信箱 leechiou@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 玻璃熔製高溫設備、微粉粉製作設備（如研磨、造粒、乾燥） 需具備之專業人才 無機材料、粉體合成 同步更新日期 2023-07-22
根據電話 03-5732452 找到的相關資料 (以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5732452 序號 2942 產出年度 97 技術名稱-中文 奈米碳管應用評估技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 材料與化工領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 奈米碳管具有高導電性、高韌性、高化學安定性、aspect ratio高等特性，在導電應用上極具潛力。奈米碳管型態糾纏且表面幾無官能基，導致加工分散不易，難以展現奈米碳管優異特性。目前透明導電膜以ITO(Indium tin oxide)為主流，但其仍具有無法大角度彎曲、無法大面積化製程以及價格昂貴之缺點。藉由高導電性奈米碳管開發，搭配奈米碳管分散與混成，提升碳管分散性與界面之作用力，協助廠商評估奈米碳管於透明導電膜技術開發可行性。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 以透明導電膜為產品載具，評估奈米碳管應用之可行性 技術成熟度 其他 可應用範圍 奈米碳管規格篩選與特性分析databank建立 奈米碳管純化、改質及分散技術 透明導電膜之塗佈與性能探討 潛力預估 奈米碳管透明導電膜具有易加工性、可撓曲性等優勢，預期可取代ITO材料於顯示器、觸控式面板甚至未來可撓式電子等相關產業。目前國內透明導電膜來源仍掌握於日本與美國，若可自行生產透明導電膜之關鍵材料，可大幅降低成本，並可加速新世代產品量產時程。 聯絡人員 郭信良 電話 03-5732452 傳真 03-5732346 電子信箱 SLKuo@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 光電材料廠商，評估基材由業者提供 需具備之專業人才 具有光電材料分析背景
序號: 2942 產出年度: 97 技術名稱-中文: 奈米碳管應用評估技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 奈米碳管具有高導電性、高韌性、高化學安定性、aspect ratio高等特性，在導電應用上極具潛力。奈米碳管型態糾纏且表面幾無官能基，導致加工分散不易，難以展現奈米碳管優異特性。目前透明導電膜以ITO(Indium tin oxide)為主流，但其仍具有無法大角度彎曲、無法大面積化製程以及價格昂貴之缺點。藉由高導電性奈米碳管開發，搭配奈米碳管分散與混成，提升碳管分散性與界面之作用力，協助廠商評估奈米碳管於透明導電膜技術開發可行性。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 以透明導電膜為產品載具，評估奈米碳管應用之可行性 技術成熟度: 其他 可應用範圍: 奈米碳管規格篩選與特性分析databank建立 奈米碳管純化、改質及分散技術 透明導電膜之塗佈與性能探討 潛力預估: 奈米碳管透明導電膜具有易加工性、可撓曲性等優勢，預期可取代ITO材料於顯示器、觸控式面板甚至未來可撓式電子等相關產業。目前國內透明導電膜來源仍掌握於日本與美國，若可自行生產透明導電膜之關鍵材料，可大幅降低成本，並可加速新世代產品量產時程。 聯絡人員: 郭信良 電話: 03-5732452 傳真: 03-5732346 電子信箱: SLKuo@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 光電材料廠商，評估基材由業者提供 需具備之專業人才: 具有光電材料分析背景
序號 6686 產出年度 103 技術名稱-中文 可印式透明導電材料技術 執行單位 工研院院本部 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院環境建構總計畫 領域 智慧科技 已申請專利之國家 無 已獲得專利之國家 無 技術現況敘述-中文 目前功能規格較佳之透明導電材料受限於材料特性主要仍以全面式濺鍍或是塗佈製程為主，直接圖案化製程技術相對較不成熟 低成本/高throughput之圖案化製程發展趨勢將由原本之濺鍍/蝕刻製程朝向直接印刷製程技術發展 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 完成一維奈米線材導電墨水特性調控技術，墨水之導電材料固含量 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 應用於觸控面板、電致發光(electroluminescence) 、軟性電子等相關領域 潛力預估 使國內廠商可依不同應用需求進行新型產品製程開發，提昇製程效率並降低成本，增加產業競爭力 聯絡人員 郭信良 電話 03-5732452 傳真 03-5732351 電子信箱 SLKuo@itri.org.tw 參考網址 無 所須軟硬體設備 廠商具有凹版或網版印刷設備 需具備之專業人才 廠商具有漿料開發或奈米材料相關背景人才
序號: 6686 產出年度: 103 技術名稱-中文: 可印式透明導電材料技術 執行單位: 工研院院本部 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 領域: 智慧科技 已申請專利之國家: 無 已獲得專利之國家: 無 技術現況敘述-中文: 目前功能規格較佳之透明導電材料受限於材料特性主要仍以全面式濺鍍或是塗佈製程為主，直接圖案化製程技術相對較不成熟 低成本/高throughput之圖案化製程發展趨勢將由原本之濺鍍/蝕刻製程朝向直接印刷製程技術發展 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 完成一維奈米線材導電墨水特性調控技術，墨水之導電材料固含量 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 應用於觸控面板、電致發光(electroluminescence) 、軟性電子等相關領域 潛力預估: 使國內廠商可依不同應用需求進行新型產品製程開發，提昇製程效率並降低成本，增加產業競爭力 聯絡人員: 郭信良 電話: 03-5732452 傳真: 03-5732351 電子信箱: SLKuo@itri.org.tw 參考網址: 無 所須軟硬體設備: 廠商具有凹版或網版印刷設備 需具備之專業人才: 廠商具有漿料開發或奈米材料相關背景人才
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執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性，而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術，可提昇產品的附加價值，使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性，而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術，可提昇產品的附加價值，使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力