含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺)
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺)的核准國家是中華民國, 證書號碼是184459, 專利性質是發明, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 專利發明人是楊正乾,陳鴻斌,張德全,王國平.

序號	43
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺)
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
專利發明人	楊正乾 \| 陳鴻斌 \| 張德全 \| 王國平
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	184459
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	含羥基氟化聚(矽氧醯胺亞醯胺)可先利用二酸酐與含羥基氟化二胺反應得到含羥基氟化醯胺亞醯胺，再與矽氧烷二胺反應得到。用於製作表面音波塗層。含羥基氟化聚(矽氧醯胺亞醯胺)可先利用二酸酐與含羥基氟化二胺反應得到含羥基氟化醯胺亞醯胺，再與矽氧烷二胺反應得到。用於製作表面音波塗層
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊正乾
電話	(03)4458047
傳真	(03)4719940
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺)

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

專利發明人

楊正乾 | 陳鴻斌 | 張德全 | 王國平

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

184459

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

含羥基氟化聚(矽氧醯胺亞醯胺)可先利用二酸酐與含羥基氟化二胺反應得到含羥基氟化醯胺亞醯胺，再與矽氧烷二胺反應得到。用於製作表面音波塗層。含羥基氟化聚(矽氧醯胺亞醯胺)可先利用二酸酐與含羥基氟化二胺反應得到含羥基氟化醯胺亞醯胺，再與矽氧烷二胺反應得到。用於製作表面音波塗層

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊正乾

電話

(03)4458047

傳真

(03)4719940

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

根據識別碼 184459 找到的相關資料

(以下顯示 4 筆) (或要:直接搜尋所有 184459 ...)

蓬萊橋(入庫溪流)	河川名稱: 阿公店溪 \| 流域名稱: 阿公店溪流域 \| 高雄市 \| 燕巢區 \| 測站位置描述: 高雄市燕巢區西燕村紅山巷(高29-1線0.6公里處) @ 河川水質測點基本資料(含地理圖資)
廣益富營造有限公司-台灣自來水股份有限公司第七區管理處宿舍建物拆除工程(澄清二村)	所在工業區名稱: 非屬工業區類 \| (實際廠場)地址: 高雄市鳥松區一一○、一一二、一一四、一一六、一一八、一二○、一二二、一二四、一二六、一二八、一三○、一三二、一三四、一三六、一三八、一四○、一四二、一四四、一四六號 \| 營利事業統一編號: 50932231 \| 管制編號: E2404856 @ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料
新北市土城區中央路二段２１巷１３２號二十一樓	總價元: 23000000 \| 房地(土地+建物)+車位 \| 建物移轉總面積平方公尺: 150.24 \| 土地移轉總面積平方公尺: 21.14 \| 建築完成年月: 1061213 \| 都市土地使用分區: 商 \| 建物型態: 住宅大樓(11層含以上有電梯) \| 主要用途: 其他 \| 交易年月日: 1120805 @ 不動產實價登錄資訊-買賣案件
葉水樹-葉水樹工廠、辦公室拆除工程	所在工業區名稱: 嘉太工業區 \| (實際廠場)地址: 嘉義縣太保市嘉太工業區光復路二一號 \| 營利事業統一編號: \| 管制編號: Q76A6795 @ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

蓬萊橋(入庫溪流)

河川名稱: 阿公店溪 | 流域名稱: 阿公店溪流域 | 高雄市 | 燕巢區 | 測站位置描述: 高雄市燕巢區西燕村紅山巷(高29-1線0.6公里處)

@ 河川水質測點基本資料(含地理圖資)

廣益富營造有限公司-台灣自來水股份有限公司第七區管理處宿舍建物拆除工程(澄清二村)

所在工業區名稱: 非屬工業區類 | (實際廠場)地址: 高雄市鳥松區一一○、一一二、一一四、一一六、一一八、一二○、一二二、一二四、一二六、一二八、一三○、一三二、一三四、一三六、一三八、一四○、一四二、一四四、一四六號 | 營利事業統一編號: 50932231 | 管制編號: E2404856

@ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

新北市土城區中央路二段２１巷１３２號二十一樓

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

葉水樹-葉水樹工廠、辦公室拆除工程

所在工業區名稱: 嘉太工業區 | (實際廠場)地址: 嘉義縣太保市嘉太工業區光復路二一號 | 營利事業統一編號: | 管制編號: Q76A6795

@ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

[ 搜尋所有 184459 ... ]

根據名稱含羥基氟化聚矽氧烷醯胺找到的相關資料

無其他含羥基氟化聚矽氧烷醯胺資料。

[ 搜尋所有 含羥基氟化聚矽氧烷醯胺 ... ]

根據姓名楊正乾陳鴻斌張德全王國平找到的相關資料

無其他楊正乾陳鴻斌張德全王國平資料。

[ 搜尋所有 楊正乾陳鴻斌張德全王國平 ... ]

根據電話 03 4458047 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03 4458047 ...)

EpoxyResin,CuringAgentand9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthreneDerivative	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7897702B2 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 117/11/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 蘇文?、劉俊谷、鄭如忠、戴憲宏、林慶炫 @ 技術司專利資料集
透明功能性導電樹脂研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 抗靜電包裝高分子材、無塵室防靜電板材、EMI/RFI遮蔽材、雷達波吸收材等 @ 技術司可移轉技術資料集
SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min... \| 潛力預估: 熱可塑性彈性體（TPR）為新興高分子合成材料，年成長率6-7%，以大陸用量20萬噸，將快速攀升至45萬噸，環保型難燃TPR為未來趨勢，配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規，商機無限 @ 技術司可移轉技術資料集
無鹵難燃熱熔膠研製	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... \| 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸，其中難燃級佔5%，年成長率6-7%，環保型熱熔膠為未來趨勢，配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規，商機無限 @ 技術司可移轉技術資料集
三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 磷含量30-31%，聚合度n＞1000 \| 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值，以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆，可提升產品應用範圍與增加其效益 @ 技術司可移轉技術資料集
鄰苯酚膦化反應技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 產品磷含量＞10%，酸價＜0.1% \| 潛力預估: 應用本技術可衍生開發新型難燃劑，或新型雙功能抗氧化劑，配合環保法規，商機無限 @ 技術司可移轉技術資料集
有機奈米導電樹脂研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率＞70％(550nm) \| 潛力預估: 因應EMI管制措施等，市場年成長率可達34%。 @ 技術司可移轉技術資料集
環保型耐燃熱熔膠研製	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2 \| 潛力預估: 目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠，但都已積極投入開發中；然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制，對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。 @ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03 4458047 ... ]

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺)同分類的技術司專利資料集

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184681 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6700783 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6759305 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6741039 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚
氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188211 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦
形成薄膜電晶體於透明基板上之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6764887 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 187289 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6773870 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋
電流驅動元件主動陣列的畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197219 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任
高密度資料讀寫器及其讀寫方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200381 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206462 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6806929 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁
光電模組模封裝	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220733 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷
光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6808323 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工
一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190623 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊

含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺) - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺)同分類的技術司專利資料集

含羥基氟化聚(矽氧烷醯胺)
- 技術司專利資料集 @ 經濟部