多域分割垂直配向液晶顯示器的結構及其凸塊結構的製作方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文多域分割垂直配向液晶顯示器的結構及其凸塊結構的製作方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是185419, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是劉鴻達.

序號745
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文多域分割垂直配向液晶顯示器的結構及其凸塊結構的製作方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人劉鴻達
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼185419
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種交錯凸塊形成在畫素電極層的多域分割垂直配向液晶顯示器的結構及製作方法。交錯凸塊結構形成再化素電極的四周,且建構在在彩色濾光片或是薄膜電晶體的單片基板上。此結構提供液晶分子預傾角,有助於液晶分子在加外加電場後,有序排列,進而形成四方向多域分割。交錯凸塊結構是利用一般黃光製成或背面曝光方法來製作。快速乾淨無污染,大幅簡化製程。本發明之結構及製作方法使得液晶顯示器具有反應速度快於全視角大於140度、上下左右視角再對比大於200時,可達50度以上、光亮度的對比可達700:1以上、灰階反應速度快於16.5ms,以及色散小的優點,同時提升液晶模式光利用率到傳統90度扭轉形液晶顯示器55﹪以上。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)

序號

745

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

多域分割垂直配向液晶顯示器的結構及其凸塊結構的製作方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

劉鴻達

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

185419

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種交錯凸塊形成在畫素電極層的多域分割垂直配向液晶顯示器的結構及製作方法。交錯凸塊結構形成再化素電極的四周,且建構在在彩色濾光片或是薄膜電晶體的單片基板上。此結構提供液晶分子預傾角,有助於液晶分子在加外加電場後,有序排列,進而形成四方向多域分割。交錯凸塊結構是利用一般黃光製成或背面曝光方法來製作。快速乾淨無污染,大幅簡化製程。本發明之結構及製作方法使得液晶顯示器具有反應速度快於全視角大於140度、上下左右視角再對比大於200時,可達50度以上、光亮度的對比可達700:1以上、灰階反應速度快於16.5ms,以及色散小的優點,同時提升液晶模式光利用率到傳統90度扭轉形液晶顯示器55﹪以上。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電,95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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新北市蘆洲區長榮路80號十樓

總價元: 25800000 | 房地(土地+建物)+車位 | 建物移轉總面積平方公尺: 148.93 | 土地移轉總面積平方公尺: 27.93 | 建築完成年月: 1120519 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 住宅大樓(11層含以上有電梯) | 主要用途: 住家用 | 交易年月日: 1130203

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

新北市新莊區中正路671號

總價元: 22000000 | 房地(土地+建物) | 建物移轉總面積平方公尺: 118.65 | 土地移轉總面積平方公尺: 57.64 | 建築完成年月: 0570301 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 公寓(5樓含以下無電梯) | 主要用途: 住家用 | 交易年月日: 1130503

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

新北市蘆洲區長榮路80號十樓

總價元: 25800000 | 房地(土地+建物)+車位 | 建物移轉總面積平方公尺: 148.93 | 土地移轉總面積平方公尺: 27.93 | 建築完成年月: 1120519 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 住宅大樓(11層含以上有電梯) | 主要用途: 住家用 | 交易年月日: 1130203

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

新北市新莊區中正路671號

總價元: 22000000 | 房地(土地+建物) | 建物移轉總面積平方公尺: 118.65 | 土地移轉總面積平方公尺: 57.64 | 建築完成年月: 0570301 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 公寓(5樓含以下無電梯) | 主要用途: 住家用 | 交易年月日: 1130503

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廣視角橫向電極多域排列液顯示面板及製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6882395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達

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嵌入整合隔片與矽光閥之矽晶片基板液晶顯示器與製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I237140 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達、饒永年

@ 技術司專利資料集

多域分割廣視角液晶顯示器的結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I241425 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達、陳績檍

@ 技術司專利資料集

光相位補償多域分割液晶顯示器的結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I264583 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉鴻達

@ 技術司專利資料集

具內凹型表面結構的多域分割液晶顯示器的結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193993 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達, 陳慶逸, 陳績檍

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劉鴻達

職稱: 董事長 | 持有股份數: 89998 | 所代表法人: | 達力南洋先進科技股份有限公司 | 統一編號: 12740923

@ 董監事資料集

劉鴻達

職稱: 董事 | 持有股份數: 3000000 | 所代表法人: | 永達通訊影音工程有限公司 | 統一編號: 83789030

@ 董監事資料集

劉鴻達

職稱: 董事 | 持有股份數: 5000000 | 所代表法人: | 達江南北國際興業有限公司 | 統一編號: 90120097

@ 董監事資料集

廣視角橫向電極多域排列液顯示面板及製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6882395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達

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嵌入整合隔片與矽光閥之矽晶片基板液晶顯示器與製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I237140 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達、饒永年

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多域分割廣視角液晶顯示器的結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I241425 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達、陳績檍

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光相位補償多域分割液晶顯示器的結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I264583 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉鴻達

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具內凹型表面結構的多域分割液晶顯示器的結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193993 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達, 陳慶逸, 陳績檍

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劉鴻達

職稱: 董事長 | 持有股份數: 89998 | 所代表法人: | 達力南洋先進科技股份有限公司 | 統一編號: 12740923

@ 董監事資料集

劉鴻達

職稱: 董事 | 持有股份數: 3000000 | 所代表法人: | 永達通訊影音工程有限公司 | 統一編號: 83789030

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劉鴻達

職稱: 董事 | 持有股份數: 5000000 | 所代表法人: | 達江南北國際興業有限公司 | 統一編號: 90120097

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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姓名 劉鴻達 找到的公司登記或商業登記

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公司地址負責人統一編號狀態

新竹縣竹北市竹仁里仁義路16巷32號2樓
劉鴻達80216657解散 (核准解散日期: 2024-02-20)

新竹市北區民富里經國路二段248巷6號1樓
劉鴻達12740923核准設立

嘉義縣水上鄉忠和村中庄73之10號1樓
劉鴻達83789030核准設立

新竹市民富里經國路二段248巷6號1樓
劉鴻達90120097核准設立

新竹縣竹北市竹仁里仁義路16巷32號2樓
劉鴻達80647656解散 (核准解散日期: 2024-02-20)

嘉義縣太保市麻寮里麻太路一一九號
劉鴻達13629829歇業 - 獨資

屏東縣里港鄉過江村仁愛路二六巷一弄六號一樓
劉鴻達14473866歇業 - 獨資 (核准文號: 10611468900)

新竹縣竹北市竹仁里仁義路16巷32號3樓
劉鴻達53518320解散 (核准解散日期: 2024-02-20)

登記地址: 新竹縣竹北市竹仁里仁義路16巷32號2樓 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 80216657 | 解散 (核准解散日期: 2024-02-20)

登記地址: 新竹市北區民富里經國路二段248巷6號1樓 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 12740923 | 核准設立

登記地址: 嘉義縣水上鄉忠和村中庄73之10號1樓 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 83789030 | 核准設立

登記地址: 新竹市民富里經國路二段248巷6號1樓 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 90120097 | 核准設立

登記地址: 新竹縣竹北市竹仁里仁義路16巷32號2樓 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 80647656 | 解散 (核准解散日期: 2024-02-20)

登記地址: 嘉義縣太保市麻寮里麻太路一一九號 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 13629829 | 歇業 - 獨資

登記地址: 屏東縣里港鄉過江村仁愛路二六巷一弄六號一樓 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 14473866 | 歇業 - 獨資 (核准文號: 10611468900)

登記地址: 新竹縣竹北市竹仁里仁義路16巷32號3樓 | 負責人: 劉鴻達 | 統編: 53518320 | 解散 (核准解散日期: 2024-02-20)

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軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

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廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 207333 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕

場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW I224352 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰

具有自粘性高分子電解質的鋰電池及其制造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01115531.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌

固態電解電容器以及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223294 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋

電池負極材料及其製法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224404 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉茂煌, 陳金銘, 王富田, 黃國忠, 鄭季汝

以氣噴粉末製作鋁合金濺鍍靶材之方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01134646.9 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 邱思議, 鄭楚丕, 溫志中

銅箔微瘤化處理方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 185721 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀

一種具抗菌性的不銹鋼

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 189417 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 孫道中, 于作浩

光碟薄膜用相變化靶材之回收及再利用技術

核准國家: 美國 | 證書號碼: US 6,635,219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 溫志中, 賴明雄, 李秉璋

高高溫伸長率電解銅箔之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 192043 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲

含細微化組織之合金靶材製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 197245 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳

電子連接器之後端電磁遮蔽元件

核准國家: 美國 | 證書號碼: US 6,705,897 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖

具耐折性之電解銅箔的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 200903 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲

具散熱結構之連接器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 206075 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌

軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 206917 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀

廢棄晶片回收分離及純化之裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 207333 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 溫志中, 鄭楚丕

場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW I224352 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱正茂, 郭鐘亮, 張光榮, 賴詩文, 栗愛綱, 賴宏仁, 橫山明聰

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