控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法的核准國家是美國, 證書號碼是6750834, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是沈毓仁.

序號782
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人沈毓仁
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6750834
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種控制液晶顯示器之電壓-穿透率特徵曲線的方法。此液晶顯示器是由複數個像素所構成,其中每一個像素係包括液晶及一控制電晶體,上述控制電晶體的汲極與閘極分別連接至對應之資料線與掃瞄線,而其源極則連接至液晶一側之電極。另外,液晶另一側之電極則連接至共電極。此方法的特徵在於調變共電極電壓波形,藉以改變液晶顯示器之驅動電壓對顯示器之穿透率的關係,藉以降低資料驅動裝置所需的臨界電壓,增加有效工作電壓範圍。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)

序號

782

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

沈毓仁

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6750834

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種控制液晶顯示器之電壓-穿透率特徵曲線的方法。此液晶顯示器是由複數個像素所構成,其中每一個像素係包括液晶及一控制電晶體,上述控制電晶體的汲極與閘極分別連接至對應之資料線與掃瞄線,而其源極則連接至液晶一側之電極。另外,液晶另一側之電極則連接至共電極。此方法的特徵在於調變共電極電壓波形,藉以改變液晶顯示器之驅動電壓對顯示器之穿透率的關係,藉以降低資料驅動裝置所需的臨界電壓,增加有效工作電壓範圍。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電,95年改為電資通光

特殊情形

(空)

根據識別碼 6750834 找到的相關資料

無其他 6750834 資料。

[ 搜尋所有 6750834 ... ]

根據名稱 控制液晶顯示器之電壓-穿透率特徵曲線的方法 找到的相關資料

無其他 控制液晶顯示器之電壓-穿透率特徵曲線的方法 資料。

[ 搜尋所有 控制液晶顯示器之電壓-穿透率特徵曲線的方法 ... ]

根據姓名 沈毓仁 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 沈毓仁 ...)

顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200771 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊 | 楊和興 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190469 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 陳建志 | 陳明道 | 廖明俊

@ 技術司專利資料集

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6680755 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 陳建志 | 陳明道 | 廖明俊

@ 技術司專利資料集

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3522705 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190470 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6778161 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200112 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 廖明俊 | 徐正池

@ 技術司專利資料集

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206462 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200771 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊 | 楊和興 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190469 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 陳建志 | 陳明道 | 廖明俊

@ 技術司專利資料集

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6680755 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 陳建志 | 陳明道 | 廖明俊

@ 技術司專利資料集

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3522705 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190470 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6778161 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200112 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 廖明俊 | 徐正池

@ 技術司專利資料集

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206462 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸 | 沈毓仁

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 沈毓仁 ... ]

根據電話 03-5913551 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5913551 ...)

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-5913551 ... ]

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:


與控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法同分類的技術司專利資料集

用於工件表面之具有低沾黏及低摩擦之鍍 膜

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199489 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文 | 邱松茂 | 羅萬中

非金屬基材表面之多層金屬鍍膜及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207037 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文 | 劉伍健 | 卓廷彬 | 楊玉森

具有輔助磁極組之磁控靶源裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 210407 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健 | 楊玉森

鎳合金電鑄手指手套模具之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184907 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳建仁 | 蔡兆豐 | 陳正義 | 鄭勝元

球閥耐火結構改良

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 211530 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 江文欽

模具內傳送機構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 214980 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩 | 蔡行知 | 魏江銘

球閥結構改良

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220003 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽 | 林庭凱

用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195390 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文 | 楊玉森 | 邱松茂

U形支架式具位置指示之閥手輪

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222536 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪 | 林進順

球閥結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 634651 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽 | 林庭凱

球閥防火結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 634266 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 江文欽

中空金屬套管成形方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201043 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰 | 賴逸林 | 鄭勝元

U形支架式具位置指示之閥手輪

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 639900 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪 | 林進順

波紋管之製造方法及該波紋管之膜片組串接成型裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達 | 曾光宏 | 侯信男 | 黃仁隆 | 曾界彰

嵌入網際網路整合式晶片控制閥驅動器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 204712 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 古嘉琳

用於工件表面之具有低沾黏及低摩擦之鍍 膜

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 199489 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文 | 邱松茂 | 羅萬中

非金屬基材表面之多層金屬鍍膜及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207037 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文 | 劉伍健 | 卓廷彬 | 楊玉森

具有輔助磁極組之磁控靶源裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 210407 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健 | 楊玉森

鎳合金電鑄手指手套模具之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184907 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳建仁 | 蔡兆豐 | 陳正義 | 鄭勝元

球閥耐火結構改良

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 211530 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 江文欽

模具內傳送機構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 214980 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩 | 蔡行知 | 魏江銘

球閥結構改良

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220003 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽 | 林庭凱

用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195390 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文 | 楊玉森 | 邱松茂

U形支架式具位置指示之閥手輪

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222536 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪 | 林進順

球閥結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 634651 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽 | 林庭凱

球閥防火結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 634266 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 江文欽

中空金屬套管成形方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201043 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰 | 賴逸林 | 鄭勝元

U形支架式具位置指示之閥手輪

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 639900 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪 | 林進順

波紋管之製造方法及該波紋管之膜片組串接成型裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達 | 曾光宏 | 侯信男 | 黃仁隆 | 曾界彰

嵌入網際網路整合式晶片控制閥驅動器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 204712 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順 | 古嘉琳

 |