具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體的核准國家是中華民國, 證書號碼是200395, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是洪建中, 高明哲.

序號	827
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	洪建中 \| 高明哲
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	200395
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體，係以磁性接面元件為記憶核心的磁性記憶細胞元，係在磁性接面元件細胞元的兩側放置能流通電流的金屬柱，所組成的磁性隨機存取記憶體之改良型結構。藉由磁性接面元件附近或纏繞的金屬柱感應所增加的總磁場，使磁性接面元件細胞元處的磁場強度有明顯增強，以達本發明具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體之目的與功效，進而使磁性隨機存取記憶體功率消耗降低。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

827

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

洪建中 | 高明哲

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

200395

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體，係以磁性接面元件為記憶核心的磁性記憶細胞元，係在磁性接面元件細胞元的兩側放置能流通電流的金屬柱，所組成的磁性隨機存取記憶體之改良型結構。藉由磁性接面元件附近或纏繞的金屬柱感應所增加的總磁場，使磁性接面元件細胞元處的磁場強度有明顯增強，以達本發明具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體之目的與功效，進而使磁性隨機存取記憶體功率消耗降低。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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樹林藝文綜合行政大樓	站位代碼: 73160 \| 地址: 新北市樹林區樹新路97號對面(向北) \| 去返程: 0 \| 上下車站別: 0 \| 所屬路線代碼: 16608 \| Bus Stop Name: Shulin Arts Administration Building @ 公車站位資訊
新北市板橋區永豐街４９巷１８號三樓	總價元: 39600000 \| 房地(土地+建物)+車位 \| 建物移轉總面積平方公尺: 205.45 \| 土地移轉總面積平方公尺: 24.47 \| 建築完成年月: 1060811 \| 都市土地使用分區: 住 \| 建物型態: 住宅大樓(11層含以上有電梯) \| 主要用途: 其他 \| 交易年月日: 1120926 @ 不動產實價登錄資訊-買賣案件
榮豐商行	糧商電話號碼: (03)9226189 \| 稻米 \| 買賣（零售、批發) \| 宜蘭縣員山鄉同樂村蘭城路39之4號1樓 @ 糧商資訊系統

樹林藝文綜合行政大樓

@ 公車站位資訊

新北市板橋區永豐街４９巷１８號三樓

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

榮豐商行

糧商電話號碼: (03)9226189 | 稻米 | 買賣（零售、批發) | 宜蘭縣員山鄉同樂村蘭城路39之4號1樓

@ 糧商資訊系統

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具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL02127098.8 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中、高明哲 @ 技術司專利資料集
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6642595 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲 @ 技術司專利資料集
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4310131 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 , @ 技術司專利資料集

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高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4293828 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,潘宗銘 , @ 技術司專利資料集
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198431 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 @ 技術司專利資料集
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 @ 技術司專利資料集
高寫入選擇性和低功率之磁性隨機存取記憶體及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,359,237 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中高明哲陳永祥李樹恩 @ 技術司專利資料集
高寫入選擇性和低功率之磁性隨機存取記憶體及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7359237 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中高明哲陳永祥李樹恩 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I313457 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 , @ 技術司專利資料集
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223259 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 @ 技術司專利資料集

高密度磁性隨機存取記憶體

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高密度磁性隨機存取記憶體

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高密度磁性隨機存取記憶體

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高寫入選擇性和低功率之磁性隨機存取記憶體及其製造方法

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高寫入選擇性和低功率之磁性隨機存取記憶體及其製造方法

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高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法

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磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器

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4"10"20" 奈米碳管背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
20吋奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20”；均勻度 \| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集

4"10"20" 奈米碳管背光技術

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LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

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多重可變位址映射電路	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 特許第3497810號 \| 專利期間起: 36815 \| 專利期間訖: 44119 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 吳穆
多重可變位址映射電路	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 第177979號 \| 專利期間起: 38287 \| 專利期間訖: 44086 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 吳穆
私密資料下載協定	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 第153182號 \| 專利期間起: 38105 \| 專利期間訖: 44003 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 顏嵩銘、歐陽瑞臨、李逸元
用於非同步傳輸模式無線網路之可動態控制資訊框尺寸以確保服務品質的媒體存取控制方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第190958號 \| 專利期間起: 37936 \| 專利期間訖: 44445 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 楊啟瑞、羅志鵬、陳右國
可彈性調整之快速網路封包分類方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US6754213B2 \| 專利期間起: 38160 \| 專利期間訖: 44799 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 楊儒林
在行動通訊中改善交接平順之方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 第185504號 \| 專利期間起: 38336 \| 專利期間訖: 44558 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 林祺政
知悉應用協定之網路封包快速分類方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197188號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 楊儒林、林軍鼐
ARM處理器平台資料錯誤例外之修補方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第222558號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 陳華傑
有效處理被切割封包之服務品質保證路由器系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第204686號 \| 專利期間起: 38139 \| 專利期間訖: 44876 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 林軍鼐
處理私有網路經IP切割之封包的閘道器系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I220617號 \| 專利期間起: 38220 \| 專利期間訖: 44876 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 林軍鼐
可擴充連線數量的NAPT閘道器系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第222811號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 林軍鼐
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可調整嵌入式系統開機速度的系統映像製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第203909號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 翁志昌.黃建文.李正中
數位影像版權之保護與驗證方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第199742號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 孫宏民、陳孟彰、林宸堂
分散式網路連結掃描之掃描點選擇方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第220613號 \| 專利期間起: 38220 \| 專利期間訖: 44918 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 資策會 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 \| 專利發明人: 林華君、王建興、張麗容

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產出單位

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專利發明人

核准國家

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