具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是206597, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是張鈞傑, 莊景桑, 陳志強.

序號857
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人張鈞傑 | 莊景桑 | 陳志強
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼206597
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有不同夾厚(cell gap)的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法,其特徵在於:形成一彩色濾光片於反射電極與透明電極上,其中位在反射區之彩色濾光片厚度比位在穿透區之彩色濾光片厚度薄,以及形成一透明有機結構於位在反射區的共通電極上,該透明有機結構的一端撐住彩色濾光片,並使得位在反射區的液晶層夾厚小於位在穿透區的液晶層夾厚。根據本發明,能夠得到在穿透與反射模式下的顏色飽和度相近且又具有不同夾厚之半穿透式液晶顯示器裝置。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)

序號

857

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

張鈞傑 | 莊景桑 | 陳志強

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

206597

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有不同夾厚(cell gap)的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法,其特徵在於:形成一彩色濾光片於反射電極與透明電極上,其中位在反射區之彩色濾光片厚度比位在穿透區之彩色濾光片厚度薄,以及形成一透明有機結構於位在反射區的共通電極上,該透明有機結構的一端撐住彩色濾光片,並使得位在反射區的液晶層夾厚小於位在穿透區的液晶層夾厚。根據本發明,能夠得到在穿透與反射模式下的顏色飽和度相近且又具有不同夾厚之半穿透式液晶顯示器裝置。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電,95年改為電資通光

特殊情形

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活動中心

站位代碼: 2914 | 地址: 民義路二段97-1號同向(向東) | 去返程: 0 | 上下車站別: 0 | 所屬路線代碼: 16851 | Bus Stop Name: Activity Center

@ 公車站位資訊

陽明診所

連絡電話: (04)26234075 | 機構類型: 西醫 | 地址: 臺中市清水區南寧里29鄰光華路75號

@ 臺中市敬老愛心卡合約診所據點

活動中心

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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 4271000 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強

@ 技術司專利資料集

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6870585 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑、莊景桑、陳志強

@ 技術司專利資料集

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 4271000 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強

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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6870585 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑、莊景桑、陳志強

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形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

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形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑

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形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

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形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強、莊景桑、張鈞傑

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形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

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形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑

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形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

@ 技術司專利資料集

形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強、莊景桑、張鈞傑

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

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LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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與具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法同分類的技術司專利資料集

光盤承載裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00129763.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃偉煜

動態減震系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206772 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊志軒, 謝政揚, 黃振源, 張啟伸

聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00108097.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 朱良謙, 張志吉

可調整的鏡群裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195758 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧, 劉通發

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,798,923 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 215325 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98106298.9 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98116196.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 證書號碼: 19914700 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98115179.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98118397.2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98124126.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100896.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100897.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪

光盤承載裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00129763.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃偉煜

動態減震系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206772 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊志軒, 謝政揚, 黃振源, 張啟伸

聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00108097.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 朱良謙, 張志吉

可調整的鏡群裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195758 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 涂銀發, 姜皇成, 陳志文, 張耿智

雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201010 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林明慧, 劉通發

環場影像接圖器及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,798,923 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝君偉, 江政欽, 魏德樂

取紙傳動模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 215325 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林智堅, 陳英棋, 鄭兆凱, 張惠珍

噴墨印頭的封裝方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98106298.9 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 藍元亮, 吳義勇, 邱紹玲, 劉克明, 鄭淑娟

噴墨印頭結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98116196.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文

墨水通道設計

核准國家: 德國 | 證書號碼: 19914700 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳義勇, 胡紀平, 賴怡絢, 莊育洪, 王介文

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98115179.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98118397.2 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL98124126.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100896.X | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL00100897.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪

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