一種長管內表面電解拋光裝置
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專利名稱-中文一種長管內表面電解拋光裝置的核准國家是美國, 證書號碼是6660138, 專利性質是發明, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是林春宏, 蔡陳德, 鍾允昇, 吳錦清, 陳裕豐, 王漢聰.

序號	944
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	一種長管內表面電解拋光裝置
執行單位	工研院機械所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人	林春宏 \| 蔡陳德 \| 鍾允昇 \| 吳錦清 \| 陳裕豐 \| 王漢聰
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6660138
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本創作係有關於一種長管內表面電解拋光裝置，尤指一種應用於長度為二公尺以上、管徑為界於0.3公分與5公分之間的長管內表面拋光裝置。其中，本創作係包括至少一管件、一組合式電極；其中該管件的一內面係待電解拋光面，亦為本電解反應之陽極；該電極係陰極，且設於該隔板的中心位置；電極之一端外接一電纜，該電纜係被一牽引機構連接，以將該電極往牽引機構的方向移動之；藉由電解液充塞於管件內，並為本電解反應之導電介質，而將陰極、陽極導成一通路，意配合電極的移動，以進行管件內面的電解拋光反應。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	董月嬌
電話	03-5915914
傳真	03-5826534
電子信箱	joycedong@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

944

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

一種長管內表面電解拋光裝置

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

林春宏 | 蔡陳德 | 鍾允昇 | 吳錦清 | 陳裕豐 | 王漢聰

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6660138

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本創作係有關於一種長管內表面電解拋光裝置，尤指一種應用於長度為二公尺以上、管徑為界於0.3公分與5公分之間的長管內表面拋光裝置。其中，本創作係包括至少一管件、一組合式電極；其中該管件的一內面係待電解拋光面，亦為本電解反應之陽極；該電極係陰極，且設於該隔板的中心位置；電極之一端外接一電纜，該電纜係被一牽引機構連接，以將該電極往牽引機構的方向移動之；藉由電解液充塞於管件內，並為本電解反應之導電介質，而將陰極、陽極導成一通路，意配合電極的移動，以進行管件內面的電解拋光反應。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

董月嬌

電話

03-5915914

傳真

03-5826534

電子信箱

joycedong@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

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刀具狀態檢測裝置及方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610169985.6 \| 專利期間起: 100/12/14 \| 專利期間訖: 115/12/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 工研院中分院區域研發計畫-新世代智能工廠控制系統發展計畫 \| 專利發明人: 張漢傑 @ 技術司專利資料集
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無電鍍形成雙層以上金屬凸塊的製備方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01118735.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 梁沐旺 \| 曾乙修 \| 蔣邦民 @ 技術司專利資料集
無電鍍形成雙層以上金屬凸塊之製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6653235 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 梁沐旺 \| 曾乙修 \| 蔣邦民 @ 技術司專利資料集
微工件之選料裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6817465 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 潘正堂 \| 吳東權 @ 技術司專利資料集
潔淨容器之氣孔裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6732877 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳宗明 \| 蔡昇富 \| 蘇戊成 @ 技術司專利資料集

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N型奈米碳管元件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王宏祥 \| 魏拯華 \| 高明哲
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190648 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑 \| 陳志強 \| 莊景桑
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埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192752 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇
埋藏式電容結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6813138 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇
超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223446 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學 \| 陳邦旭 \| 陸新起 \| 劉致為
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橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206589 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明 \| 范揚宜 \| 許家榮 \| 陳慶逸
測試蝕刻速率的結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197248 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 王欽宏 \| 梁兆鈞 \| 陳玉華
微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188284 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6725882 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁 \| 吳志文 \| 姚南光 \| 龐紹華 \| 郭遠峰
薄膜電晶體的結構、其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198288 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林炯暐 \| 葉永輝
移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220255 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 王博文 \| 林展瑞
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192543 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 陳昌昇 \| 吳俊昆 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 賴穎俊
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202861 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維 \| 李永忠 \| 潘宗銘 \| 卓言

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執行單位

產出單位

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專利發明人

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