多晶矽之結晶形成方法
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專利名稱-中文多晶矽之結晶形成方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是94, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是林家興、陳麒麟、陳昱丞, 證書號碼是I233457.

序號	1717
產出年度	94
領域別	(空)
專利名稱-中文	多晶矽之結晶形成方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	林家興、陳麒麟、陳昱丞
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I233457
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

1717

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

多晶矽之結晶形成方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

林家興、陳麒麟、陳昱丞

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I233457

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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多晶矽之結晶形成方法

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多晶矽結晶的控制方法	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,陳昱丞 ,羅毅榮 , \| 證書號碼: 4286692 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
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蝕刻玻璃面板之裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 \| 證書號碼: 6673195
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 184692
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 6714268
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具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 \| 證書號碼: 6677189
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可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 李明林, 徐欽山 \| 證書號碼: 6683469
子母貫通孔結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 \| 證書號碼: 6717071
一種GAMMA校正驅動系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 \| 證書號碼: 193940
三極結構電子發射源之製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 \| 證書號碼: 6705910
低溫多晶矽的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 \| 證書號碼: 206403
控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁 \| 證書號碼: 6750834
奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 \| 證書號碼: 6811457
具低切換雜訊之構裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 \| 證書號碼: 6683781

多晶矽之結晶形成方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

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領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

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專利期間起

專利期間訖

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