多晶矽之結晶形成方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文多晶矽之結晶形成方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是95, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是林家興、陳麒麟、陳昱丞.

序號2290
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文多晶矽之結晶形成方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林家興、陳麒麟、陳昱丞
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。An amorphous silicon layer is formed on a substrate, and then a protective layer and a reflective layer are formed in turn to form a film stack on portions of the amorphous silicon layer. The reflective layer is a metal layer with reflectivity of laser, and the protective layer is able to prevent metal pollution. When an excimer laser heating is performed to crystallize the amorphous silicon, nucleation sites are formed in the amorphous silicon layer under the film stack of the protective layer and the reflective layer. Next, laterally expanding crystallization is occurred in the amorphous silicon layer to form poly-silicon having grains with size of micrometer and fine order.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

2290

產出年度

95

領域別

(空)

專利名稱-中文

多晶矽之結晶形成方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

林家興、陳麒麟、陳昱丞

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

(空)

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。An amorphous silicon layer is formed on a substrate, and then a protective layer and a reflective layer are formed in turn to form a film stack on portions of the amorphous silicon layer. The reflective layer is a metal layer with reflectivity of laser, and the protective layer is able to prevent metal pollution. When an excimer laser heating is performed to crystallize the amorphous silicon, nucleation sites are formed in the amorphous silicon layer under the film stack of the protective layer and the reflective layer. Next, laterally expanding crystallization is occurred in the amorphous silicon layer to form poly-silicon having grains with size of micrometer and fine order.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

根據名稱 多晶矽之結晶形成方法 找到的相關資料

# 多晶矽之結晶形成方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號1717
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文多晶矽之結晶形成方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林家興、陳麒麟、陳昱丞
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I233457
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
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備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1717
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 多晶矽之結晶形成方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林家興、陳麒麟、陳昱丞
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I233457
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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根據姓名 林家興 陳麒麟 陳昱丞 找到的相關資料

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多晶矽結晶的控制方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 陳麒麟 陳昱丞 羅毅榮 | 證書號碼: 7,435,667

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多晶矽結晶的控制方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,陳昱丞 ,羅毅榮 , | 證書號碼: 4286692

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多晶矽結晶的控制方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,陳昱丞 ,羅毅榮 , | 證書號碼: I310585

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多晶矽平坦化之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳昱丞 林家興 陳麒麟 | 證書號碼: I301641

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

用於制作多晶硅的輔助激光結晶的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,蔡柏豪 ,陳昱丞 , | 證書號碼: ZL200410085851.7

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種用於多晶矽製作之輔助雷射結晶的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,蔡柏豪 ,陳昱丞 , | 證書號碼: I312545

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

薄膜電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳麒麟, 蔡柏豪, 陳宏澤, 陳昱丞, 林家興 | 證書號碼: I316264

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多晶矽結晶的控制方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 陳麒麟 陳昱丞 羅毅榮 | 證書號碼: 7,435,667

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多晶矽結晶的控制方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,陳昱丞 ,羅毅榮 , | 證書號碼: 4286692

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多晶矽結晶的控制方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,陳昱丞 ,羅毅榮 , | 證書號碼: I310585

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

多晶矽平坦化之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳昱丞 林家興 陳麒麟 | 證書號碼: I301641

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

用於制作多晶硅的輔助激光結晶的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,蔡柏豪 ,陳昱丞 , | 證書號碼: ZL200410085851.7

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種用於多晶矽製作之輔助雷射結晶的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林家興 ,陳麒麟 ,蔡柏豪 ,陳昱丞 , | 證書號碼: I312545

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薄膜電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 陳麒麟, 蔡柏豪, 陳宏澤, 陳昱丞, 林家興 | 證書號碼: I316264

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根據電話 03-5916037 找到的相關資料

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# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號1066
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文一種高速假撚方法
執行單位工研院化工所
產出單位(空)
計畫名稱高科技纖維與產品技術開發四年計畫
專利發明人陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼207547
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種新穎的紡絲油劑組成物，應用在合成纖維部份延伸絲(POY)的摩擦假撚加工上，可避免因灰分累積於加熱絲導所產生的種種不良影響。本發明之紡絲油劑組成物包括：(A)環氧乙烷/環氧化丙烯共聚物；(B)多氧乙烯基烷基苯基醚；以及(C)銨基磺酸鹽抗靜電劑。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1066
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 一種高速假撚方法
執行單位: 工研院化工所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫
專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 207547
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種新穎的紡絲油劑組成物，應用在合成纖維部份延伸絲(POY)的摩擦假撚加工上，可避免因灰分累積於加熱絲導所產生的種種不良影響。本發明之紡絲油劑組成物包括：(A)環氧乙烷/環氧化丙烯共聚物；(B)多氧乙烯基烷基苯基醚；以及(C)銨基磺酸鹽抗靜電劑。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號1067
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人王興昇、李榮賢、陳棓煌
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼207522
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明包含有一基板，晶月，信號傳遞裝置以做為晶月與基板之間之電性連結，導體球陣列(BGA)做為對外訊號之傳遞，晶片、基板與一散熱元件間則以絕緣封裝體加以覆蓋，散熱元件，具有支撐器位於角落凸出於金屬板之"下表面以利於與基板連接，基板包含一島位用以置放上述之晶月，一電源環形成於島住之周圍用以輸入電源，一接地環則環繞於電源環，上述之接地環具有複數個接地墊以銜接散熱元件之支_x000D_撐器。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1067
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 207522
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明包含有一基板，晶月，信號傳遞裝置以做為晶月與基板之間之電性連結，導體球陣列(BGA)做為對外訊號之傳遞，晶片、基板與一散熱元件間則以絕緣封裝體加以覆蓋，散熱元件，具有支撐器位於角落凸出於金屬板之"下表面以利於與基板連接，基板包含一島位用以置放上述之晶月，一電源環形成於島住之周圍用以輸入電源，一接地環則環繞於電源環，上述之接地環具有複數個接地墊以銜接散熱元件之支_x000D_撐器。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號1073
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文熱管均熱板
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人張長生、楊書榮
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼226177
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文本創作揭露一種熱管均熱板，主要用於將散熱面積小的熱源，如電子元件，透過本 創作之熱管均熱板的均熱傳遞作用，迅速且均勻地導引至較大的散熱面來做更有效 的散熱，解決散熱面積小的熱源無法有效散熱，以及無法有效利用較大面積來幫助 散熱的問題。本創作係為兩片金屬板片包夾毛細結構形成一密閉的板型熱管結構， 其中一板片內部更具有凸出結構，利用熱管原理配合本創作所設計的毛細結構及內 部間隔空間，當均熱板局部位置接觸較小面積之發熱源時，能迅速吸熱並且傳遞至 另一面的整個板片，再透過較大面積之板片表面或其表面所附加之散熱片散
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1073
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 熱管均熱板
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 張長生、楊書榮
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 226177
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 本創作揭露一種熱管均熱板，主要用於將散熱面積小的熱源，如電子元件，透過本 創作之熱管均熱板的均熱傳遞作用，迅速且均勻地導引至較大的散熱面來做更有效 的散熱，解決散熱面積小的熱源無法有效散熱，以及無法有效利用較大面積來幫助 散熱的問題。本創作係為兩片金屬板片包夾毛細結構形成一密閉的板型熱管結構， 其中一板片內部更具有凸出結構，利用熱管原理配合本創作所設計的毛細結構及內 部間隔空間，當均熱板局部位置接觸較小面積之發熱源時，能迅速吸熱並且傳遞至 另一面的整個板片，再透過較大面積之板片表面或其表面所附加之散熱片散
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號1075
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文一種資料通訊的方法
執行單位工研院電通所
產出單位(空)
計畫名稱無線通訊技術發展五年計畫
專利發明人吳炯憲、馬金溝
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6496481
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種資料通訊之方法。首先，發送瑞根據第一控制窗所允許傳送之資料封包個 數，連續送出多數個資料封包至接收端，且接收端檢查所收到之資料封包是否含有 錯誤資料封包。在接收端收到一資料封包群之後，便將各個資料封包之傳送錯誤狀 態記載於一回應封包(ACK)內，並將回應封包傳回至發送端，而發送端於收到回應 封包後立即將錯誤的資料封包重送至接收端，然後緊接著傳送下一資料封包群，每 一資料封包群包含多數個料封包，其個數由第二控制窗決定，因此，第二控制窗的 決定了錯誤狀態被回應的間隔時間與一資料封包群之所含該資料封包的佪數，並且 ，藉由限制錯誤資料封包被更正的次數，可將有效的傳輸延遲限定在一定時間內， 而達到即時的要求。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1075
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 一種資料通訊的方法
執行單位: 工研院電通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫
專利發明人: 吳炯憲、馬金溝
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6496481
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種資料通訊之方法。首先，發送瑞根據第一控制窗所允許傳送之資料封包個 數，連續送出多數個資料封包至接收端，且接收端檢查所收到之資料封包是否含有 錯誤資料封包。在接收端收到一資料封包群之後，便將各個資料封包之傳送錯誤狀 態記載於一回應封包(ACK)內，並將回應封包傳回至發送端，而發送端於收到回應 封包後立即將錯誤的資料封包重送至接收端，然後緊接著傳送下一資料封包群，每 一資料封包群包含多數個料封包，其個數由第二控制窗決定，因此，第二控制窗的 決定了錯誤狀態被回應的間隔時間與一資料封包群之所含該資料封包的佪數，並且 ，藉由限制錯誤資料封包被更正的次數，可將有效的傳輸延遲限定在一定時間內， 而達到即時的要求。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號1079
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文Optical Disk Control Mechanism
執行單位工研院光電所
產出單位(空)
計畫名稱前瞻光資訊系統技術發展計畫
專利發明人藍永松、張啟伸
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6665253
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種光碟機控制機構，至少包括：一馬達。一傳動構件，藉由馬達可以使傳動構件轉動，而傳動構件至少具有一第一時序元件、一第二時序元件。一極限開關，具有一第一電極頭、一第二電極頭，在傳動構件轉動的過程中，第一時序元件會碰觸到第一電極頭，而使第一電極頭與第二電極頭相互碰觸。一滑片，具有一端緣，在傳動構件轉動的過程中，第二時序元件會碰觸到滑片的端緣，使滑片滑動。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1079
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: Optical Disk Control Mechanism
執行單位: 工研院光電所
產出單位: (空)
計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫
專利發明人: 藍永松、張啟伸
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6665253
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種光碟機控制機構，至少包括：一馬達。一傳動構件，藉由馬達可以使傳動構件轉動，而傳動構件至少具有一第一時序元件、一第二時序元件。一極限開關，具有一第一電極頭、一第二電極頭，在傳動構件轉動的過程中，第一時序元件會碰觸到第一電極頭，而使第一電極頭與第二電極頭相互碰觸。一滑片，具有一端緣，在傳動構件轉動的過程中，第二時序元件會碰觸到滑片的端緣，使滑片滑動。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號1080
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文時序還原之方法與系統
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家德國
獲證日期(空)
證書號碼573696
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1080
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 時序還原之方法與系統
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家: 德國
獲證日期: (空)
證書號碼: 573696
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號1081
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文時序還原之方法與系統
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家英國
獲證日期(空)
證書號碼573696
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1081
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 時序還原之方法與系統
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家: 英國
獲證日期: (空)
證書號碼: 573696
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號1082
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法
執行單位工研院生醫中心
產出單位(空)
計畫名稱抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫
專利發明人潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼157850
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種萃取中草藥中醣甘類化合物之雙水相系統，包括：水萃液；約5wt%-30wt% 的鹽類；約5wt%-30wt%的多醇；及選擇性地約5wt%～-30wt%的醇類。鹽類可以是磷 酸二氫鹽類、磷酸氫二鹽類、磷酸鹽類、或其任二者或三者之混合物、硫酸鹽類、 氯化鹽類、草酸鹽類或醋酸鹽類。另外，揭露一種利用上述雙水相系統之方法，包 括：水萃、濃縮乾燥、利用上述雙水相系統分相、取水層並濃縮乾燥、加溶劑清洗 、超音波震盪、離心取濾液、低溫下靜置沈澱、固液分離、濃縮乾燥。_x000D_ An aqueous two-phase sy
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1082
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法
執行單位: 工研院生醫中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫
專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 157850
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種萃取中草藥中醣甘類化合物之雙水相系統，包括：水萃液；約5wt%-30wt% 的鹽類；約5wt%-30wt%的多醇；及選擇性地約5wt%～-30wt%的醇類。鹽類可以是磷 酸二氫鹽類、磷酸氫二鹽類、磷酸鹽類、或其任二者或三者之混合物、硫酸鹽類、 氯化鹽類、草酸鹽類或醋酸鹽類。另外，揭露一種利用上述雙水相系統之方法，包 括：水萃、濃縮乾燥、利用上述雙水相系統分相、取水層並濃縮乾燥、加溶劑清洗 、超音波震盪、離心取濾液、低溫下靜置沈澱、固液分離、濃縮乾燥。_x000D_ An aqueous two-phase sy
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)
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與多晶矽之結晶形成方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 | 證書號碼: 6717071

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 | 證書號碼: 6717071

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

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