感測放大器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文感測放大器的核准國家是中華民國, 證書號碼是I303068, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是97, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是張嘉伯林志昇蘇耿立.

序號	4153
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	感測放大器
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	張嘉伯林志昇蘇耿立
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I303068
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明為一種感測放大器，包括：一第一電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第一參考電流輸出一第一電流以及一第二電流，其中第二電流為第一電流的兩倍；一第二電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第二參考電流輸出一第三電流；一第一阻抗元件，耦接該第二電流以及一低電壓源；一第二阻抗元件，耦接該第三電流以及該低電壓源；一第三電流鏡單元，耦接該第一電流、該第二電流以及該第三電流，並根據該第一電流為該第三電流鏡單元的參考電流，使得流經該第一阻抗元件的電流為該第一電流，流經該第二阻抗元件的電流為一第四電流。 The invention relates to a sense amplifier comprising the following element: a first current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a first current and a second current according to a first reference current, wherein the second current is double of the first current; a second current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a third current according to a second reference current; a first impendence coupled to the second current and a low voltage source; a second impendence coupled to the third current and a low voltage source; a third current mirror coupled to the first, second and third currents, and the first current is regarded as the reference current of the third current mirror unit, thus, the current which flows through the first impendence is the first current, and the current which flows through the second impendence is a fourth current.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)

序號

4153

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

感測放大器

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

張嘉伯林志昇蘇耿立

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I303068

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明為一種感測放大器，包括：一第一電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第一參考電流輸出一第一電流以及一第二電流，其中第二電流為第一電流的兩倍；一第二電流鏡單元，耦接一高電壓源，根據一第二參考電流輸出一第三電流；一第一阻抗元件，耦接該第二電流以及一低電壓源；一第二阻抗元件，耦接該第三電流以及該低電壓源；一第三電流鏡單元，耦接該第一電流、該第二電流以及該第三電流，並根據該第一電流為該第三電流鏡單元的參考電流，使得流經該第一阻抗元件的電流為該第一電流，流經該第二阻抗元件的電流為一第四電流。 The invention relates to a sense amplifier comprising the following element: a first current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a first current and a second current according to a first reference current, wherein the second current is double of the first current; a second current mirror unit coupled to a high voltage source, outputting a third current according to a second reference current; a first impendence coupled to the second current and a low voltage source; a second impendence coupled to the third current and a low voltage source; a third current mirror coupled to the first, second and third currents, and the first current is regarded as the reference current of the third current mirror unit, thus, the current which flows through the first impendence is the first current, and the current which flows through the second impendence is a fourth current.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

(空)

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應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I298886 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7486546 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I312154 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7539068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,394,295 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 @ 技術司專利資料集
感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7394295 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 @ 技術司專利資料集
以電壓極性致動偵測之半導體氫氣感測器含積體化感測放大器	計畫編號: 104-2221-E-019-021-MY2 \| 日期: 20150801 \| 序號: 313717 @ 國家科學及技術委員會工程科技研究成果報告清冊
權重共享深度神經網路加速器結合記憶體內運算之感測機制與感測放大器設計	作者: 黃健宸 \| 指導教授: 王進賢 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 108 \| 論文名稱(外文): Design of Sensing Scheme and Sense Amplifier for CIM-Based Weight-Sharing DNN Accelerator \| 系所名稱: 電機工程研究所 \| 學校名稱: 國立中正大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

應用於記憶體之多穩態感測放大器

記憶體架構及其寫入方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I279802 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立林志昇張嘉伯 @ 技術司專利資料集
記憶體結構及其寫入方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7508727 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立 \| 林志昇 \| 張嘉伯 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 \| 柯明道 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰 \| 蘇漢威 \| 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖 \| 楊浩熏 \| 時國誠 \| 蘇再添 @ 技術司專利資料集
停車管理系統及裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710159782.3 \| 專利期間起: 100/03/16 \| 專利期間訖: 116/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 郭倫嘉 \| 吳忠郼 \| 沈仲九 \| 黃士一 @ 技術司專利資料集

可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6683469 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 李明林 \| 徐欽山
子母貫通孔結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6717071 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 張慧如 \| 李明林 \| 何宗哲
一種GAMMA校正驅動系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193940 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王博文 \| 陳明道 \| 陳尚立
三極結構電子發射源之製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6705910 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李正中 \| 何家充 \| 許志榮 \| 鄭華琦 \| 張悠揚
低溫多晶矽的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206403 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林憲信 \| 李介文 \| 鄭紹良 \| 陳力俊 \| 彭遠清 \| 王文通
控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6750834 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁
奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6811457 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭華琦 \| 李正中 \| 廖貞慧 \| 張悠揚 \| 許志榮 \| 何家充
具低切換雜訊之構裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6683781 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 何宗哲 \| 李明林 \| 張慧如 \| 賴信助
低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6670224 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖 \| 常鼎國 \| 陳丕夫 \| 康育銘 \| 戴遠東
傾斜散射反射板的製造方法與結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692902 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 翁逸君 \| 魏明達 \| 張上文
低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692791 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 許志榮 \| 李鈞道 \| 李正中
無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6656772 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋
使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6605491 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 謝有德 \| 張世明 \| 林文迪
可調式電容及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185849 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 林瑞進 \| 吳家宏 \| 周坤和
具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3533205 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 林俊仁 \| 陳仲竹

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