Mehtod of fabricating a polymer-based capacitive ultrasonic transducer(高分子基電容式超音波換能器製作方法)
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文Mehtod of fabricating a polymer-based capacitive ultrasonic transducer(高分子基電容式超音波換能器製作方法)的核准國家是日本, 執行單位是工研院辨識中心, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫, 專利發明人是張明暐龐大成曾昭勝, 證書號碼是4142040.

序號	4487
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	Mehtod of fabricating a polymer-based capacitive ultrasonic transducer(高分子基電容式超音波換能器製作方法)
執行單位	工研院辨識中心
產出單位	(空)
計畫名稱	無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫
專利發明人	張明暐龐大成曾昭勝
核准國家	日本
獲證日期	(空)
證書號碼	4142040
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種高分子基電容式超音波換能器製作方法，該方法包含步驟a)提供一基板；b)形成一第一導體部於該基板上；c)塗佈一犧牲層於該基板上，使其覆蓋該第一導體部；d)蝕刻該犧牲層，形成與該第一導體部接觸之一腔體部；e)塗佈一第一高分子基材料於該基板上，且使其完全覆蓋該腔體部；f)形成一第二導體部於該第一高分子基材料上；g)開設可通達該腔體部之一通孔於該第一高分子基材料上；以及h)利用該通孔對該腔體部進行蝕刻，藉以完全移除該腔體部。 A method of fabricating a polymer-based capacitive ultrasonic transducer, which comprises the steps of: (a) providing a substrate; (b) forming a first conductor on the substrate; (c) coating a sacrificial layer on the substrate while covering the first conductor by the same; (d) etching the sacrificial layer for forming an island while maintaining the island to contact with the first conductor; (e) coating a first polymer-based material on the substrate while covering the island by the same; (f) forming a second conductor on the first polymer-based material; (g) forming a via hole on the first polymer-based material while enabling the via hole to be channeled to the island; and (h) utilizing the via hole to etch and remove the island for forming a cavity.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

4487

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

Mehtod of fabricating a polymer-based capacitive ultrasonic transducer(高分子基電容式超音波換能器製作方法)

執行單位

工研院辨識中心

產出單位

(空)

計畫名稱

無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫

專利發明人

張明暐龐大成曾昭勝

核准國家

日本

獲證日期

(空)

證書號碼

4142040

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種高分子基電容式超音波換能器製作方法，該方法包含步驟a)提供一基板；b)形成一第一導體部於該基板上；c)塗佈一犧牲層於該基板上，使其覆蓋該第一導體部；d)蝕刻該犧牲層，形成與該第一導體部接觸之一腔體部；e)塗佈一第一高分子基材料於該基板上，且使其完全覆蓋該腔體部；f)形成一第二導體部於該第一高分子基材料上；g)開設可通達該腔體部之一通孔於該第一高分子基材料上；以及h)利用該通孔對該腔體部進行蝕刻，藉以完全移除該腔體部。 A method of fabricating a polymer-based capacitive ultrasonic transducer, which comprises the steps of: (a) providing a substrate; (b) forming a first conductor on the substrate; (c) coating a sacrificial layer on the substrate while covering the first conductor by the same; (d) etching the sacrificial layer for forming an island while maintaining the island to contact with the first conductor; (e) coating a first polymer-based material on the substrate while covering the island by the same; (f) forming a second conductor on the first polymer-based material; (g) forming a via hole on the first polymer-based material while enabling the via hole to be channeled to the island; and (h) utilizing the via hole to etch and remove the island for forming a cavity.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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2019-07-24

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高分子基電容式超音波換能器製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院辨識中心 \| 產出年度: 95 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 張明暐、龐大成、曾昭勝 \| 證書號碼: I260940 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
高分子基電容式超音波換能器製作方法	核准國家: 韓國 \| 執行單位: 工研院辨識中心 \| 產出年度: 95 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 張明暐、龐大成、曾昭勝 \| 證書號碼: 10-0634994 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
高分子基電容式超音波換能器製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院辨識中心 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 多重感測智慧型辨識與安全技術發展計畫 \| 專利發明人: 張明暐 ,龐大成 ,曾昭勝 , \| 證書號碼: 7673375 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 \| 證書號碼: I321313 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
植入奈米碳管之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , \| 證書號碼: I321123 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 \| 證書號碼: 7,904,736 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 \| 證書號碼: 7,916,129 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
無線環境下定位系統的新取樣點決定方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男 \| 證書號碼: I321928 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
通訊網路下之行動管理方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 \| 專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌 \| 證書號碼: I321411 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 \| 證書號碼: 7,692,907 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
直流偏移消除電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 高小文 \| 證書號碼: I320993 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法

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植入奈米碳管之製程方法

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

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互動式顯示系統

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無線環境下定位系統的新取樣點決定方法

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通訊網路下之行動管理方法及裝置

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靜電放電防護電路

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直流偏移消除電路

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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強 \| 證書號碼: 206597
靜電式驅動之微繼電器及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 \| 證書號碼: 198718
形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑 \| 證書號碼: 198717
自組裝奈米導電凸塊及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 汪若蕙, 陳裕華 \| 證書號碼: 200159
貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥, 李啟聖, 黃順發, 張榮芳, 許財源, 胡文智, 王亮棠 \| 證書號碼: 200277
動態影像灰階檢測方法與裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊 \| 證書號碼: 200272
微針頭陣列製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 郭仕奇, 陳相甫 \| 證書號碼: 206641
液晶顯示器畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林展瑞, 王博文, 陳尚立 \| 證書號碼: 197257
移動式微流體切換裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 \| 專利發明人: 龐紹華, 王美雅, 楊宏仁 \| 證書號碼: 195345
奈米碳管電子源場發射電流增益製程	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 許志榮, 李鈞道, 李正中, 何家充, 張悠揚 \| 證書號碼: 223308
液晶顯示器製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 賴志明, 林英哲, 翁逸君, 李正中, 辛隆賓, 黃良瑩, 詹景翔, 鄭功龍, 劉仕賢 \| 證書號碼: 206664
電泳顯示器之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 劉康弘, 林英哲, 翁逸君, 李正中, 賴志明, 許家榮, 范揚宜 \| 證書號碼: 206722
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 \| 證書號碼: 223259
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 \| 證書號碼: 6791887
具有支撐柱結構閘極板之場發射顯示器及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 蕭名君, 林偉義, 張悠揚, 王右武 \| 證書號碼: 220263

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