記憶體結構及其寫入方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文記憶體結構及其寫入方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是98, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是蘇耿立 ,林志昇 ,張嘉伯 ,, 證書號碼是7508727.

序號	5812
產出年度	98
領域別	(空)
專利名稱-中文	記憶體結構及其寫入方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	蘇耿立 ,林志昇 ,張嘉伯 ,
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	7508727
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種記憶體結構及其寫入方法，係包括一電源電路及一橋式電路，藉由該電源電路驅動該橋式電路，用以產生複數個導通模式，該記憶體結構僅需使用一組電源電路，並不需預先知道其位元線之阻值，且該記憶體結構於正負向切換時，不易產生訊號錯誤。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	tephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	20101077-Joanne
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

5812

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

記憶體結構及其寫入方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

蘇耿立 ,林志昇 ,張嘉伯 ,

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7508727

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種記憶體結構及其寫入方法，係包括一電源電路及一橋式電路，藉由該電源電路驅動該橋式電路，用以產生複數個導通模式，該記憶體結構僅需使用一組電源電路，並不需預先知道其位元線之阻值，且該記憶體結構於正負向切換時，不易產生訊號錯誤。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

tephen.chung@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

20101077-Joanne

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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記憶體架構及其寫入方法

感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 \| 證書號碼: I303068 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立 \| 證書號碼: I298886 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
感測放大器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 \| 證書號碼: 7,394,295 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: I312154 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: 7539068 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: 7486546 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: ZL200610071485.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 , \| 證書號碼: ZL200610058803.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性記憶胞的結構、存取方法以及磁性記憶體電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 , \| 證書號碼: I320929 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏 \| 證書號碼: 8,397,584 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁阻式記憶陣列	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳啟明 ,洪建中 ,陳永祥 ,王連昌 , \| 證書號碼: 4448485 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性存儲單元的結構、存取方法以及磁性存儲器電路	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 , \| 證書號碼: ZL200610084560.5 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 , \| 證書號碼: 7,577,017 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 ,王丁勇 , \| 證書號碼: 7,646,635 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 \| 證書號碼: 6791887
具有支撐柱結構閘極板之場發射顯示器及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 蕭名君, 林偉義, 張悠揚, 王右武 \| 證書號碼: 220263
陣列式電感	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 黃肇達, 李明林 \| 證書號碼: 240666
多重厚度絕緣層製作方法及結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳邦旭, 許博欽, 劉致為 \| 證書號碼: 222134
多層式高阻抗平面微型結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 黃肇達, 范榮昌, 李明林 \| 證書號碼: 218573
微型熱電裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 劉君愷 \| 證書號碼: 201640
薄膜電晶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳振銘, 吳永富 \| 證書號碼: 221340
氣密室封裝基台與架構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇, 利鴻禔 \| 證書號碼: 200699
智慧型空調系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇, 曾國華, 陳龍德, 游金銘 \| 證書號碼: 206662
智慧型空調系統	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇, 曾國華, 陳龍德, 游金銘 \| 證書號碼: 6715689
整合影像顯示之體溫計	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇, 陳龍德, 曾國華, 吳家興 \| 證書號碼: 200916
電鍍金屬導線製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃俊堯, 陳政忠, 吳永富, 蔡政宏, 喬傳國, 朱芳村 \| 證書號碼: 206682
場發射顯示器之支撐柱挾持結構與方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林偉義, 蕭名君, 陳盈憲, 曾企民, 蕭雲嬌 \| 證書號碼: 202592
利用TIO2層製作擴散式反射板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 黃良瑩, 翁逸君, 吳耀庭, 蔡明郎, 溫俊祥, 林顯光 \| 證書號碼: 206687
具無機及有機功能性構裝基板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 吳仕先, 李明林, 賴信助 \| 證書號碼: 196534

記憶體結構及其寫入方法 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

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專利期間起

專利期間訖

專利性質

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