薄膜電晶體及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文薄膜電晶體及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是陳振銘, 吳永富, 證書號碼是221340.

序號876
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文薄膜電晶體及其製造方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人陳振銘, 吳永富
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼221340
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明揭示一種薄膜電晶體及其製造方法。該薄膜電晶體包括：一基底，具有一圖形化之半導體層形成於該基底表面上，而該半導體層係包含有一通道區以及一源/汲極區形成於該通道區之兩側區域；一閘極絕緣層係形成於該通道區及該基底表面上；一閘極電極形成於該通道區上方之閘極絕緣層表面上，而一源/汲極電極形成於該半導體層兩側之閘極絕緣層表面上；一介電層形成於該閘極絕緣層、該閘極電極及該源/汲極電極上，且具有複數之接觸窗貫穿該介電層以露出部分之該源/汲極區及該源/汲極電極表面；以及一圖形化之導電層形成於該介電層上及該接觸窗中，以完成該源/汲極區及該源/汲極電極之電性連結。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

876

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

薄膜電晶體及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

陳振銘, 吳永富

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

221340

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明揭示一種薄膜電晶體及其製造方法。該薄膜電晶體包括：一基底，具有一圖形化之半導體層形成於該基底表面上，而該半導體層係包含有一通道區以及一源/汲極區形成於該通道區之兩側區域；一閘極絕緣層係形成於該通道區及該基底表面上；一閘極電極形成於該通道區上方之閘極絕緣層表面上，而一源/汲極電極形成於該半導體層兩側之閘極絕緣層表面上；一介電層形成於該閘極絕緣層、該閘極電極及該源/汲極電極上，且具有複數之接觸窗貫穿該介電層以露出部分之該源/汲極區及該源/汲極電極表面；以及一圖形化之導電層形成於該介電層上及該接觸窗中，以完成該源/汲極區及該源/汲極電極之電性連結。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號4931
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文雙閘極薄膜電晶體及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人王亮棠 王敏全 彭逸軒
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I295855
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種雙閘極薄膜電晶體及其製造方法，其使用低溫下直接沉積於基板之多晶矽，以簡化製程並且改善電氣特性。該雙閘極薄膜電晶體包括；一基板，其上方形成有一第一圖案化電極；一第一介電層；一多晶矽薄膜，係以直接沉積之方式形成於該第一介電層上方，使得在該多晶矽薄膜與該第一介電層之間形成一包括非晶矽之孕核層；一對第二圖案化電極，使得該對第二圖案化電極之間下方之該多晶矽薄膜與該孕核層內定義出一通道區域，該通道區域對應該第一圖案化電極；一第二介電層；以及一第三圖案化電極，該第三圖案化電極對應該通道區域。該製造方法包括以下步驟：提供一基板，其上方形成有一第一圖案化電極；形成一第一介電層；直接沉積一多晶矽薄膜於該第一介電層上方，使得在該多晶矽薄膜與該第一介電層之間形成一包括非晶矽之孕核層；形成一對第二圖案化電極，使得該對第二圖案化電極之間下方之該多晶矽薄膜與該孕核層內定義出一通道區域，該通道區域對應該第一圖案化電極；形成一第二介電層；以及形成一第三圖案化電極，該第三圖案化電極對應該通道區域。 A double-gate thin-film transistor and a method for forming the same, using low-temperature poly-silicon formed by direct deposition on a substrate so as to simplify the manufacturing process and improve the electrical characteristics. The double-gate thin-film transistor comprises: a substrate, a first patterned electrode being formed on the substrate; a first dielectric layer; a poly-silicon film, formed by direct deposition on the first dielectric layer so as to form between the poly-silicon film and the first dielectric layer an incubation layer comprising amorphous silicon; a pair of second patterned electrodes, so as to define in the poly-silicon film and the incubation layer between the second patterned electrodes a channel region corresponding to the first patterned electrode; a second dielectric layer; and a third patterned electrode corresponding to the channel region. The method comprises steps of: providing a substrate, a first patterned electrode being formed on the substrate; forming a first dielectric layer; forming a poly-silico
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4931
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 雙閘極薄膜電晶體及其製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 王亮棠 王敏全 彭逸軒
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I295855
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種雙閘極薄膜電晶體及其製造方法，其使用低溫下直接沉積於基板之多晶矽，以簡化製程並且改善電氣特性。該雙閘極薄膜電晶體包括；一基板，其上方形成有一第一圖案化電極；一第一介電層；一多晶矽薄膜，係以直接沉積之方式形成於該第一介電層上方，使得在該多晶矽薄膜與該第一介電層之間形成一包括非晶矽之孕核層；一對第二圖案化電極，使得該對第二圖案化電極之間下方之該多晶矽薄膜與該孕核層內定義出一通道區域，該通道區域對應該第一圖案化電極；一第二介電層；以及一第三圖案化電極，該第三圖案化電極對應該通道區域。該製造方法包括以下步驟：提供一基板，其上方形成有一第一圖案化電極；形成一第一介電層；直接沉積一多晶矽薄膜於該第一介電層上方，使得在該多晶矽薄膜與該第一介電層之間形成一包括非晶矽之孕核層；形成一對第二圖案化電極，使得該對第二圖案化電極之間下方之該多晶矽薄膜與該孕核層內定義出一通道區域，該通道區域對應該第一圖案化電極；形成一第二介電層；以及形成一第三圖案化電極，該第三圖案化電極對應該通道區域。 A double-gate thin-film transistor and a method for forming the same, using low-temperature poly-silicon formed by direct deposition on a substrate so as to simplify the manufacturing process and improve the electrical characteristics. The double-gate thin-film transistor comprises: a substrate, a first patterned electrode being formed on the substrate; a first dielectric layer; a poly-silicon film, formed by direct deposition on the first dielectric layer so as to form between the poly-silicon film and the first dielectric layer an incubation layer comprising amorphous silicon; a pair of second patterned electrodes, so as to define in the poly-silicon film and the incubation layer between the second patterned electrodes a channel region corresponding to the first patterned electrode; a second dielectric layer; and a third patterned electrode corresponding to the channel region. The method comprises steps of: providing a substrate, a first patterned electrode being formed on the substrate; forming a first dielectric layer; forming a poly-silico
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
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特殊情形: (空)

# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號8216
產出年度100
領域別創新前瞻
專利名稱-中文微晶矽薄膜電晶體結構及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡政儒,陳柏求,時定康,黃俊杰,葉永輝,
核准國家美國
獲證日期100/12/14
證書號碼8,039,844
專利期間起100/10/18
專利期間訖118/09/07
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種上閘極式微晶矽薄膜電晶體及其製造方法，其反轉通道係形成於其微晶矽主動層上方介面，而與該微晶矽主動層下方介面的孕核層分開。本發明之該反轉通道形成在該微晶矽主動層上方介面結晶性薄膜中，因而使本發明微晶矽薄膜電晶體具有較好的電性及可靠度。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8216
產出年度: 100
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 微晶矽薄膜電晶體結構及其製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡政儒,陳柏求,時定康,黃俊杰,葉永輝,
核准國家: 美國
獲證日期: 100/12/14
證書號碼: 8,039,844
專利期間起: 100/10/18
專利期間訖: 118/09/07
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種上閘極式微晶矽薄膜電晶體及其製造方法，其反轉通道係形成於其微晶矽主動層上方介面，而與該微晶矽主動層下方介面的孕核層分開。本發明之該反轉通道形成在該微晶矽主動層上方介面結晶性薄膜中，因而使本發明微晶矽薄膜電晶體具有較好的電性及可靠度。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號9726
產出年度101
領域別創新前瞻
專利名稱-中文微晶矽薄膜電晶體結構及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡政儒,陳柏求,時定康,黃俊杰,葉永輝,
核准國家中華民國
獲證日期101/12/11
證書號碼I378562
專利期間起101/12/01
專利期間訖117/01/22
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種上閘極式微晶矽薄膜電晶體及其製造方法，其反轉通道係形成於其微晶矽主動層上方介面，而與該微晶矽主動層下方介面的孕核層分開。本發明之該反轉通道形成在該微晶矽主動層上方介面結晶性薄膜中，因而使本發明微晶矽薄膜電晶體具有較好的電性及可靠度。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 9726
產出年度: 101
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 微晶矽薄膜電晶體結構及其製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡政儒,陳柏求,時定康,黃俊杰,葉永輝,
核准國家: 中華民國
獲證日期: 101/12/11
證書號碼: I378562
專利期間起: 101/12/01
專利期間訖: 117/01/22
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種上閘極式微晶矽薄膜電晶體及其製造方法，其反轉通道係形成於其微晶矽主動層上方介面，而與該微晶矽主動層下方介面的孕核層分開。本發明之該反轉通道形成在該微晶矽主動層上方介面結晶性薄膜中，因而使本發明微晶矽薄膜電晶體具有較好的電性及可靠度。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號4933
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文多晶矽薄膜電晶體及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人陳麒麟 陳宏澤 吳興華
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I301298
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種多晶矽薄膜電晶體的製造方法，此方法是先在基底上依序形成圖案化閘極導體層、介電層以及非晶矽層，之後，在非晶矽層上形成一層具有裸露出預定形成源極/汲極摻雜區之開口的熱滯留層薄膜。然後，藉由雷射回火(Laser annealing)製程提供能量給非晶矽層，以形成多晶矽層，其中在開口之間之熱滯留層下方的非晶矽層會先熔化再誘發橫向長晶形成多晶矽。並進行離子植入製程，以在開口所裸露的多晶矽層中形成源極摻雜區與汲極摻雜區。而且在基底上方形成源極與汲極，以分別與源極摻雜區及汲極摻雜區電性連接。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4933
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 多晶矽薄膜電晶體及其製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 陳麒麟 陳宏澤 吳興華
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I301298
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種多晶矽薄膜電晶體的製造方法，此方法是先在基底上依序形成圖案化閘極導體層、介電層以及非晶矽層，之後，在非晶矽層上形成一層具有裸露出預定形成源極/汲極摻雜區之開口的熱滯留層薄膜。然後，藉由雷射回火(Laser annealing)製程提供能量給非晶矽層，以形成多晶矽層，其中在開口之間之熱滯留層下方的非晶矽層會先熔化再誘發橫向長晶形成多晶矽。並進行離子植入製程，以在開口所裸露的多晶矽層中形成源極摻雜區與汲極摻雜區。而且在基底上方形成源極與汲極，以分別與源極摻雜區及汲極摻雜區電性連接。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)

# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號8215
產出年度100
領域別創新前瞻
專利名稱-中文微晶矽薄膜晶體管結構及其制造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡政儒,陳柏求,時定康,黃俊杰,葉永輝,
核准國家中國大陸
獲證日期100/01/10
證書號碼ZL200810082070.0
專利期間起99/12/15
專利期間訖117/03/04
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種上閘極式微晶矽薄膜電晶體及其製造方法，其反轉通道係形成於其微晶矽主動層上方介面，而與該微晶矽主動層下方介面的孕核層分開。本發明之該反轉通道形成在該微晶矽主動層上方介面結晶性薄膜中，因而使本發明微晶矽薄膜電晶體具有較好的電性及可靠度。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8215
產出年度: 100
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 微晶矽薄膜晶體管結構及其制造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡政儒,陳柏求,時定康,黃俊杰,葉永輝,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 100/01/10
證書號碼: ZL200810082070.0
專利期間起: 99/12/15
專利期間訖: 117/03/04
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種上閘極式微晶矽薄膜電晶體及其製造方法，其反轉通道係形成於其微晶矽主動層上方介面，而與該微晶矽主動層下方介面的孕核層分開。本發明之該反轉通道形成在該微晶矽主動層上方介面結晶性薄膜中，因而使本發明微晶矽薄膜電晶體具有較好的電性及可靠度。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號12409
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文有機薄膜電晶體及其製造方法
執行單位工研院顯示中心
產出單位工研院顯示中心
計畫名稱先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫
專利發明人陳良湘 、廖克斌 、何家充
核准國家中華民國
獲證日期102/03/01
證書號碼I388077
專利期間起102/03/01
專利期間訖118/02/09
專利性質發明
技術摘要-中文一種有機薄膜電晶體，此有機薄膜電晶體包括閘極、覆蓋閘極的閘絕緣層、源極與汲極、有機半導體層、疏水層以及液滴狀保護層。利用疏水層而分別於源極的表面以及汲極的表面形成一疏水性區域，同時，被疏水層暴露的有機半導體層形成一親水性區域。利用表面張力而於有機半導體層上直接形成液滴狀保護層，用以保護元件特性。因此，本發明提供一種製程簡易的有機薄膜電晶體。此外，本發明另揭露一種有機薄膜電晶體的製造方法。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員林立婷
電話03-591-7410
傳真03-582-0046
電子信箱debbie0429@itri.org.tw
參考網址http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@155707864
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12409
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 有機薄膜電晶體及其製造方法
執行單位: 工研院顯示中心
產出單位: 工研院顯示中心
計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫
專利發明人: 陳良湘 、廖克斌 、何家充
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/03/01
證書號碼: I388077
專利期間起: 102/03/01
專利期間訖: 118/02/09
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種有機薄膜電晶體，此有機薄膜電晶體包括閘極、覆蓋閘極的閘絕緣層、源極與汲極、有機半導體層、疏水層以及液滴狀保護層。利用疏水層而分別於源極的表面以及汲極的表面形成一疏水性區域，同時，被疏水層暴露的有機半導體層形成一親水性區域。利用表面張力而於有機半導體層上直接形成液滴狀保護層，用以保護元件特性。因此，本發明提供一種製程簡易的有機薄膜電晶體。此外，本發明另揭露一種有機薄膜電晶體的製造方法。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 林立婷
電話: 03-591-7410
傳真: 03-582-0046
電子信箱: debbie0429@itri.org.tw
參考網址: http://twpat6.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@155707864
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號2377
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文薄膜電晶體及其製造方法
執行單位工研院顯示中心
產出單位(空)
計畫名稱影像顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人陳振銘、吳永富
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明揭示一種薄膜電晶體及其製造方法。該薄膜電晶體包括：一基底，具有一圖形化之半導體層形成於該基底表面上，而該半導體層係包含有一通道區以及一源/汲極區形成於該通道區之兩側區域；一閘極絕緣層係形成於該通道區及該基底表面上；一閘極電極形成於該通道區上方之閘極絕緣層表面上，而一源/汲極電極形成於該半導體層兩側之閘極絕緣層表面上；一介電層形成於該閘極絕緣層、該閘極電極及該源/汲極電極上，且具有複數之接觸窗貫穿該介電層以露出部分之該源/汲極區及該源/汲極電極表面；以及一圖形化之導電層形成於該介電層上及該接觸窗中，以完成該源/汲極區及該源/汲極電極之電性連結。A thin film transistor and a method for fabricating the same. The thin film transistor comprises a substrate and a patterned semiconductor layer formed on the substrate, wherein the semiconductor layer comprises a channel region and doped regions adjacent to the channel region. A gate insulation layer is formed on the above structure. A gate electrode is located on the gate insulation layer above the channel region. Source and drain electrodes are located on the gate insulation adjacent to the semiconductor layer. A dielectric layer having contact holes is formed on the above structure and a patterned conductor layer is formed on predetermined parts of the dielectric layer electrically connecting the doped regions to the source and drain electrode through the contact holes.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 2377
產出年度: 95
領域別: (空)
專利名稱-中文: 薄膜電晶體及其製造方法
執行單位: 工研院顯示中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 陳振銘、吳永富
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明揭示一種薄膜電晶體及其製造方法。該薄膜電晶體包括：一基底，具有一圖形化之半導體層形成於該基底表面上，而該半導體層係包含有一通道區以及一源/汲極區形成於該通道區之兩側區域；一閘極絕緣層係形成於該通道區及該基底表面上；一閘極電極形成於該通道區上方之閘極絕緣層表面上，而一源/汲極電極形成於該半導體層兩側之閘極絕緣層表面上；一介電層形成於該閘極絕緣層、該閘極電極及該源/汲極電極上，且具有複數之接觸窗貫穿該介電層以露出部分之該源/汲極區及該源/汲極電極表面；以及一圖形化之導電層形成於該介電層上及該接觸窗中，以完成該源/汲極區及該源/汲極電極之電性連結。A thin film transistor and a method for fabricating the same. The thin film transistor comprises a substrate and a patterned semiconductor layer formed on the substrate, wherein the semiconductor layer comprises a channel region and doped regions adjacent to the channel region. A gate insulation layer is formed on the above structure. A gate electrode is located on the gate insulation layer above the channel region. Source and drain electrodes are located on the gate insulation adjacent to the semiconductor layer. A dielectric layer having contact holes is formed on the above structure and a patterned conductor layer is formed on predetermined parts of the dielectric layer electrically connecting the doped regions to the source and drain electrode through the contact holes.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 薄膜電晶體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號1983
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文薄膜電晶體及其製造方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人陳振銘、吳永富
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6943371
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明揭示一種薄膜電晶體及其製造方法。該薄膜電晶體包括：一基底，具有一圖形化之半導體層形成於該基底表面上，而該半導體層係包含有一通道區以及一源/汲極區形成於該通道區之兩側區域；一閘極絕緣層係形成於該通道區及該基底表面上；一閘極電極形成於該通道區上方之閘極絕緣層表面上，而一源/汲極電極形成於該半導體層兩側之閘極絕緣層表面上；一介電層形成於該閘極絕緣層、該閘極電極及該源/汲極電極上，且具有複數之接觸窗貫穿該介電層以露出部分之該源/汲極區及該源/汲極電極表面；以及一圖形化之導電層形成於該介電層上及該接觸窗中
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1983
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 薄膜電晶體及其製造方法
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 陳振銘、吳永富
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6943371
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明揭示一種薄膜電晶體及其製造方法。該薄膜電晶體包括：一基底，具有一圖形化之半導體層形成於該基底表面上，而該半導體層係包含有一通道區以及一源/汲極區形成於該通道區之兩側區域；一閘極絕緣層係形成於該通道區及該基底表面上；一閘極電極形成於該通道區上方之閘極絕緣層表面上，而一源/汲極電極形成於該半導體層兩側之閘極絕緣層表面上；一介電層形成於該閘極絕緣層、該閘極電極及該源/汲極電極上，且具有複數之接觸窗貫穿該介電層以露出部分之該源/汲極區及該源/汲極電極表面；以及一圖形化之導電層形成於該介電層上及該接觸窗中
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)
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利用光敏性低介電材料減少低溫多晶矽薄膜電晶體的使用光罩數量之技術

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳永富、陳志強、陳振銘 | 證書號碼: I247930

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

利用光敏性低介電材料減少低溫多晶矽薄膜電晶體的使用光罩數量之技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 吳永富, 陳志強, 陳振銘 | 證書號碼: 7,566,598

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

利用光敏性低介電材料減少低溫多晶矽薄膜電晶體的使用光罩數量之技術

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳永富、陳志強、陳振銘 | 證書號碼: I247930

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

利用光敏性低介電材料減少低溫多晶矽薄膜電晶體的使用光罩數量之技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 吳永富, 陳志強, 陳振銘 | 證書號碼: 7,566,598

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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”；均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”；均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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與薄膜電晶體及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

自發配向的膽固醇液晶型增亮膜的製法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆, 吳平耀, 朱文彬 | 證書號碼: 6721030

低預傾角之配向膜材料(I)

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 陳福龍, 辛哲宏, 李政道, 王文獻 | 證書號碼: 199751

主鏈含氟側鏈含咔唑基的離子型電活性接枝共聚物、其摻合物及制動器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 陳振鑾, 劉文亮, 鄭龍正 | 證書號碼: 200907

用做電路基板的複合材料板

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 黃仕穎, 陳永志, 王先毅, 鄭龍正, 陳俊昇 | 證書號碼: ZL01116048.96

觸變成型原材料的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范元昌, 陳俊沐, 蘇健忠, 楊智超 | 證書號碼: 207120

產生偏極化光源之導光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡明郎, 溫俊祥, 郭惠隆, 黃國棟, 吳耀庭, 胡應強, 李世光, 余良彬, 陳品誠, 劉安順 | 證書號碼: 201788

具有雙金屬層光柵的偏光元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 丘至和, 郭惠隆, 劉怡君, 陳品誠 | 證書號碼: I223103

多孔性材料在陶瓷基板上平坦化

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 廖聖茹, 張懷祿, 洪松慰, 黃瑞呈 | 證書號碼: 6,667,072

自組成奈米介面結構在電子元件的應用

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖聖茹, 盧榮宏, 張懷祿, 陳炯雄, 黃依蘋, 周裕福, 潘浩然 | 證書號碼: 194413

場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘 | 證書號碼: I221624

微米針頭陣列製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳玄芳, 周淑金, 葉信宏, 楊昀良, 顏佳瑩 | 證書號碼: 194421

薄膜之低溫成長方法與設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 彭成鑑, 陳豐彥 | 證書號碼: 200889

薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 邢泰剛, 戴建雄, 田慶成, 李耀東 | 證書號碼: 198451

具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳一誠, 曾永寬, 林澤勝 | 證書號碼: I224079

平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 戴建雄, 邢泰剛, 田慶成, 李耀東 | 證書號碼: I224891

自發配向的膽固醇液晶型增亮膜的製法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 謝葆如, 郭惠隆, 吳平耀, 朱文彬 | 證書號碼: 6721030

低預傾角之配向膜材料(I)

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 陳福龍, 辛哲宏, 李政道, 王文獻 | 證書號碼: 199751

主鏈含氟側鏈含咔唑基的離子型電活性接枝共聚物、其摻合物及制動器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 陳振鑾, 劉文亮, 鄭龍正 | 證書號碼: 200907

用做電路基板的複合材料板

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 專利發明人: 黃仕穎, 陳永志, 王先毅, 鄭龍正, 陳俊昇 | 證書號碼: ZL01116048.96

觸變成型原材料的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范元昌, 陳俊沐, 蘇健忠, 楊智超 | 證書號碼: 207120

產生偏極化光源之導光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡明郎, 溫俊祥, 郭惠隆, 黃國棟, 吳耀庭, 胡應強, 李世光, 余良彬, 陳品誠, 劉安順 | 證書號碼: 201788

具有雙金屬層光柵的偏光元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 丘至和, 郭惠隆, 劉怡君, 陳品誠 | 證書號碼: I223103

多孔性材料在陶瓷基板上平坦化

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 廖聖茹, 張懷祿, 洪松慰, 黃瑞呈 | 證書號碼: 6,667,072

自組成奈米介面結構在電子元件的應用

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖聖茹, 盧榮宏, 張懷祿, 陳炯雄, 黃依蘋, 周裕福, 潘浩然 | 證書號碼: 194413

場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘 | 證書號碼: I221624

微米針頭陣列製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳玄芳, 周淑金, 葉信宏, 楊昀良, 顏佳瑩 | 證書號碼: 194421

薄膜之低溫成長方法與設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 彭成鑑, 陳豐彥 | 證書號碼: 200889

薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 邢泰剛, 戴建雄, 田慶成, 李耀東 | 證書號碼: 198451

具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳一誠, 曾永寬, 林澤勝 | 證書號碼: I224079

平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 戴建雄, 邢泰剛, 田慶成, 李耀東 | 證書號碼: I224891

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