應用於記憶體之多穩態感測放大器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文應用於記憶體之多穩態感測放大器的核准國家是美國, 證書號碼是7486546, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是98, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 ,.

序號	5818
產出年度	98
領域別	(空)
專利名稱-中文	應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	7486546
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	stephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	20101083-Joanne
特殊情形	(空)

序號

5818

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

應用於記憶體之多穩態感測放大器

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

王敏全 | 林志昇 | 張嘉伯 | 蘇耿立

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7486546

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

stephen.chung@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

20101083-Joanne

特殊情形

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應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I312154 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7539068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I298886 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立 @ 技術司專利資料集

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應用于存儲器的多穩態讀出放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610121574.X \| 專利期間起: 1999/2/17 \| 專利期間訖: 115/08/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於存儲器的多穩態感測放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610143353.2 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/11/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集

應用于存儲器的多穩態讀出放大器

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應用於存儲器的多穩態感測放大器

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,397,584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

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讀?放大器

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高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法

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磁性記憶體之資料讀取電路

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磁電阻性隨機存取記憶體裝置

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法

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積層質子交換膜、其製造方法以及包含該積層質子交換膜的直接甲醇進料型燃料電池	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195331 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳中屏 \| 陳振鑾 \| 施志哲 \| 陳致源
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增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,707,499 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 貢振邦 \| 林子平 \| 尤智仕
偵測訊號頻率的類比裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192948 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭丁元
鎖頻濾波的接收裝置及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,763,230 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭丁元
單相輸入調頻調積體解調器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189588 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李青峰
微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192167 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯明道 \| 宋尤昱
微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,658,597 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯明道 \| 宋尤昱
發光元件的驅動控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185602 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡嘉明
發光元件的驅動控制電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,735,228 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡嘉明
具有整波電路之高速雷射驅動器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,798,802 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 周明忠
壓制電流分配的充放電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,794,911 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張毓仁
電力控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 214743 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 陳盛仁 \| 楊景榮 \| 林俊宏 \| 陳燦林
提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮 \| 黃俊雄

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