具氣密性之三維晶圓堆疊 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部 專利名稱-中文具氣密性之三維晶圓堆疊 的核准國家是美國 , 執行單位是工研院電光所 , 產出年度是100 , 專利性質是發明 , 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 , 專利發明人是譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢 , 證書號碼是7,948,072 .
序號 8361 產出年度 100 領域別 電資通光 專利名稱-中文 具氣密性之三維晶圓堆疊 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢 核准國家 美國 獲證日期 100/03/04 證書號碼 7,948,072 專利期間起 100/05/24 專利期間訖 118/03/01 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明提供一種晶片堆疊結構，包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一裝置層及一基板，其中該裝置層具有至少一晶片及至少一介電材料層;一第二晶圓設置在該第一晶圓之上，具有一裝置層以及一封閉結構，設置於該至少第一晶片上且設置於該至少一晶片的切割的內側，其中該封閉結構是從第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其靠近該第一基板的另一側。本發明所提的晶片堆疊結構不但可提供晶片裝置層的多孔性介電材料一定的應力支撐保護，更可隔絕多孔性介電材料，使其免於濕氣的侵入，而解決晶片堆疊結構可能因氣密性不足而引發的可靠性問題。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳淑珠 電話 03-5914675 傳真 03-5917193 電子信箱 -@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空) 同步更新日期 2023-07-05
序號 8361 產出年度 100 領域別 電資通光 專利名稱-中文 具氣密性之三維晶圓堆疊 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢 核准國家 美國 獲證日期 100/03/04 證書號碼 7,948,072 專利期間起 100/05/24 專利期間訖 118/03/01 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明提供一種晶片堆疊結構，包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一裝置層及一基板，其中該裝置層具有至少一晶片及至少一介電材料層;一第二晶圓設置在該第一晶圓之上，具有一裝置層以及一封閉結構，設置於該至少第一晶片上且設置於該至少一晶片的切割的內側，其中該封閉結構是從第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其靠近該第一基板的另一側。本發明所提的晶片堆疊結構不但可提供晶片裝置層的多孔性介電材料一定的應力支撐保護，更可隔絕多孔性介電材料，使其免於濕氣的侵入，而解決晶片堆疊結構可能因氣密性不足而引發的可靠性問題。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳淑珠 電話 03-5914675 傳真 03-5917193 電子信箱 -@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空) 同步更新日期 2023-07-05
序號 12036 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 具氣密性之三維晶圓堆疊 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 譚瑞敏 ,張恕銘 ,廖錫卿 ,駱韋仲 ,李榮賢 ,張緝熙 核准國家 中華民國 獲證日期 102/01/17 證書號碼 I382512 專利期間起 102/01/11 專利期間訖 117/09/01 專利性質 發明 技術摘要-中文 本發明係提供一種具有氣密結構之晶圓堆疊，該晶圓堆疊係包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一第一裝置層與一第一基板，其中該第一裝置層具有至少一晶片及至少一低介電材料層；一第二晶圓，設置在該第一晶圓之上，其具有一第二裝置層；以及一封閉結構，其係設置於該至少一晶片上且設置於該至少一晶片的切割道之內側，其中該封閉結構係從該第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其的靠近該第一基板之另一側。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳奕潔 電話 03-5914675 傳真 03-5917193 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12036 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 具氣密性之三維晶圓堆疊 執行單位: 工研院電光所 產出單位: 工研院電光所 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人: 譚瑞敏 ,張恕銘 ,廖錫卿 ,駱韋仲 ,李榮賢 ,張緝熙 核准國家: 中華民國 獲證日期: 102/01/17 證書號碼: I382512 專利期間起: 102/01/11 專利期間訖: 117/09/01 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 本發明係提供一種具有氣密結構之晶圓堆疊，該晶圓堆疊係包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一第一裝置層與一第一基板，其中該第一裝置層具有至少一晶片及至少一低介電材料層；一第二晶圓，設置在該第一晶圓之上，其具有一第二裝置層；以及一封閉結構，其係設置於該至少一晶片上且設置於該至少一晶片的切割道之內側，其中該封閉結構係從該第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其的靠近該第一基板之另一側。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 陳奕潔 電話: 03-5914675 傳真: 03-5917193 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: (空) 備註: (空) 特殊情形: (空)
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根據姓名 譚瑞敏 張恕銘 廖錫卿 駱韋仲 李榮賢 找到的相關資料 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢,張緝熙, | 證書號碼: ZL200810149914.9
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核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢,張緝熙, | 證書號碼: ZL200810149914.9
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譚瑞敏 張恕銘 廖錫卿 駱韋仲 李榮賢 ... ]
根據電話 03-5914675 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914675 序號 10034 產出年度 101 領域別 電資通光 專利名稱-中文 具應力緩衝之微連凸塊結構及製造方法 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 許永昱,廖錫卿,譚瑞敏,鄭智元 核准國家 美國 獲證日期 101/03/21 證書號碼 8,123,965 專利期間起 101/02/28 專利期間訖 117/07/22 專利性質 發明 技術摘要-中文 "本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。本發明提供一種晶片封裝結構及其製造方法，上述晶片封裝結構包括至少一晶片，具有至少一導通孔；至少一應力緩衝疊孔結構，置於上述導通孔中，其中上述應力緩衝疊孔結構包括一第一墊片和一第二墊片；一支撐柱，其兩末端分別連接上述第一墊片和上述第二墊片，且上述支撐柱的上述兩末端的面積分別小於上述第一墊片和上述第二墊片的面積；一緩衝層，設於上述第一墊片和上述第二墊片之間，且包覆上述支撐柱的側壁；一絕緣層，置於上述導通孔中，且圍繞上述應力緩衝疊孔結構的側壁。本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳奕潔 電話 (03)5914675 傳真 (03)5917193 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 10034 產出年度: 101 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 具應力緩衝之微連凸塊結構及製造方法 執行單位: 工研院電光所 產出單位: 工研院電光所 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人: 許永昱,廖錫卿,譚瑞敏,鄭智元 核准國家: 美國 獲證日期: 101/03/21 證書號碼: 8,123,965 專利期間起: 101/02/28 專利期間訖: 117/07/22 專利性質: 發明 技術摘要-中文: "本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。本發明提供一種晶片封裝結構及其製造方法，上述晶片封裝結構包括至少一晶片，具有至少一導通孔；至少一應力緩衝疊孔結構，置於上述導通孔中，其中上述應力緩衝疊孔結構包括一第一墊片和一第二墊片；一支撐柱，其兩末端分別連接上述第一墊片和上述第二墊片，且上述支撐柱的上述兩末端的面積分別小於上述第一墊片和上述第二墊片的面積；一緩衝層，設於上述第一墊片和上述第二墊片之間，且包覆上述支撐柱的側壁；一絕緣層，置於上述導通孔中，且圍繞上述應力緩衝疊孔結構的側壁。本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 陳奕潔 電話: (03)5914675 傳真: (03)5917193 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: (空) 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 10036 產出年度 101 領域別 電資通光 專利名稱-中文 晶片封裝結構及其製造方法 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 譚瑞敏,趙玉麟,楊書榮,范榮昌,李暐,鄭智元,謝明哲, 核准國家 中華民國 獲證日期 101/03/09 證書號碼 I357135 專利期間起 101/01/21 專利期間訖 117/05/28 專利性質 發明 技術摘要-中文 "一種晶片封裝結構，其包括基板、晶片、導熱層、多個訊號接點以及封裝膠體。基板具有多個第一導熱孔道、連接線路以及與連接線路電性連接的多個訊號孔道，且基板具有晶片容置區。晶片配置於基板的晶片容置區上，並經由連接線路與訊號孔道電性連接。導熱層配置於基板上方並與第一導熱孔道連接，並且位於晶片容置區上方，且導熱層具有暴露出訊號孔道的第一開口。訊號接點分別配置於第一開口中並與訊號孔道連接。封裝膠體包覆晶片。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳奕潔 電話 (03)5914675 傳真 (03)5917193 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 10036 產出年度: 101 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 晶片封裝結構及其製造方法 執行單位: 工研院電光所 產出單位: 工研院電光所 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人: 譚瑞敏,趙玉麟,楊書榮,范榮昌,李暐,鄭智元,謝明哲, 核准國家: 中華民國 獲證日期: 101/03/09 證書號碼: I357135 專利期間起: 101/01/21 專利期間訖: 117/05/28 專利性質: 發明 技術摘要-中文: "一種晶片封裝結構，其包括基板、晶片、導熱層、多個訊號接點以及封裝膠體。基板具有多個第一導熱孔道、連接線路以及與連接線路電性連接的多個訊號孔道，且基板具有晶片容置區。晶片配置於基板的晶片容置區上，並經由連接線路與訊號孔道電性連接。導熱層配置於基板上方並與第一導熱孔道連接，並且位於晶片容置區上方，且導熱層具有暴露出訊號孔道的第一開口。訊號接點分別配置於第一開口中並與訊號孔道連接。封裝膠體包覆晶片。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 陳奕潔 電話: (03)5914675 傳真: (03)5917193 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: (空) 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 10045 產出年度 101 領域別 電資通光 專利名稱-中文 空隙製造方法、電阻式記憶元件及其製造方法 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 陳維恕 核准國家 美國 獲證日期 101/08/22 證書號碼 8,212,231 專利期間起 101/07/03 專利期間訖 119/02/10 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種空隙製造方法。首先，在基底上形成圖案化犧牲層，此圖案化犧牲層的材料包括鍺銻碲合金。接著，於圖案化犧牲層上覆蓋介電層。之後，提供反應物與圖案化犧牲層反應而移除圖案化犧牲層，以在圖案化犧牲層原本的位置形成一具有空隙之結構。可利用上述空隙製造方法製造出具有空氣介電層的電阻式記憶元件 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳奕潔 電話 (03)5914675 傳真 (03)5917193 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 10045 產出年度: 101 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 空隙製造方法、電阻式記憶元件及其製造方法 執行單位: 工研院電光所 產出單位: 工研院電光所 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人: 陳維恕 核准國家: 美國 獲證日期: 101/08/22 證書號碼: 8,212,231 專利期間起: 101/07/03 專利期間訖: 119/02/10 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種空隙製造方法。首先，在基底上形成圖案化犧牲層，此圖案化犧牲層的材料包括鍺銻碲合金。接著，於圖案化犧牲層上覆蓋介電層。之後，提供反應物與圖案化犧牲層反應而移除圖案化犧牲層，以在圖案化犧牲層原本的位置形成一具有空隙之結構。可利用上述空隙製造方法製造出具有空氣介電層的電阻式記憶元件 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 陳奕潔 電話: (03)5914675 傳真: (03)5917193 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: (空) 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號: 10050 產出年度: 101 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 三維積體電路直通矽晶穿孔元件之靜電放電結構 執行單位: 工研院電光所 產出單位: 工研院電光所 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人: 林志昇,蕭智文,蘇耿立 核准國家: 中華民國 獲證日期: 101/10/01 證書號碼: 20290319 專利期間起: 101/10/01 專利期間訖: 118/03/19 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種三維積體電路直通矽晶穿孔元件之靜電放電結構，包括一基板、貫穿前述基板且等效成一RLC元件的直通矽晶穿孔元件、以及位於基板中並與所述直通矽晶穿孔元件的一端電性相連的至少一靜電放電元件。這樣的靜電放電結構可保護3DIC電路及TSV元件。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 陳奕潔 電話: (03)5914675 傳真: (03)5917193 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: (空) 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12052 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 測量裝置 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 譚瑞敏 ,劉漢誠 ,謝明哲 ,李暐 ,戴明吉 核准國家 美國 獲證日期 102/09/17 證書號碼 8,502,224 專利期間起 102/08/06 專利期間訖 120/03/27 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種測量裝置，包括一第一晶片、一第一線路層、一第一加熱元件、一第一應力感測器以及一第二線路層。第一晶片具有一第一導通孔及相對的一第一表面與一第二表面。第一線路層配置於第一表面。第一加熱元件配置於第一表面並電性連接第一線路層。第一應力感測器配置於第一表面並電性連接第一線路層。第二線路層配置於第二表面。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳奕潔 電話 03-5914675 傳真 03-5917193 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12052 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 測量裝置 執行單位: 工研院電光所 產出單位: 工研院電光所 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人: 譚瑞敏 ,劉漢誠 ,謝明哲 ,李暐 ,戴明吉 核准國家: 美國 獲證日期: 102/09/17 證書號碼: 8,502,224 專利期間起: 102/08/06 專利期間訖: 120/03/27 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種測量裝置，包括一第一晶片、一第一線路層、一第一加熱元件、一第一應力感測器以及一第二線路層。第一晶片具有一第一導通孔及相對的一第一表面與一第二表面。第一線路層配置於第一表面。第一加熱元件配置於第一表面並電性連接第一線路層。第一應力感測器配置於第一表面並電性連接第一線路層。第二線路層配置於第二表面。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 陳奕潔 電話: 03-5914675 傳真: 03-5917193 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: (空) 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 12053 產出年度 102 領域別 電資通光 專利名稱-中文 測量裝置 執行單位 工研院電光所 產出單位 工研院電光所 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人 譚瑞敏 ,戴明吉 ,許世玄 ,林志昇 ,吳仕先 核准國家 美國 獲證日期 102/09/17 證書號碼 8,507,909 專利期間起 102/08/13 專利期間訖 120/03/27 專利性質 發明 技術摘要-中文 "提供一種測量裝置，包括：第一晶片，第一電路層，一個第一加熱器，第一壓力傳感器和一個第二電路層。第一晶片的第一矽通孔，第一表面和與該第一表面相反的第二表面。第一電路層被佈置在第一表面上。第一加熱器和所述第一壓力感測器設置在第一表面上，並連接到所述第一電路層。第二電路層被佈置在第二表面上。第一加熱器包括多個串聯連接的第一開關，以產生熱量。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 陳奕潔 電話 03-5914675 傳真 03-5917193 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 (空) 備註 (空) 特殊情形 (空)
序號: 12053 產出年度: 102 領域別: 電資通光 專利名稱-中文: 測量裝置 執行單位: 工研院電光所 產出單位: 工研院電光所 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 專利發明人: 譚瑞敏 ,戴明吉 ,許世玄 ,林志昇 ,吳仕先 核准國家: 美國 獲證日期: 102/09/17 證書號碼: 8,507,909 專利期間起: 102/08/13 專利期間訖: 120/03/27 專利性質: 發明 技術摘要-中文: "提供一種測量裝置，包括：第一晶片，第一電路層，一個第一加熱器，第一壓力傳感器和一個第二電路層。第一晶片的第一矽通孔，第一表面和與該第一表面相反的第二表面。第一電路層被佈置在第一表面上。第一加熱器和所述第一壓力感測器設置在第一表面上，並連接到所述第一電路層。第二電路層被佈置在第二表面上。第一加熱器包括多個串聯連接的第一開關，以產生熱量。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 陳奕潔 電話: 03-5914675 傳真: 03-5917193 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: (空) 備註: (空) 特殊情形: (空)
序號 682 產出年度 93 技術名稱-中文 無鉛製程技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院材料與化工領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 1. 提供無鉛銲錫現況與製程發展、品質認證及測試 方法原理之教育訓練及技術輔導與咨詢服務。 2. 協助建立無鉛銲錫之SMT組裝製程技術與焊點可 靠度評估資料庫。 3. 藉由焊點破壞模式之分析與探討，建立改善無鉛 產品SMT組裝良率及焊點可靠度之能力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 技術成熟度 試量產 可應用範圍 面對全球環保意識抬頭與鉛對人體危害認知之升高，使用無鉛銲錫於電子類產品也已經是箭在弦上，不得不然的趨勢了。就無鉛產品市場接受度而言，以1998年10月日本的松下公司(Panasonic)的迷你隨身聽(MiniDisk)最被注意，松下公司的這一型隨身聽主要使用Sn-Bi系統無鉛銲錫，並使用有機保護膜來做印刷電路板的的表面處理，使得整個產品的含鉛量大幅下降，並在當時造成一陣熱潮，其市場佔有率也從原本的4.7%上升到15%。接下來只是該選用何種合金，以及如何搭配相關之製程、材料與設備等問題而已。各公司除了自行研 潛力預估 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。 聯絡人員 陳淑珠 電話 03-5914675 傳真 03-5820412 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 SMT製程設備波銲製程設備 需具備之專業人才 瞭解SMT及波銲製程
序號: 682 產出年度: 93 技術名稱-中文: 無鉛製程技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 1. 提供無鉛銲錫現況與製程發展、品質認證及測試 方法原理之教育訓練及技術輔導與咨詢服務。 2. 協助建立無鉛銲錫之SMT組裝製程技術與焊點可 靠度評估資料庫。 3. 藉由焊點破壞模式之分析與探討，建立改善無鉛 產品SMT組裝良率及焊點可靠度之能力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 面對全球環保意識抬頭與鉛對人體危害認知之升高，使用無鉛銲錫於電子類產品也已經是箭在弦上，不得不然的趨勢了。就無鉛產品市場接受度而言，以1998年10月日本的松下公司(Panasonic)的迷你隨身聽(MiniDisk)最被注意，松下公司的這一型隨身聽主要使用Sn-Bi系統無鉛銲錫，並使用有機保護膜來做印刷電路板的的表面處理，使得整個產品的含鉛量大幅下降，並在當時造成一陣熱潮，其市場佔有率也從原本的4.7%上升到15%。接下來只是該選用何種合金，以及如何搭配相關之製程、材料與設備等問題而已。各公司除了自行研 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。 聯絡人員: 陳淑珠 電話: 03-5914675 傳真: 03-5820412 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: SMT製程設備波銲製程設備 需具備之專業人才: 瞭解SMT及波銲製程
序號 684 產出年度 93 技術名稱-中文 無鉛製程技術資訊平台建立 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院材料與化工領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 為解決日益嚴重的廢棄電子產品污染環境問題，歐盟正式頒布處理廢棄電子產品指導法令，以及電子電機設備中危害物質禁用指令，確定2006年7月1日起，禁止使用含鉛、鎘、六價鉻和其它材料之電子產品進口輸入。雖然目前也有相當多具有優異性質之無鉛銲錫（lead-free solder）與無鹵基板可供選擇，然而因無鉛銲錫普遍具有較高之熔點，在製程與相關週邊材料上之選擇亦須隨之改變，在可靠度（reliability）及其失效（或破壞）分析（failure analysis）上之相關研發資料尚稱不足，且缺乏一個廣為接受的標準 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義)與分析標準(分析方法與可靠度驗證)等，說明建立標準之過程與何以定義這些標準之方法與根據，最後將可優先提供國內廠商認證服務。所有包含銲錫接點之電子類產品(資訊、通訊、消費性、家電)皆有必要進行無鉛之認證，範圍與市場之大，透過共同合作訂立標準測試方法，建立無鉛產品驗證標準並進而執行認證工作。 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 材料製造業、IC設計業、設備業、製造/加工業、測試業 潛力預估 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS; Restriction of Hazardous Substances)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消費性電子產品(手機、個人數位數理與數位相機等等)與通訊、資訊家電產品等等，影響非常之大。也因為如此，相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒，提高自身競爭力，誰就能掌握市場先機，增加增取訂單之籌碼。面對日本積極進行產品無鉛化之同 聯絡人員 陳淑珠 電話 03-5914675 傳真 03-5820412 電子信箱 miranda@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 SMT技術設備 .波銲製程設備 需具備之專業人才 SMT製程技術 Wave soldering製程技術
序號: 684 產出年度: 93 技術名稱-中文: 無鉛製程技術資訊平台建立 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 為解決日益嚴重的廢棄電子產品污染環境問題，歐盟正式頒布處理廢棄電子產品指導法令，以及電子電機設備中危害物質禁用指令，確定2006年7月1日起，禁止使用含鉛、鎘、六價鉻和其它材料之電子產品進口輸入。雖然目前也有相當多具有優異性質之無鉛銲錫（lead-free solder）與無鹵基板可供選擇，然而因無鉛銲錫普遍具有較高之熔點，在製程與相關週邊材料上之選擇亦須隨之改變，在可靠度（reliability）及其失效（或破壞）分析（failure analysis）上之相關研發資料尚稱不足，且缺乏一個廣為接受的標準 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義)與分析標準(分析方法與可靠度驗證)等，說明建立標準之過程與何以定義這些標準之方法與根據，最後將可優先提供國內廠商認證服務。所有包含銲錫接點之電子類產品(資訊、通訊、消費性、家電)皆有必要進行無鉛之認證，範圍與市場之大，透過共同合作訂立標準測試方法，建立無鉛產品驗證標準並進而執行認證工作。 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 材料製造業、IC設計業、設備業、製造/加工業、測試業 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS; Restriction of Hazardous Substances)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消費性電子產品(手機、個人數位數理與數位相機等等)與通訊、資訊家電產品等等，影響非常之大。也因為如此，相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒，提高自身競爭力，誰就能掌握市場先機，增加增取訂單之籌碼。面對日本積極進行產品無鉛化之同 聯絡人員: 陳淑珠 電話: 03-5914675 傳真: 03-5820412 電子信箱: miranda@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: SMT技術設備 .波銲製程設備 需具備之專業人才: SMT製程技術 Wave soldering製程技術
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核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳啟明 | 證書號碼: 發明第203045號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳武民 | 證書號碼: 發明第198947號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 張嘉瑯 | 證書號碼: 發明第204707號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203433號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203051號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 許天明、林伯慎 | 證書號碼: 發明205462
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 張勝傑、陳彥呈、吳捷 | 證書號碼: 發明198829
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 施文展 | 證書號碼: 發明205818
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 郭俊桔、高正烜、陳信希、林桂光 | 證書號碼: 發明I221991
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 林伯慎、吳盈璋、李琳山 | 證書號碼: 發明197228
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明191099
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明184817
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代數位學習環境技術研發計畫 | 專利發明人: 譚正中 | 證書號碼: I222579
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 張志龍,陳友士 | 證書號碼: 204187
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕,張履平,蒙以亨 | 證書號碼: 195703
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳啟明 | 證書號碼: 發明第203045號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳武民 | 證書號碼: 發明第198947號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 張嘉瑯 | 證書號碼: 發明第204707號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203433號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203051號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 許天明、林伯慎 | 證書號碼: 發明205462
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 張勝傑、陳彥呈、吳捷 | 證書號碼: 發明198829
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 施文展 | 證書號碼: 發明205818
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 郭俊桔、高正烜、陳信希、林桂光 | 證書號碼: 發明I221991
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 林伯慎、吳盈璋、李琳山 | 證書號碼: 發明197228
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明191099
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明184817
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代數位學習環境技術研發計畫 | 專利發明人: 譚正中 | 證書號碼: I222579
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 張志龍,陳友士 | 證書號碼: 204187
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕,張履平,蒙以亨 | 證書號碼: 195703