有機/無機混成薄膜及其製造方法
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專利名稱-中文有機/無機混成薄膜及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是8865826, 專利期間起是121/07/11, 專利期間訖是本發明係提供一種有機/無機混成薄膜,包括: 一聚偏氟乙烯;以及一無機奈米片材分散於此聚偏氟乙烯中,其中此聚偏氟乙烯與此無機奈米片材之重量比約97:3至20:80,此無機奈米片材之尺寸約20-80 nm,其中此有機/無機混成薄膜在380至780 nm的波長下之透明度大於約85%。此外,本發明亦提供此有..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是蘇俊瑋 ,呂奇明 ,楊智仁.

序號13149
產出年度103
領域別服務創新
專利名稱-中文有機/無機混成薄膜及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院材化所
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蘇俊瑋 | 呂奇明 | 楊智仁
核准國家美國
獲證日期103/10/21
證書號碼8865826
專利期間起121/07/11
專利期間訖本發明係提供一種有機/無機混成薄膜,包括: 一聚偏氟乙烯;以及一無機奈米片材分散於此聚偏氟乙烯中,其中此聚偏氟乙烯與此無機奈米片材之重量比約97:3至20:80,此無機奈米片材之尺寸約20-80 nm,其中此有機/無機混成薄膜在380至780 nm的波長下之透明度大於約85%。此外,本發明亦提供此有機/無機混成薄膜之製造方法。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種有機/無機混成薄膜,包括: 一聚偏氟乙烯;以及一無機奈米片材分散於此聚偏氟乙烯中,其中此聚偏氟乙烯與此無機奈米片材之重量比約97:3至20:80,此無機奈米片材之尺寸約20-80 nm,其中此有機/無機混成薄膜在380至780 nm的波長下之透明度大於約85%。此外,本發明亦提供此有機/無機混成薄膜之製造方法。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917919
傳真03-5917538
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

13149

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

有機/無機混成薄膜及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院材化所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

蘇俊瑋 | 呂奇明 | 楊智仁

核准國家

美國

獲證日期

103/10/21

證書號碼

8865826

專利期間起

121/07/11

專利期間訖

本發明係提供一種有機/無機混成薄膜,包括: 一聚偏氟乙烯;以及一無機奈米片材分散於此聚偏氟乙烯中,其中此聚偏氟乙烯與此無機奈米片材之重量比約97:3至20:80,此無機奈米片材之尺寸約20-80 nm,其中此有機/無機混成薄膜在380至780 nm的波長下之透明度大於約85%。此外,本發明亦提供此有機/無機混成薄膜之製造方法。

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係提供一種有機/無機混成薄膜,包括: 一聚偏氟乙烯;以及一無機奈米片材分散於此聚偏氟乙烯中,其中此聚偏氟乙烯與此無機奈米片材之重量比約97:3至20:80,此無機奈米片材之尺寸約20-80 nm,其中此有機/無機混成薄膜在380至780 nm的波長下之透明度大於約85%。此外,本發明亦提供此有機/無機混成薄膜之製造方法。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917919

傳真

03-5917538

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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有機/無機混成薄膜及其製造方法

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有機/無機混成薄膜及其製造方法

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無機奈米片材之有機分散液及其製造方法

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有機/無機複合薄膜及其制造方法

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無機奈米片材之有機分散液及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 9,321,654 | 專利期間起: 105/04/26 | 專利期間訖: 120/09/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 楊智仁 | 呂奇明 | 蘇俊瑋

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第二層虛擬私有網路技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MPLS、RSVP-TE、LDP、OSPF、SNMP、Martini. | 潛力預估: 可透過SNMP進行遠端控管Tunnel 與VC的建構。利用開放原始碼,作為改版基礎,可降低技轉廠商成本。

@ 技術司可移轉技術資料集

乙太網路接取交換機之交換核心晶片

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 163.125Gbps Fabric Ports._x000D_40Gbps Fabric throughput(80Gbps full duplex throughput).Support self... | 潛力預估: Self-Routing._x000D_Single Chip, Low cost.Scalable to 320Gbps._x000D_

@ 技術司可移轉技術資料集

第三層交換器積體電路技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: Low Cost Solution for 8 ports_x000D_; 可達Wired Speed_x000D_

@ 技術司可移轉技術資料集

都會區乙太網路交換系統技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Chassis-based with passive backplane and fabric/line cards.10Gigabit Ethernet interfaces.160Gbit/sec... | 潛力預估: 採用網路處理器平台進行雛型系統功能試驗,可針對規格變動進行快速的實驗與測試,縮短開發時程。利用開放原始碼資源,可降低成本。

@ 技術司可移轉技術資料集

SNMP網管技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: SNMP v1/v2/v3,MIB-II,MPLS_LSR_MIB,MPLS-FTN_MIB_x000D_ | 潛力預估: 成功應用於SNMP-based Agent及Element Management System之開發,並技轉給國內多家廠商,技術掌握度高_x000D_

@ 技術司可移轉技術資料集

TMN/Q3 網管技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ISO X.721、ITU-T M.3000 Series、G.774 Series_x000D_ | 潛力預估: 完成SDH STM-1 Q3 Agent、Element Manager及Sub-network Management System 之系統開發,並技轉給國內廠商,技術掌握度高_x000D_

@ 技術司可移轉技術資料集

寬頻網路管理技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: BMAS Element Management System: Configuration Management_x000D_;Time slot assignment/interchange_x00... | 潛力預估: 已成功應用於TMN/Q3-based Agent及Element Management System 之開發,並技轉給國內廠商,技術掌握度高

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第二層虛擬私有網路技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MPLS、RSVP-TE、LDP、OSPF、SNMP、Martini. | 潛力預估: 可透過SNMP進行遠端控管Tunnel 與VC的建構。利用開放原始碼,作為改版基礎,可降低技轉廠商成本。

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液晶顯示器畫素電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197257 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林展瑞 | 王博文 | 陳尚立

移動式微流體切換裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195345 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 龐紹華 | 王美雅 | 楊宏仁

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223308 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 許志榮 | 李鈞道 | 李正中 | 何家充 | 張悠揚

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206664 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 賴志明 | 林英哲 | 翁逸君 | 李正中 | 辛隆賓 | 黃良瑩 | 詹景翔 | 鄭功龍 | 劉仕賢

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206722 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 陳明道 | 劉康弘 | 林英哲 | 翁逸君 | 李正中 | 賴志明 | 許家榮 | 范揚宜

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223259 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘 | 陳永祥

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6791887 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘 | 陳永祥

具有支撐柱結構閘極板之場發射顯示器及其製造方法

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陣列式電感

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 240666 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃肇達 | 李明林

多重厚度絕緣層製作方法及結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222134 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳邦旭 | 許博欽 | 劉致為

多層式高阻抗平面微型結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 218573 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃肇達 | 范榮昌 | 李明林

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201640 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉君愷

薄膜電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221340 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳振銘 | 吳永富

氣密室封裝基台與架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200699 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇 | 利鴻禔

智慧型空調系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206662 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇 | 曾國華 | 陳龍德 | 游金銘

液晶顯示器畫素電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197257 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林展瑞 | 王博文 | 陳尚立

移動式微流體切換裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195345 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 龐紹華 | 王美雅 | 楊宏仁

奈米碳管電子源場發射電流增益製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223308 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 許志榮 | 李鈞道 | 李正中 | 何家充 | 張悠揚

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206664 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 賴志明 | 林英哲 | 翁逸君 | 李正中 | 辛隆賓 | 黃良瑩 | 詹景翔 | 鄭功龍 | 劉仕賢

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206722 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 陳明道 | 劉康弘 | 林英哲 | 翁逸君 | 李正中 | 賴志明 | 許家榮 | 范揚宜

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223259 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘 | 陳永祥

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6791887 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘 | 陳永祥

具有支撐柱結構閘極板之場發射顯示器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220263 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 | 蕭名君 | 林偉義 | 張悠揚 | 王右武

陣列式電感

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 240666 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃肇達 | 李明林

多重厚度絕緣層製作方法及結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222134 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳邦旭 | 許博欽 | 劉致為

多層式高阻抗平面微型結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 218573 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃肇達 | 范榮昌 | 李明林

微型熱電裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201640 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 劉君愷

薄膜電晶體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221340 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳振銘 | 吳永富

氣密室封裝基台與架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200699 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇 | 利鴻禔

智慧型空調系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206662 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 李宗昇 | 曾國華 | 陳龍德 | 游金銘

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