一種化合物薄膜太陽電池鉬背電極之歐姆接觸膜層結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種化合物薄膜太陽電池鉬背電極之歐姆接觸膜層結構的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 專利性質是新型, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 專利發明人是吳政翰; 倪國裕;薄慧雲;林瑤冷;林義成;王麗晴, 證書號碼是M477050.

序號14586
產出年度103
領域別綠能科技
專利名稱-中文一種化合物薄膜太陽電池鉬背電極之歐姆接觸膜層結構
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人吳政翰; 倪國裕;薄慧雲;林瑤冷;林義成;王麗晴
核准國家中華民國
獲證日期103/04/21
證書號碼M477050
專利期間起112/12/18
專利期間訖一種高效率化合物薄膜太陽電池之元件結構，其鉬(Mo)背電極/吸收層界面具有一厚度範圍100nm至250nm的二硒化鉬(MoSe2)層，其存在可形成理想的歐姆接觸(ohmic contact)及形成背電場效應(Back surface field,BSF)，可減少電子與電洞之復合，進而提升電池發電效率，並可使背電極與吸收層的附著性提高。然而，MoSe2層並非良好導體，過厚的MoSe2層不利於薄膜太陽能電池之性能，適當的MoSe2層厚度有助提升化合物薄膜太陽電池發電效率。本專利涉及一種簡單方式控制化合物薄膜太陽電池Mo背電極生成MoSe2層厚度之方法，包括透過改變Mo背電極濺鍍功率及不同Mo：Na/Mo薄膜堆疊厚度比例可有效控制MoSe2層厚度，進而提升電池發電效率。
專利性質新型
技術摘要-中文一種高效率化合物薄膜太陽電池之元件結構，其鉬(Mo)背電極/吸收層界面具有一厚度範圍100nm至250nm的二硒化鉬(MoSe2)層，其存在可形成理想的歐姆接觸(ohmic contact)及形成背電場效應(Back surface field,BSF)，可減少電子與電洞之復合，進而提升電池發電效率，並可使背電極與吸收層的附著性提高。然而，MoSe2層並非良好導體，過厚的MoSe2層不利於薄膜太陽能電池之性能，適當的MoSe2層厚度有助提升化合物薄膜太陽電池發電效率。本專利涉及一種簡單方式控制化合物薄膜太陽電池Mo背電極生成MoSe2層厚度之方法，包括透過改變Mo背電極濺鍍功率及不同Mo：Na/Mo薄膜堆疊厚度比例可有效控制MoSe2層厚度，進而提升電池發電效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員吳政翰
電話03-4712201-357058
傳真03-4711024
電子信箱csist.suntek@gmail.com
參考網址http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@44094063
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

14586

產出年度

103

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

一種化合物薄膜太陽電池鉬背電極之歐姆接觸膜層結構

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

中科院材料暨光電研究所

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

專利發明人

吳政翰; 倪國裕;薄慧雲;林瑤冷;林義成;王麗晴

核准國家

中華民國

獲證日期

103/04/21

證書號碼

M477050

專利期間起

112/12/18

專利期間訖

一種高效率化合物薄膜太陽電池之元件結構，其鉬(Mo)背電極/吸收層界面具有一厚度範圍100nm至250nm的二硒化鉬(MoSe2)層，其存在可形成理想的歐姆接觸(ohmic contact)及形成背電場效應(Back surface field,BSF)，可減少電子與電洞之復合，進而提升電池發電效率，並可使背電極與吸收層的附著性提高。然而，MoSe2層並非良好導體，過厚的MoSe2層不利於薄膜太陽能電池之性能，適當的MoSe2層厚度有助提升化合物薄膜太陽電池發電效率。本專利涉及一種簡單方式控制化合物薄膜太陽電池Mo背電極生成MoSe2層厚度之方法，包括透過改變Mo背電極濺鍍功率及不同Mo：Na/Mo薄膜堆疊厚度比例可有效控制MoSe2層厚度，進而提升電池發電效率。

專利性質

新型

技術摘要-中文

一種高效率化合物薄膜太陽電池之元件結構，其鉬(Mo)背電極/吸收層界面具有一厚度範圍100nm至250nm的二硒化鉬(MoSe2)層，其存在可形成理想的歐姆接觸(ohmic contact)及形成背電場效應(Back surface field,BSF)，可減少電子與電洞之復合，進而提升電池發電效率，並可使背電極與吸收層的附著性提高。然而，MoSe2層並非良好導體，過厚的MoSe2層不利於薄膜太陽能電池之性能，適當的MoSe2層厚度有助提升化合物薄膜太陽電池發電效率。本專利涉及一種簡單方式控制化合物薄膜太陽電池Mo背電極生成MoSe2層厚度之方法，包括透過改變Mo背電極濺鍍功率及不同Mo：Na/Mo薄膜堆疊厚度比例可有效控制MoSe2層厚度，進而提升電池發電效率。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

吳政翰

電話

03-4712201-357058

傳真

03-4711024

電子信箱

csist.suntek@gmail.com

參考網址

http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?@@44094063

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 03-4712201-357058 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號14587
產出年度103
領域別綠能科技
專利名稱-中文多段可調連續式電化學拋光系統
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人胡松城;林以中;李碩仁;陳貽和
核准國家中華民國
獲證日期103/11/11
證書號碼I460781
專利期間起111/03/07
專利期間訖一種多段可調連續式電化學拋光系統，其包含至少一裝填有電解液之電解槽；一對應設於電解槽適當處之驅動機構；一由驅動機構帶動而於電解槽中移動之金屬薄片，其至少包含有一待處理表面；多數活動設於電解槽中且與一待處理表面具有預定電解間隙之電極部；以及一具有正、負電極之電源供應機構，其正電極係與金屬薄片連接，而負電極係與各電極部連接。藉此，可分段調整各電極部與待處理表面之電解間隙，以利用較佳之電極間距改變電流密度，進而改善待處理表面之粗糙度，而使金屬薄片於電化學拋光時，達到大面積施作、快速生產以及表面品質均勻之功效。
專利性質發明
技術摘要-中文一種多段可調連續式電化學拋光系統，其包含至少一裝填有電解液之電解槽；一對應設於電解槽適當處之驅動機構；一由驅動機構帶動而於電解槽中移動之金屬薄片，其至少包含有一待處理表面；多數活動設於電解槽中且與一待處理表面具有預定電解間隙之電極部；以及一具有正、負電極之電源供應機構，其正電極係與金屬薄片連接，而負電極係與各電極部連接。藉此，可分段調整各電極部與待處理表面之電解間隙，以利用較佳之電極間距改變電流密度，進而改善待處理表面之粗糙度，而使金屬薄片於電化學拋光時，達到大面積施作、快速生產以及表面品質均勻之功效。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員吳政翰
電話03-4712201-357058
傳真03-4711024
電子信箱csist.suntek@gmail.com
參考網址http://twpat4.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?010706960006020100000000000100A00000003E000000000^__
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14587
產出年度: 103
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 多段可調連續式電化學拋光系統
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人: 胡松城;林以中;李碩仁;陳貽和
核准國家: 中華民國
獲證日期: 103/11/11
證書號碼: I460781
專利期間起: 111/03/07
專利期間訖: 一種多段可調連續式電化學拋光系統，其包含至少一裝填有電解液之電解槽；一對應設於電解槽適當處之驅動機構；一由驅動機構帶動而於電解槽中移動之金屬薄片，其至少包含有一待處理表面；多數活動設於電解槽中且與一待處理表面具有預定電解間隙之電極部；以及一具有正、負電極之電源供應機構，其正電極係與金屬薄片連接，而負電極係與各電極部連接。藉此，可分段調整各電極部與待處理表面之電解間隙，以利用較佳之電極間距改變電流密度，進而改善待處理表面之粗糙度，而使金屬薄片於電化學拋光時，達到大面積施作、快速生產以及表面品質均勻之功效。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種多段可調連續式電化學拋光系統，其包含至少一裝填有電解液之電解槽；一對應設於電解槽適當處之驅動機構；一由驅動機構帶動而於電解槽中移動之金屬薄片，其至少包含有一待處理表面；多數活動設於電解槽中且與一待處理表面具有預定電解間隙之電極部；以及一具有正、負電極之電源供應機構，其正電極係與金屬薄片連接，而負電極係與各電極部連接。藉此，可分段調整各電極部與待處理表面之電解間隙，以利用較佳之電極間距改變電流密度，進而改善待處理表面之粗糙度，而使金屬薄片於電化學拋光時，達到大面積施作、快速生產以及表面品質均勻之功效。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 吳政翰
電話: 03-4712201-357058
傳真: 03-4711024
電子信箱: csist.suntek@gmail.com
參考網址: http://twpat4.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?010706960006020100000000000100A00000003E000000000^__
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201-357058 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號2959
產出年度97
技術名稱-中文BCC高容量儲氫合金熔煉技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文BCC儲氫合金之Ti、V、Cr主要元素屬於高活性元素，且熔點高達1900℃以上，在合金之凝固過程中必須以急冷製程方能保持完整的BCC相，利用此高容量儲氫合金熔煉技術，可產製零污染之BCC高容量儲氫合金。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格晶粒大小：小於2μm 偏析度：99.8%以上 儲氫量：大於3.0wt%
技術成熟度雛型
可應用範圍高清淨合金、非晶質合金等應用
潛力預估搭配高功率燃料電池、鎳氫電池、3C行動電子產品及氫能汽車等具廣闊市場
聯絡人員劉晁宏
電話03-4712201-357058
傳真03-4111334
電子信箱無
參考網址(空)
所須軟硬體設備真空熔煉設備、吸放氫測試儀
需具備之專業人才材料相關背景
序號: 2959
產出年度: 97
技術名稱-中文: BCC高容量儲氫合金熔煉技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: BCC儲氫合金之Ti、V、Cr主要元素屬於高活性元素，且熔點高達1900℃以上，在合金之凝固過程中必須以急冷製程方能保持完整的BCC相，利用此高容量儲氫合金熔煉技術，可產製零污染之BCC高容量儲氫合金。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 晶粒大小：小於2μm 偏析度：99.8%以上 儲氫量：大於3.0wt%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 高清淨合金、非晶質合金等應用
潛力預估: 搭配高功率燃料電池、鎳氫電池、3C行動電子產品及氫能汽車等具廣闊市場
聯絡人員: 劉晁宏
電話: 03-4712201-357058
傳真: 03-4111334
電子信箱: 無
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 真空熔煉設備、吸放氫測試儀
需具備之專業人才: 材料相關背景

# 03-4712201-357058 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號12886
產出年度102
領域別機械運輸
專利名稱-中文一種提升儲氫合金性能的熔製坩堝處理方法
執行單位中科院材料所
產出單位中科院五所
計畫名稱高值化金屬材料暨製造技術研發計畫
專利發明人伍員鵬、薄慧雲、廖健鴻、劉明浩
核准國家中華民國
獲證日期102/08/01
證書號碼403491
專利期間起102/08/01
專利期間訖119/05/26
專利性質發明
技術摘要-中文一種提升儲氫合金性能的熔製坩堝處理方法
技術摘要-英文(空)
聯絡人員朱柏翰
電話03-4712201-357058
傳真03-4111334
電子信箱KGjoe@hotmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12886
產出年度: 102
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: 一種提升儲氫合金性能的熔製坩堝處理方法
執行單位: 中科院材料所
產出單位: 中科院五所
計畫名稱: 高值化金屬材料暨製造技術研發計畫
專利發明人: 伍員鵬、薄慧雲、廖健鴻、劉明浩
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/08/01
證書號碼: 403491
專利期間起: 102/08/01
專利期間訖: 119/05/26
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種提升儲氫合金性能的熔製坩堝處理方法
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 朱柏翰
電話: 03-4712201-357058
傳真: 03-4111334
電子信箱: KGjoe@hotmail.com
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201-357058 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號14585
產出年度103
領域別綠能科技
專利名稱-中文一種CIGS薄膜太陽電池前驅層結構
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人吳政翰; 倪國裕;薄慧雲;林義成;徐敬堯;李哲偉
核准國家中華民國
獲證日期103/02/01
證書號碼M471360
專利期間起111/12/25
專利期間訖我們提出一種CIGS薄膜太陽電池前趨層結構，用以改善濺鍍法製備(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太陽電池吸收層前趨層經硒化後表面粗糙不平坦之問題，及改善退火後Ga下沉及濃度分布不均的影響。由研究結果中發現，將前驅層中的In分為二層，並分別以蒸鍍及濺鍍兩種不同方式製備，一為蒸鍍銦層(In(E))，另一為濺鍍銦層(In(S))，此前趨層結構In(E)/In(S)/CuGa在經過兩階段硒化退火後，與一般只利用濺鍍方式製備單層In的前趨層，In(s)/CuGa結構相比，明顯減少了吸收層薄膜表面粗糙狀況和Ga濃度梯度分布。
專利性質新型
技術摘要-中文我們提出一種CIGS薄膜太陽電池前趨層結構，用以改善濺鍍法製備(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太陽電池吸收層前趨層經硒化後表面粗糙不平坦之問題，及改善退火後Ga下沉及濃度分布不均的影響。由研究結果中發現，將前驅層中的In分為二層，並分別以蒸鍍及濺鍍兩種不同方式製備，一為蒸鍍銦層(In(E))，另一為濺鍍銦層(In(S))，此前趨層結構In(E)/In(S)/CuGa在經過兩階段硒化退火後，與一般只利用濺鍍方式製備單層In的前趨層，In(s)/CuGa結構相比，明顯減少了吸收層薄膜表面粗糙狀況和Ga濃度梯度分布。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員吳政翰
電話03-4712201-357058
傳真03-4711024
電子信箱csist.suntek@gmail.com
參考網址http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?0046F7390008040100000000000100A00000003E000000000^__
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14585
產出年度: 103
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 一種CIGS薄膜太陽電池前驅層結構
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利發明人: 吳政翰; 倪國裕;薄慧雲;林義成;徐敬堯;李哲偉
核准國家: 中華民國
獲證日期: 103/02/01
證書號碼: M471360
專利期間起: 111/12/25
專利期間訖: 我們提出一種CIGS薄膜太陽電池前趨層結構，用以改善濺鍍法製備(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太陽電池吸收層前趨層經硒化後表面粗糙不平坦之問題，及改善退火後Ga下沉及濃度分布不均的影響。由研究結果中發現，將前驅層中的In分為二層，並分別以蒸鍍及濺鍍兩種不同方式製備，一為蒸鍍銦層(In(E))，另一為濺鍍銦層(In(S))，此前趨層結構In(E)/In(S)/CuGa在經過兩階段硒化退火後，與一般只利用濺鍍方式製備單層In的前趨層，In(s)/CuGa結構相比，明顯減少了吸收層薄膜表面粗糙狀況和Ga濃度梯度分布。
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 我們提出一種CIGS薄膜太陽電池前趨層結構，用以改善濺鍍法製備(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太陽電池吸收層前趨層經硒化後表面粗糙不平坦之問題，及改善退火後Ga下沉及濃度分布不均的影響。由研究結果中發現，將前驅層中的In分為二層，並分別以蒸鍍及濺鍍兩種不同方式製備，一為蒸鍍銦層(In(E))，另一為濺鍍銦層(In(S))，此前趨層結構In(E)/In(S)/CuGa在經過兩階段硒化退火後，與一般只利用濺鍍方式製備單層In的前趨層，In(s)/CuGa結構相比，明顯減少了吸收層薄膜表面粗糙狀況和Ga濃度梯度分布。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 吳政翰
電話: 03-4712201-357058
傳真: 03-4711024
電子信箱: csist.suntek@gmail.com
參考網址: http://twpat5.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm?0046F7390008040100000000000100A00000003E000000000^__
備註: (空)
特殊情形: (空)
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與一種化合物薄膜太陽電池鉬背電極之歐姆接觸膜層結構同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

二氧化碳超臨界流萃取天然氨基酸之製造法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 劉致中, 林俊仁, 許哲源 | 證書號碼: 195746

化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 金光祖, 陳秋美 | 證書號碼: 197106

從滷水生產鋰濃縮液的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 張怡隆, 江玉琳, 許哲源, 林俊仁 | 證書號碼: 203406

從滷水生產鋰濃縮液的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 張怡隆, 江玉琳, 許哲源, 林俊仁 | 證書號碼: 6,764,584

用於鋰離子電池之正極的改質鋰鈷氧化物，其製備方法及鋰離子電池

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李日琪, 林俊仁, 許哲源 | 證書號碼: 192322

四氧化三鈷之低溫合成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李日琪, 許哲源, 林俊仁 | 證書號碼: 206821

半固態金屬射出成形之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 彭暄, 蔡浪富, 梁沐旺, 徐文敏, 賴根賢, 胡立德 | 證書號碼: 189315

電腦視窗界面的快速多工控制系統

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許文通,郭文章,王國光,葉昭蘭 | 證書號碼: ZL98125165.X

雙螺旋轉子總成

核准國家: 英國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 方宏聲,馮展華,王漢聰,蔡政展,陳俊宏,陳明豐 | 證書號碼: GB2352777

無電鍍形成雙層以上金屬凸塊的製備方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 梁沐旺, 曾乙修, 蔣邦民 | 證書號碼: ZL01118735.2

無電鍍形成雙層以上金屬凸塊之製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 梁沐旺, 曾乙修, 蔣邦民 | 證書號碼: 6653235

微工件之選料裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 潘正堂, 吳東權 | 證書號碼: 6817465

潔淨容器之氣孔裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳宗明, 蔡昇富, 蘇戊成 | 證書號碼: 6732877

應用于工具機直結式主軸的松刀機構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡志揚, 黃鴻傑, 張恩生, 蔡坤龍 | 證書號碼: ZL03251417.4

應用於工具機直結式主軸之鬆刀機構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡志揚, 黃鴻傑, 張恩生, 蔡坤龍 | 證書號碼: 216588

二氧化碳超臨界流萃取天然氨基酸之製造法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 劉致中, 林俊仁, 許哲源 | 證書號碼: 195746

化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 金光祖, 陳秋美 | 證書號碼: 197106

從滷水生產鋰濃縮液的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 張怡隆, 江玉琳, 許哲源, 林俊仁 | 證書號碼: 203406

從滷水生產鋰濃縮液的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 張怡隆, 江玉琳, 許哲源, 林俊仁 | 證書號碼: 6,764,584

用於鋰離子電池之正極的改質鋰鈷氧化物，其製備方法及鋰離子電池

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李日琪, 林俊仁, 許哲源 | 證書號碼: 192322

四氧化三鈷之低溫合成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李日琪, 許哲源, 林俊仁 | 證書號碼: 206821

半固態金屬射出成形之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 彭暄, 蔡浪富, 梁沐旺, 徐文敏, 賴根賢, 胡立德 | 證書號碼: 189315

電腦視窗界面的快速多工控制系統

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許文通,郭文章,王國光,葉昭蘭 | 證書號碼: ZL98125165.X

雙螺旋轉子總成

核准國家: 英國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 方宏聲,馮展華,王漢聰,蔡政展,陳俊宏,陳明豐 | 證書號碼: GB2352777

無電鍍形成雙層以上金屬凸塊的製備方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 梁沐旺, 曾乙修, 蔣邦民 | 證書號碼: ZL01118735.2

無電鍍形成雙層以上金屬凸塊之製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 梁沐旺, 曾乙修, 蔣邦民 | 證書號碼: 6653235

微工件之選料裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 潘正堂, 吳東權 | 證書號碼: 6817465

潔淨容器之氣孔裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳宗明, 蔡昇富, 蘇戊成 | 證書號碼: 6732877

應用于工具機直結式主軸的松刀機構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡志揚, 黃鴻傑, 張恩生, 蔡坤龍 | 證書號碼: ZL03251417.4

應用於工具機直結式主軸之鬆刀機構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡志揚, 黃鴻傑, 張恩生, 蔡坤龍 | 證書號碼: 216588

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