垂直磁化穿隧式磁阻元件及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文垂直磁化穿隧式磁阻元件及其製造方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是沈桂弘 ,楊姍意 ,王泳弘, 證書號碼是9172032.

序號	16445
產出年度	104
領域別	智慧科技
專利名稱-中文	垂直磁化穿隧式磁阻元件及其製造方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人	沈桂弘 ,楊姍意 ,王泳弘
核准國家	美國
獲證日期	104/11/17
證書號碼	9172032
專利期間起	104/10/27
專利期間訖	123/02/16
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種垂直磁化穿隧式磁阻元件，包括參考層、穿隧介電層、自由層以及頂蓋層。穿隧介電層覆蓋於參考層上。自由層覆蓋於穿隧介電層上。頂蓋層，覆蓋自由層，頂蓋層是由鎂、鋁以及氧所組成。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	陳玲君
電話	03-5913792
傳真	03-5917690
電子信箱	KellyChen@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

16445

產出年度

104

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

垂直磁化穿隧式磁阻元件及其製造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

沈桂弘 ,楊姍意 ,王泳弘

核准國家

美國

獲證日期

104/11/17

證書號碼

9172032

專利期間起

104/10/27

專利期間訖

123/02/16

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種垂直磁化穿隧式磁阻元件，包括參考層、穿隧介電層、自由層以及頂蓋層。穿隧介電層覆蓋於參考層上。自由層覆蓋於穿隧介電層上。頂蓋層，覆蓋自由層，頂蓋層是由鎂、鋁以及氧所組成。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳玲君

電話

03-5913792

傳真

03-5917690

電子信箱

KellyChen@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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磁性記憶體元件	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 ,王泳弘 ,顏誠廷 ,沈桂弘 ,陳威全 ,楊姍意 , \| 證書號碼: 7,606,063 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁性記憶體元件	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 ,王泳弘 ,顏誠廷 ,沈桂弘 ,陳威全 ,楊姍意 , \| 證書號碼: I330366 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
上固定型垂直磁化穿隧磁阻元件	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 王泳弘 ,沈桂弘 ,王丁勇 ,楊姍意 \| 證書號碼: I514373 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
可改善寫入範圍之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳威全王泳弘楊姍意沈桂弘 \| 證書號碼: I304212 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁穿隧元件及磁性記憶裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 , \| 證書號碼: I307507 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
磁穿隧元件及磁性記憶裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳威全 ,王泳弘 ,楊姍意 ,沈桂弘 , \| 證書號碼: 7583529 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳裕華 \| 證書號碼: I475623 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶片堆疊結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先 \| 證書號碼: 13/912,207 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇 \| 證書號碼: 9,385,314 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
變容器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇 \| 證書號碼: I518864 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
電阻式記憶體裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄 \| 證書號碼: 9,378,785 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄 \| 證書號碼: I515866 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Backside TSV製程技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal. \| 潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
半導體曝光製程技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 奈米電子製程技術實驗室 DUV Stepper疊對 \| 潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮，應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法

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晶片堆疊結構

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電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

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變容器

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電阻式記憶體裝置

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半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路

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半導體曝光製程技術

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發光元件的驅動控制電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡嘉明 \| 證書號碼: 6,735,228
具有整波電路之高速雷射驅動器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 周明忠 \| 證書號碼: 6,798,802
壓制電流分配的充放電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張毓仁 \| 證書號碼: 6,794,911
電力控制電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林 \| 證書號碼: 214743
提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄 \| 證書號碼: 184318
低頻率漂移數位頻率調制裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 高炳文, 謝賜山, 紀秋棉 \| 證書號碼: 195328
光學編碼器定位裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 林慶芳 \| 證書號碼: 193120
影像偵測元件與其與待測物件相對移動方向之垂直偏移度量測方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 林俊育, 宋新岳, 羅偕益 \| 證書號碼: 200068
熱釋電型感測器信號轉換電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 涂鐘範, 林耀明 \| 證書號碼: 197821
顯示裝置之檢測系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 田立芬, 葉峻毅, 楊福祥 \| 證書號碼: 220689
寬頻掃頻電路架構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮, 謝賜山 \| 證書號碼: 198444
光源產生裝置及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 林勝雄, 江敏華, 郭葉琮 \| 證書號碼: 200164
相位差調整裝置及方法以及應用該相位差調整裝置之感測裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 楊景榮, 高清芬, 陳譽元 \| 證書號碼: 206753
新型窄長平直薄型基材專用浸泡塗佈裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 葉清銘, 陳燦林, 陳譽元 \| 證書號碼: 206450
反射尺讀頭裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 林慶芳, 高清芬, 陳燦林, 陳譽元 \| 證書號碼: 201496

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