一種電化學加工線上量測間隙之裝置及其方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種電化學加工線上量測間隙之裝置及其方法的核准國家是中華民國, 執行單位是金屬中心, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是金屬中心產業技術環境建構計畫, 專利發明人是林大裕、陳弘毅、洪榮洲, 證書號碼是I491460.

序號16838
產出年度104
領域別製造精進
專利名稱-中文一種電化學加工線上量測間隙之裝置及其方法
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱金屬中心產業技術環境建構計畫
專利發明人林大裕、陳弘毅、洪榮洲
核准國家中華民國
獲證日期104/07/11
證書號碼I491460
專利期間起104/07/11
專利期間訖121/12/25
專利性質發明
技術摘要-中文一種電化學加工線上量測間隙之裝置及其方法
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳弘毅
電話04-23502169
傳真04-23501174
電子信箱hyc@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

16838

產出年度

104

領域別

製造精進

專利名稱-中文

一種電化學加工線上量測間隙之裝置及其方法

執行單位

金屬中心

產出單位

金屬中心

計畫名稱

金屬中心產業技術環境建構計畫

專利發明人

林大裕、陳弘毅、洪榮洲

核准國家

中華民國

獲證日期

104/07/11

證書號碼

I491460

專利期間起

104/07/11

專利期間訖

121/12/25

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種電化學加工線上量測間隙之裝置及其方法

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳弘毅

電話

04-23502169

傳真

04-23501174

電子信箱

hyc@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號2308
產出年度96
技術名稱-中文精微成形設備開發技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文"藉由沖床『設計分析』與『伺服控制』之技術，提升0.5噸次世代沖床下死點精度至1㎛ 。 運用精密加工技術配合沖床結構設計，有效提高沖床靜態精度至㎛級，更適於超精密沖壓_x000D_"_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格下死點精度≦1μm 、沖壓能力：0.5噸 、 滑塊行程：10mm、 滑塊回轉數：30~100 spm_x000D_
技術成熟度其他
可應用範圍3C產業(微型光碟機、微型硬碟機、感測器）_x000D_
潛力預估隨系統廠微形裝置之開發，其所需之精微扣件微機構元件等之需求將會逐年上升，預估每年會有10%以上之成長率。 _x000D_
聯絡人員陳弘毅
電話04-23502169#520
傳真04-23502169
電子信箱hyc@mail.mirdctc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備結構分析軟體、繪圖軟體、精密加工機、焊接設備、控制軟體、鑄造設備、熱處理設備、精密量床等_x000D_
需具備之專業人才材料、機械、電機相關背景。_x000D_
序號: 2308
產出年度: 96
技術名稱-中文: 精微成形設備開發技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: "藉由沖床『設計分析』與『伺服控制』之技術，提升0.5噸次世代沖床下死點精度至1㎛ 。 運用精密加工技術配合沖床結構設計，有效提高沖床靜態精度至㎛級，更適於超精密沖壓_x000D_"_x000D_
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 下死點精度≦1μm 、沖壓能力：0.5噸 、 滑塊行程：10mm、 滑塊回轉數：30~100 spm_x000D_
技術成熟度: 其他
可應用範圍: 3C產業(微型光碟機、微型硬碟機、感測器）_x000D_
潛力預估: 隨系統廠微形裝置之開發，其所需之精微扣件微機構元件等之需求將會逐年上升，預估每年會有10%以上之成長率。 _x000D_
聯絡人員: 陳弘毅
電話: 04-23502169#520
傳真: 04-23502169
電子信箱: hyc@mail.mirdctc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: 結構分析軟體、繪圖軟體、精密加工機、焊接設備、控制軟體、鑄造設備、熱處理設備、精密量床等_x000D_
需具備之專業人才: 材料、機械、電機相關背景。_x000D_

# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號16905
產出年度104
領域別製造精進
專利名稱-中文防護裝置
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人劉衾瑋、林大裕、陳佑論、陳弘毅
核准國家中華民國
獲證日期104/04/21
證書號碼I481467
專利期間起104/04/21
專利期間訖119/12/25
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提案為一種防護單元，以保護置其內之一移動裝置，該防護單元包括一環繞結構、一彈性環繞件及一端面蓋，其中該環繞結構形成容置空間於其內以容置移動裝置設置，且其端緣形成有環溝槽以容置彈性環繞件，該端面蓋連接於該移動裝置，同時相鄰該環繞結構之端緣，且可移動地鄰接於該彈性環繞件，該端面蓋之面積大於該環繞結構端緣之環繞環面積，如此可防止灰塵、水氣進該防護單元內，因此可保護內置之移動裝置，特別利用於電化學加工之裝置上，有利於使用於潮濕、腐蝕環境，以保護移動裝置，避免其腐蝕損壞。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉衾瑋
電話04-23502169-527
傳真04-23501174
電子信箱kiwiliu@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16905
產出年度: 104
領域別: 製造精進
專利名稱-中文: 防護裝置
執行單位: 金屬中心
產出單位: 金屬中心
計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人: 劉衾瑋、林大裕、陳佑論、陳弘毅
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/04/21
證書號碼: I481467
專利期間起: 104/04/21
專利期間訖: 119/12/25
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提案為一種防護單元，以保護置其內之一移動裝置，該防護單元包括一環繞結構、一彈性環繞件及一端面蓋，其中該環繞結構形成容置空間於其內以容置移動裝置設置，且其端緣形成有環溝槽以容置彈性環繞件，該端面蓋連接於該移動裝置，同時相鄰該環繞結構之端緣，且可移動地鄰接於該彈性環繞件，該端面蓋之面積大於該環繞結構端緣之環繞環面積，如此可防止灰塵、水氣進該防護單元內，因此可保護內置之移動裝置，特別利用於電化學加工之裝置上，有利於使用於潮濕、腐蝕環境，以保護移動裝置，避免其腐蝕損壞。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉衾瑋
電話: 04-23502169-527
傳真: 04-23501174
電子信箱: kiwiliu@mail.mirdc.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號18825
產出年度105
領域別製造精進
專利名稱-中文防護裝置
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人劉衾瑋、陳弘毅、林大裕、陳佑論
核准國家中國大陸
獲證日期105/04/13
證書號碼ZL201310579215.9
專利期間起105/03/02
專利期間訖120/12/29
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提案為一種防護單元，以保護置其內之一移動裝置，該防護單元包括一環繞結構、一彈性環繞件及一端面蓋，其中該環繞結構形成容置空間於其內以容置移動裝置設置，且其端緣形成有環溝槽以容置彈性環繞件，該端面蓋連接於該移動裝置，同時相鄰該環繞結構之端緣，且可移動地鄰接於該彈性環繞件，該端面蓋之面積大於該環繞結構端緣之環繞環面積，如此可防止灰塵、水氣進該防護單元內，因此可保護內置之移動裝置，特別利用於電化學加工之裝置上，有利於使用於潮濕、腐蝕環境，以保護移動裝置，避免其腐蝕損壞。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉衾瑋
電話04-23502169 # 527
傳真04-23501174
電子信箱kiwiliu@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 18825
產出年度: 105
領域別: 製造精進
專利名稱-中文: 防護裝置
執行單位: 金屬中心
產出單位: 金屬中心
計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫
專利發明人: 劉衾瑋、陳弘毅、林大裕、陳佑論
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 105/04/13
證書號碼: ZL201310579215.9
專利期間起: 105/03/02
專利期間訖: 120/12/29
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提案為一種防護單元，以保護置其內之一移動裝置，該防護單元包括一環繞結構、一彈性環繞件及一端面蓋，其中該環繞結構形成容置空間於其內以容置移動裝置設置，且其端緣形成有環溝槽以容置彈性環繞件，該端面蓋連接於該移動裝置，同時相鄰該環繞結構之端緣，且可移動地鄰接於該彈性環繞件，該端面蓋之面積大於該環繞結構端緣之環繞環面積，如此可防止灰塵、水氣進該防護單元內，因此可保護內置之移動裝置，特別利用於電化學加工之裝置上，有利於使用於潮濕、腐蝕環境，以保護移動裝置，避免其腐蝕損壞。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉衾瑋
電話: 04-23502169 # 527
傳真: 04-23501174
電子信箱: kiwiliu@mail.mirdc.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號881
產出年度94
技術名稱-中文多向閥機構設計開發技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 10kg /cm2、逸散率25000次。
技術成熟度試量產
可應用範圍超潔淨閥及相關流量分配系統。
潛力預估應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價8,000元，量產初期10,000個/年，產值可達8,000萬元以上。
聯絡人員林庭凱
電話04-23502169轉519
傳真04-23501174
電子信箱ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備精密車床、銑床及電腦設備等。
需具備之專業人才閥類設計或機械加工相關背景。
序號: 881
產出年度: 94
技術名稱-中文: 多向閥機構設計開發技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 10kg /cm2、逸散率25000次。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 超潔淨閥及相關流量分配系統。
潛力預估: 應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價8,000元，量產初期10,000個/年，產值可達8,000萬元以上。
聯絡人員: 林庭凱
電話: 04-23502169轉519
傳真: 04-23501174
電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備: 精密車床、銑床及電腦設備等。
需具備之專業人才: 閥類設計或機械加工相關背景。

# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號882
產出年度94
技術名稱-中文超鏡面加工技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，克服熱效應及表面施力之缺點，提升加工效率及產品穩定性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格表面精度≦ 0.13μm、鏡面反射率≧ 60%、鈍化膜厚度≧25 A。
技術成熟度雛型
可應用範圍超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。
潛力預估應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約30%。
聯絡人員林庭凱
電話04-23502169轉519
傳真04-23501174
電子信箱ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才機械加工及拋光技術相關背景。
序號: 882
產出年度: 94
技術名稱-中文: 超鏡面加工技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，克服熱效應及表面施力之缺點，提升加工效率及產品穩定性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 表面精度≦ 0.13μm、鏡面反射率≧ 60%、鈍化膜厚度≧25 A。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。
潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約30%。
聯絡人員: 林庭凱
電話: 04-23502169轉519
傳真: 04-23501174
電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 機械加工及拋光技術相關背景。

# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號886
產出年度94
技術名稱-中文超精密沖壓設備設計分析技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文國內沖床下死點精度 0.03~0.1mm。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格下死點精度 ：≦ 0.006mm 、公稱壓力：30KN、滑塊行程：15mm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍3C光電、鐘錶、馬達等產業。
潛力預估隨系統廠微型裝置之開發，其所需之精微扣件、傳動軸件、微機構元件、微結構零件與殼件之需求會逐年上升，預估每年會有10%以上之成長率。
聯絡人員陳弘毅
電話04-23502169轉520
傳真04-23501174
電子信箱hyc@mail.mirdctc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備機構/結構分析軟體。
需具備之專業人才機械相關背景。
序號: 886
產出年度: 94
技術名稱-中文: 超精密沖壓設備設計分析技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 國內沖床下死點精度 0.03~0.1mm。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 下死點精度 ：≦ 0.006mm 、公稱壓力：30KN、滑塊行程：15mm。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 3C光電、鐘錶、馬達等產業。
潛力預估: 隨系統廠微型裝置之開發，其所需之精微扣件、傳動軸件、微機構元件、微結構零件與殼件之需求會逐年上升，預估每年會有10%以上之成長率。
聯絡人員: 陳弘毅
電話: 04-23502169轉520
傳真: 04-23501174
電子信箱: hyc@mail.mirdctc.org.tw
參考網址: http://www.mirdc.org.tw/
所須軟硬體設備: 機構/結構分析軟體。
需具備之專業人才: 機械相關背景。

# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號1886
產出年度95
技術名稱-中文壓力調節閥機構設計開發技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 35kg /cm2、調壓範圍 0~3.5kg /cm2、逸散率25000次。
技術成熟度雛型
可應用範圍超潔淨閥及相關流量分配系統。
潛力預估應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價35,000元，量產初期1,500個/年，產值可達5,000萬元以上。
聯絡人員林庭凱
電話04-23502169轉519
傳真04-23501174
電子信箱ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備精密車床、銑床及電腦設備等。
需具備之專業人才閥類設計或機械加工相關背景。
序號: 1886
產出年度: 95
技術名稱-中文: 壓力調節閥機構設計開發技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以產品開發方式，藉由專利分析、構想設計、快速成形、產品試製、產品測試等程序，完成適合光電、半導體等產業製程設備用之超潔淨閥。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 35kg /cm2、調壓範圍 0~3.5kg /cm2、逸散率25000次。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 超潔淨閥及相關流量分配系統。
潛力預估: 應用於高潔淨閥之開發與製作，預計可取代同類型之進口產品，預估單價35,000元，量產初期1,500個/年，產值可達5,000萬元以上。
聯絡人員: 林庭凱
電話: 04-23502169轉519
傳真: 04-23501174
電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址: www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: 精密車床、銑床及電腦設備等。
需具備之專業人才: 閥類設計或機械加工相關背景。

# 04-23502169 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號1887
產出年度95
技術名稱-中文電解複合研磨加工技術
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，利用電解作用進行表面材料去除，克服工具痕跡及表面施力之缺點，提升加工效率及工件表面品質。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格表面精度≦ 0.05μm。
技術成熟度試量產
可應用範圍超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。
潛力預估應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約50%。
聯絡人員林庭凱
電話04-23502169轉519
傳真04-23501174
電子信箱ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備電解複合研磨加工設備。
需具備之專業人才機械加工及拋光技術相關背景。
序號: 1887
產出年度: 95
技術名稱-中文: 電解複合研磨加工技術
執行單位: 金屬中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以電化學方式進行金屬表面加工或拋光，利用電解作用進行表面材料去除，克服工具痕跡及表面施力之缺點，提升加工效率及工件表面品質。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 表面精度≦ 0.05μm。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 超潔淨管閥件及相關流量分配系統或精密零組件。
潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作，預計可取代傳統加工方式，提升產品穩定性及加工效率，利用內管拋光之自動化，提高效率約50%。
聯絡人員: 林庭凱
電話: 04-23502169轉519
傳真: 04-23501174
電子信箱: ltk@mail.mirdctc.org.tw
參考網址: www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備: 電解複合研磨加工設備。
需具備之專業人才: 機械加工及拋光技術相關背景。
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與一種電化學加工線上量測間隙之裝置及其方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

具有三明治結構的陶瓷生胚

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭世裕, 張鳴助, 王譯慧 | 證書號碼: 220426

超高解析度可錄式光碟片

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 蔡松雨, 曾美榕, 許世朋, 洪添燦, 郭博成 | 證書號碼: 220834

高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡松雨, 洪添燦, 許世朋, 姜皞先 | 證書號碼: 204070

全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚 | 證書號碼: 6811948

單體電子元件結構之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 林鴻欽, 石啟仁, 葉信賢, 林慧霓, 施劭儒 | 證書號碼: 183802

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 196551

光資訊記錄媒體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕 | 證書號碼: 6713148

低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福 | 證書號碼: 189386

正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍 | 證書號碼: 6670090

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

高精度低溫共燒陶瓷之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲 | 證書號碼: 189799

電漿顯示器背板結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國創, 林江財, 曾英蘭 | 證書號碼: 195305

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 6,780,943

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

具有三明治結構的陶瓷生胚

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭世裕, 張鳴助, 王譯慧 | 證書號碼: 220426

超高解析度可錄式光碟片

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 蔡松雨, 曾美榕, 許世朋, 洪添燦, 郭博成 | 證書號碼: 220834

高密度可錄式光碟片用之新型記錄層染料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡松雨, 洪添燦, 許世朋, 姜皞先 | 證書號碼: 204070

全光域、高密度、高解析度、高倍速及高相容性之可錄式光記錄媒體之膜層

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 張育嘉, 鄭竹軒, 周瑞崇, 柯文揚 | 證書號碼: 6811948

單體電子元件結構之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 林鴻欽, 石啟仁, 葉信賢, 林慧霓, 施劭儒 | 證書號碼: 183802

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 196551

光資訊記錄媒體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕 | 證書號碼: 6713148

低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福 | 證書號碼: 189386

正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍 | 證書號碼: 6670090

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

高精度低溫共燒陶瓷之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲 | 證書號碼: 189799

電漿顯示器背板結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國創, 林江財, 曾英蘭 | 證書號碼: 195305

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 6,780,943

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

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