碳材導電膜的轉印方法
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專利名稱-中文碳材導電膜的轉印方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院環境建構總計畫, 專利發明人是郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟, 證書號碼是I524825.

序號18039
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文碳材導電膜的轉印方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院材化所
計畫名稱工研院環境建構總計畫
專利發明人郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟
核准國家中華民國
獲證日期105/03/10
證書號碼I524825
專利期間起105/03/01
專利期間訖121/10/28
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供之碳材導電膜的轉印方法,包括:提供第一基材;形成無機氧化層於第一基材之表面上,無機氧化層之總表面能介於30 mJ/m2至75mJ/m2之間,且無機氧化層表面之色散成份表面能與總表面能之比值介於0.4至0.8之間;將碳材分散液塗佈於無機氧化層上;烘乾碳材分散液,以形成碳材導電膜於無機氧化層上;將碳材導電膜浸入溶劑中,以分離碳材導電膜與無機氧化層;以及將第二基材與分離之碳材導電膜貼合,使碳材導電膜轉印至第二基材上。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註高值材化分項
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

18039

產出年度

105

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

碳材導電膜的轉印方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院材化所

計畫名稱

工研院環境建構總計畫

專利發明人

郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟

核准國家

中華民國

獲證日期

105/03/10

證書號碼

I524825

專利期間起

105/03/01

專利期間訖

121/10/28

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供之碳材導電膜的轉印方法,包括:提供第一基材;形成無機氧化層於第一基材之表面上,無機氧化層之總表面能介於30 mJ/m2至75mJ/m2之間,且無機氧化層表面之色散成份表面能與總表面能之比值介於0.4至0.8之間;將碳材分散液塗佈於無機氧化層上;烘乾碳材分散液,以形成碳材導電膜於無機氧化層上;將碳材導電膜浸入溶劑中,以分離碳材導電膜與無機氧化層;以及將第二基材與分離之碳材導電膜貼合,使碳材導電膜轉印至第二基材上。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

高值材化分項

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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碳材導電膜的轉印方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: 9067393

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碳材導電膜的轉印方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: ZL201210499082.X

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碳材導電膜的轉印方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: 9067393

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碳材導電膜的轉印方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: ZL201210499082.X

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透明導電膜與其形成方法

核准國家: 南韓 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: 10-1318195

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透明導電膜及其形成方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: ZL201110461274.7

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透明導電膜與其形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: I466140

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透明導電膜與其形成方法

核准國家: 南韓 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: 10-1318195

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透明導電膜及其形成方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: ZL201110461274.7

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透明導電膜與其形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 專利發明人: 郭信良 ,黃承鈞 ,黃淑娟 | 證書號碼: I466140

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

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照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , | 證書號碼: ZL200810211084.8

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 | 證書號碼: 8,384,215

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 | 證書號碼: 8,416,213

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200710184913.3

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: ZL200910202828.4

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 | 證書號碼: 8,391,520

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照明裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 | 證書號碼: I402456

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 | 證書號碼: 8,940,333

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與碳材導電膜的轉印方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 6651325

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 | 證書號碼: 184681

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 6651325

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 | 證書號碼: 184681

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