公司或商業登記名稱昱丞有限公司的登錄項目是販售場所, 業者地址是桃園市八德區金和路69號1樓, 食品業者登錄字號是H-200083052-00001-5.
| 公司或商業登記名稱 | 昱丞有限公司 |
| 公司統一編號 | (空) |
| 業者地址 | 桃園市八德區金和路69號1樓 |
| 食品業者登錄字號 | H-200083052-00001-5 |
| 登錄項目 | 販售場所 |
| 同步更新日期 | 2024-04-20 |
公司或商業登記名稱昱丞有限公司 |
公司統一編號(空) |
業者地址桃園市八德區金和路69號1樓 |
食品業者登錄字號H-200083052-00001-5 |
登錄項目販售場所 |
同步更新日期2024-04-20 |
昱丞有限公司的地址位於
桃園市八德區金和路69號1樓無其他 H-200083052-00001-5 資料。
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| 公司或商業登記名稱 | 昱丞有限公司 |
| 公司統一編號 | (空) |
| 業者地址 | 桃園市八德區金和路69號1樓 |
| 食品業者登錄字號 | H-200083052-00000-4 |
| 登錄項目 | 公司/商業登記 |
| 公司或商業登記名稱: 昱丞有限公司 |
| 公司統一編號: (空) |
| 業者地址: 桃園市八德區金和路69號1樓 |
| 食品業者登錄字號: H-200083052-00000-4 |
| 登錄項目: 公司/商業登記 |
| 設立案號 | 10666000600669 |
| 登記編號 | 66005738 |
| 工廠名稱 | 昱丞精密工業有限公司台中廠 |
| 工廠地址 | 臺中市梧棲區頂寮里八德路98巷79號 |
| 統一編號 | 54508308 |
| 鄉鎮名稱 | 梧棲區頂寮里 |
| 登記核准日期 | 1060807 |
| 符合之產業類別 | 25金屬製品製造業 |
| 設立案號: 10666000600669 |
| 登記編號: 66005738 |
| 工廠名稱: 昱丞精密工業有限公司台中廠 |
| 工廠地址: 臺中市梧棲區頂寮里八德路98巷79號 |
| 統一編號: 54508308 |
| 鄉鎮名稱: 梧棲區頂寮里 |
| 登記核准日期: 1060807 |
| 符合之產業類別: 25金屬製品製造業 |
| 序號 | 886 |
| 產出年度 | 93 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 元件轉貼之方法 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 專利發明人 | 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 221010 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 本發明為一種元件轉貼之方法，係在製作元件前先設置犧牲層，再運用溼式側向蝕刻方式或溼式側向蝕刻搭配機械式剝離的方式，將犧牲層去除或剝離，使元件與基板分離，此分離之元件可轉貼至另一基板，達到適用於各種產品設計及應用的需要。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | www.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 886 |
| 產出年度: 93 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 元件轉貼之方法 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: 221010 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 本發明為一種元件轉貼之方法，係在製作元件前先設置犧牲層，再運用溼式側向蝕刻方式或溼式側向蝕刻搭配機械式剝離的方式，將犧牲層去除或剝離，使元件與基板分離，此分離之元件可轉貼至另一基板，達到適用於各種產品設計及應用的需要。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: www.itri.org.tw |
| 備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 887 |
| 產出年度 | 93 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 多層互補式導線結構及其製造方法 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 專利發明人 | 陳昱丞, 陳麒麟 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 220775 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種多層互補式導線結構及其製造方法，包括至少一第一導線與至少一第二導線，且第一導線與第二導線各具有一主線以及與主線位於不同導線層的數條支線。第一導線與第二導線之間的絕緣層中開設有數個接觸窗，而使第一導線之主線與支線相連，以及使第二導線之主線與支線相連。其中，第一導線的主線係與第二導線的主線絕緣並交叉排列，且第一導線的主線係第二導線的支線絕緣並位於同一層導線結構中，而第二導線的主線則與第一導線的支線絕緣並位於另一同層導線結構中。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | www.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 887 |
| 產出年度: 93 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 多層互補式導線結構及其製造方法 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: 220775 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種多層互補式導線結構及其製造方法，包括至少一第一導線與至少一第二導線，且第一導線與第二導線各具有一主線以及與主線位於不同導線層的數條支線。第一導線與第二導線之間的絕緣層中開設有數個接觸窗，而使第一導線之主線與支線相連，以及使第二導線之主線與支線相連。其中，第一導線的主線係與第二導線的主線絕緣並交叉排列，且第一導線的主線係第二導線的支線絕緣並位於同一層導線結構中，而第二導線的主線則與第一導線的支線絕緣並位於另一同層導線結構中。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: www.itri.org.tw |
| 備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 1717 |
| 產出年度 | 94 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 多晶矽之結晶形成方法 |
| 執行單位 | 工研院院本部 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 專利發明人 | 林家興、陳麒麟、陳昱丞 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | I233457 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 劉展洋 |
| 電話 | 03-5916037 |
| 傳真 | 03-5917431 |
| 電子信箱 | JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸 |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 1717 |
| 產出年度: 94 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 多晶矽之結晶形成方法 |
| 執行單位: 工研院院本部 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 專利發明人: 林家興、陳麒麟、陳昱丞 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: I233457 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 劉展洋 |
| 電話: 03-5916037 |
| 傳真: 03-5917431 |
| 電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸 |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 2290 |
| 產出年度 | 95 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 多晶矽之結晶形成方法 |
| 執行單位 | 工研院院本部 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 專利發明人 | 林家興、陳麒麟、陳昱丞 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | (空) |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。An amorphous silicon layer is formed on a substrate, and then a protective layer and a reflective layer are formed in turn to form a film stack on portions of the amorphous silicon layer. The reflective layer is a metal layer with reflectivity of laser, and the protective layer is able to prevent metal pollution. When an excimer laser heating is performed to crystallize the amorphous silicon, nucleation sites are formed in the amorphous silicon layer under the film stack of the protective layer and the reflective layer. Next, laterally expanding crystallization is occurred in the amorphous silicon layer to form poly-silicon having grains with size of micrometer and fine order. |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 劉展洋 |
| 電話 | 03-5916037 |
| 傳真 | 03-5917431 |
| 電子信箱 | JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸 |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 2290 |
| 產出年度: 95 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 多晶矽之結晶形成方法 |
| 執行單位: 工研院院本部 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 專利發明人: 林家興、陳麒麟、陳昱丞 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: (空) |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種多晶矽之結晶形成方法，係為在基板上先形成非晶矽層，再於非晶矽層上的部份區域依序形成保護層與反射層堆疊，其中反射層係為可反射雷射的金屬材質，而保護層則可阻絕金屬污染。在後續進行準分子雷射加熱以使非晶矽層發生結晶時，位於保護層與反射層堆疊下方之非晶矽層會先產生結晶成核點。然後再橫向擴展結晶範圍，使非晶矽層能長出微米等級且規則排列之晶粒而轉變為多晶矽層。An amorphous silicon layer is formed on a substrate, and then a protective layer and a reflective layer are formed in turn to form a film stack on portions of the amorphous silicon layer. The reflective layer is a metal layer with reflectivity of laser, and the protective layer is able to prevent metal pollution. When an excimer laser heating is performed to crystallize the amorphous silicon, nucleation sites are formed in the amorphous silicon layer under the film stack of the protective layer and the reflective layer. Next, laterally expanding crystallization is occurred in the amorphous silicon layer to form poly-silicon having grains with size of micrometer and fine order. |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 劉展洋 |
| 電話: 03-5916037 |
| 傳真: 03-5917431 |
| 電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸 |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 2395 |
| 產出年度 | 95 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 一種新的轉貼元件之方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子與光電領域環境建構計畫 |
| 專利發明人 | 陳昱丞、王文通、張榮芳、湯景萱 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | (空) |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 本發明為一種元件轉貼之方法，係在製作元件前先設置犧牲層，再運用溼式側向蝕刻方式或溼式側向蝕刻搭配機械式剝離的方式，將犧牲層去除或剝離，使元件與基板分離，此分離之元件可轉貼至另一基板，達到適用於各種產品設計及應用的需要。The present invention relates to a method for transferably pasting a device. A sacrificing layer is positioned before the device is manufactured. Then, a method for lateral wet etching or a method for lateral wet etching with mechanical stripping is applied for removing or stripping the sacrificing layer so as to separate the device and the substrate. This separated device is transferably pasted on another substrate so as to meet the requirements for various products and applications. |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 劉展洋 |
| 電話 | 03-5916037 |
| 傳真 | 03-5917431 |
| 電子信箱 | JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 2395 |
| 產出年度: 95 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 一種新的轉貼元件之方法 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 |
| 專利發明人: 陳昱丞、王文通、張榮芳、湯景萱 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: (空) |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 本發明為一種元件轉貼之方法，係在製作元件前先設置犧牲層，再運用溼式側向蝕刻方式或溼式側向蝕刻搭配機械式剝離的方式，將犧牲層去除或剝離，使元件與基板分離，此分離之元件可轉貼至另一基板，達到適用於各種產品設計及應用的需要。The present invention relates to a method for transferably pasting a device. A sacrificing layer is positioned before the device is manufactured. Then, a method for lateral wet etching or a method for lateral wet etching with mechanical stripping is applied for removing or stripping the sacrificing layer so as to separate the device and the substrate. This separated device is transferably pasted on another substrate so as to meet the requirements for various products and applications. |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 劉展洋 |
| 電話: 03-5916037 |
| 傳真: 03-5917431 |
| 電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 2516 |
| 產出年度 | 95 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 多晶矽薄膜電晶體的製作方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子與光電領域環境建構計畫 |
| 專利發明人 | 林家興、陳昱丞、陳麒麟 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | I256138 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種多晶矽薄膜電晶體的製作方法，係為在基板上形成非晶矽層之後，即對非晶矽層進行圖案化，以形成矽島圖形，使提前定義出元件主動區域。接著，利用單發長脈衝雷射光束，照射矽島圖形，以誘發矽島圖形內產生超級橫向長晶行為，而由非晶矽轉變為多晶矽。最後，再依序進行後續薄膜電晶體製作流程，即完成多晶矽薄膜電晶體之製作。An amorphous silicon (a-Si) layer is first formed on a substrate, and the a-Si layer is next patterned to form silicon islands for defining device active regions. Then, a single shot laser beam with long pulse is utilized to irradiate each silicon island, and lateral growth crystallization is induced in each silicon island for transforming a-Si into polycrystalline silicon (poly-Si). Finally, the general subsequent processes for thin film transistor (TFT) fabrication are performed in turn to fabricate poly-Si TFTs. |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 劉展洋 |
| 電話 | 03-5916037 |
| 傳真 | 03-5917431 |
| 電子信箱 | JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 2516 |
| 產出年度: 95 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 多晶矽薄膜電晶體的製作方法 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 |
| 專利發明人: 林家興、陳昱丞、陳麒麟 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: I256138 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種多晶矽薄膜電晶體的製作方法，係為在基板上形成非晶矽層之後，即對非晶矽層進行圖案化，以形成矽島圖形，使提前定義出元件主動區域。接著，利用單發長脈衝雷射光束，照射矽島圖形，以誘發矽島圖形內產生超級橫向長晶行為，而由非晶矽轉變為多晶矽。最後，再依序進行後續薄膜電晶體製作流程，即完成多晶矽薄膜電晶體之製作。An amorphous silicon (a-Si) layer is first formed on a substrate, and the a-Si layer is next patterned to form silicon islands for defining device active regions. Then, a single shot laser beam with long pulse is utilized to irradiate each silicon island, and lateral growth crystallization is induced in each silicon island for transforming a-Si into polycrystalline silicon (poly-Si). Finally, the general subsequent processes for thin film transistor (TFT) fabrication are performed in turn to fabricate poly-Si TFTs. |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 劉展洋 |
| 電話: 03-5916037 |
| 傳真: 03-5917431 |
| 電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形: (空) |
潘恩企業有限公司 | 統一編號: 24271397 | 電話號碼: 03-3665133 | 桃園市八德區金和路69號3樓 @ 出進口廠商登記資料 |
潘恩企業有限公司統一編號: 24271397 | 電話號碼: 03-3665133 | 桃園市八德區金和路69號3樓 @ 出進口廠商登記資料 |
昱丞實業有限公司 | 地址: 屏東縣車城鄉保新路73號 | 電話: 08-882-4723 |
昱丞企業有限公司(塑膠廠) | 地址: 新北市五股區民義路一段86號 | 電話: 02-2291-3068 |
昱丞通信行 | 地址: 台中市潭子區中山路二段440號 | 電話: 04-2535-3333 |
全虹電信(昱丞店) | 地址: 台中市潭子區雅潭路一段2號之1 | 電話: 04-2533-6688 |
| 公司地址 | 負責人 | 統一編號 | 狀態 |
|---|---|---|---|
| 昱丞工作室 桃園市龜山區精忠里光峯路千禧新城39號7樓 | 陳昱丞 | 92668070 | 核准設立 - 獨資 (核准文號: 1129009717) |
| 昱丞企業社 高雄市鳳山區文殿街26號2樓 | 楊詠丞 | 82737056 | 歇業 - 合夥 (核准文號: 11162244600) |
| 昱丞實業有限公司 屏東縣車城鄉福興村中山路24巷23號1樓 | 陳旺廷 | 12828666 | 核准設立 |
| 昱丞通信行 臺中市潭子區潭秀里中山路二段436號1樓 | 陳建章 | 17189626 | 核准設立 - 合夥 (核准文號: 1110866540) |
| 昱丞有限公司 桃園市八德區大和里金和路69號1樓 | 張園芬 | 25019771 | 解散 (核准解散日期: 2020-09-29) |
| 昱丞企業社 新北市新莊區化成路389巷10號 | 蔡世賢 | 26760808 | 核准設立 - 獨資 |
| 昱丞企業有限公司 新北市五股區中興路1段46巷16號 | 林陳麗玉 | 36125095 | 核准設立 |
| 昱丞工程行 臺中市北屯區松勇里松明街96號1樓 | 蘇淑娟 | 45396421 | 核准設立 - 獨資 |
| 昱丞工作室 登記地址: 桃園市龜山區精忠里光峯路千禧新城39號7樓 | 負責人: 陳昱丞 | 統編: 92668070 | 核准設立 - 獨資 (核准文號: 1129009717) |
| 昱丞企業社 登記地址: 高雄市鳳山區文殿街26號2樓 | 負責人: 楊詠丞 | 統編: 82737056 | 歇業 - 合夥 (核准文號: 11162244600) |
| 昱丞實業有限公司 登記地址: 屏東縣車城鄉福興村中山路24巷23號1樓 | 負責人: 陳旺廷 | 統編: 12828666 | 核准設立 |
| 昱丞通信行 登記地址: 臺中市潭子區潭秀里中山路二段436號1樓 | 負責人: 陳建章 | 統編: 17189626 | 核准設立 - 合夥 (核准文號: 1110866540) |
| 昱丞有限公司 登記地址: 桃園市八德區大和里金和路69號1樓 | 負責人: 張園芬 | 統編: 25019771 | 解散 (核准解散日期: 2020-09-29) |
| 昱丞企業社 登記地址: 新北市新莊區化成路389巷10號 | 負責人: 蔡世賢 | 統編: 26760808 | 核准設立 - 獨資 |
| 昱丞企業有限公司 登記地址: 新北市五股區中興路1段46巷16號 | 負責人: 林陳麗玉 | 統編: 36125095 | 核准設立 |
| 昱丞工程行 登記地址: 臺中市北屯區松勇里松明街96號1樓 | 負責人: 蘇淑娟 | 統編: 45396421 | 核准設立 - 獨資 |
| 公司地址 | 負責人 | 統一編號 | 狀態 |
|---|---|---|---|
| 潘恩企業有限公司 桃園市八德區金和路69號3樓 | 顏韶儀 | 24271397 | 核准設立 |
| 龍馬興企業有限公司 桃園市八德區金和路69號12樓 | 13022392 | 解散 (核准解散日期: 2013-09-14) | |
| 大銀有限公司 桃園市八德區金和路69號12樓 | 53641671 | 解散 (核准解散日期: 2013-09-09) |
| 潘恩企業有限公司 登記地址: 桃園市八德區金和路69號3樓 | 負責人: 顏韶儀 | 統編: 24271397 | 核准設立 |
| 龍馬興企業有限公司 登記地址: 桃園市八德區金和路69號12樓 | 統編: 13022392 | 解散 (核准解散日期: 2013-09-14) |
| 大銀有限公司 登記地址: 桃園市八德區金和路69號12樓 | 統編: 53641671 | 解散 (核准解散日期: 2013-09-09) |
興隆豆腐店 | 公司統一編號: 00702847 | 登錄項目: 工廠/製造場所 | 基隆市暖暖區興隆街4號 | 食品業者登錄字號: C-200203281-00001-8 |
巧味火雞肉飯 | 公司統一編號: | 登錄項目: 餐飲場所 | 屏東縣屏東市廣東路642號 | 食品業者登錄字號: T-200069154-00002-5 |
長欣商店 | 公司統一編號: 00703156 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區東新街8號 | 食品業者登錄字號: C-100703156-00000-2 |
長欣商店 | 公司統一編號: 00703156 | 登錄項目: 販售場所 | 基隆市七堵區東新街8號 | 食品業者登錄字號: C-100703156-00001-3 |
渴望飲品行 | 公司統一編號: 00703310 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區南興路六五號一樓 | 食品業者登錄字號: C-100703310-00000-4 |
渴望飲品行 | 公司統一編號: 00703310 | 登錄項目: 餐飲場所 | 基隆市七堵區南興路65號1樓 | 食品業者登錄字號: C-100703310-00001-5 |
昶錡創意麵點美食坊 | 公司統一編號: 00703873 | 登錄項目: 販售場所 | 基隆市七堵區明德一路176號 | 食品業者登錄字號: C-200162488-00001-1 |
昶錡創意麵點美食坊 | 公司統一編號: 00703873 | 登錄項目: 餐飲場所 | 基隆市七堵區永平里明德一路一七六號 | 食品業者登錄字號: C-200162488-00002-2 |
昶錡創意麵點美食坊 | 公司統一編號: 00703873 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區永平里明德一路一七六號 | 食品業者登錄字號: C-200162488-00000-0 |
森一極蜜汁燒烤中和店 | 公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 新北市中和區興南路二段19號 | 食品業者登錄字號: F-200213408-00000-2 |
豐華料理店 | 公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 台北市萬華區峨嵋街122-1號 | 食品業者登錄字號: A-200137895-00000-2 |
玉井公有零售市場(附15) | 公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 台南市山上區南洲里41號之1 | 食品業者登錄字號: D-200084406-00000-4 |
順益號 | 公司統一編號: 00706359 | 登錄項目: 販售場所 | 基隆市七堵區華新一路74號 | 食品業者登錄字號: C-100706359-00001-1 |
順益號 | 公司統一編號: 00706359 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區華新一路74號 | 食品業者登錄字號: C-100706359-00000-0 |
集豐商行 | 公司統一編號: 00707287 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市暖暖區源遠路249巷135號 | 食品業者登錄字號: C-100707287-00000-1 |
興隆豆腐店公司統一編號: 00702847 | 登錄項目: 工廠/製造場所 | 基隆市暖暖區興隆街4號 | 食品業者登錄字號: C-200203281-00001-8 |
巧味火雞肉飯公司統一編號: | 登錄項目: 餐飲場所 | 屏東縣屏東市廣東路642號 | 食品業者登錄字號: T-200069154-00002-5 |
長欣商店公司統一編號: 00703156 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區東新街8號 | 食品業者登錄字號: C-100703156-00000-2 |
長欣商店公司統一編號: 00703156 | 登錄項目: 販售場所 | 基隆市七堵區東新街8號 | 食品業者登錄字號: C-100703156-00001-3 |
渴望飲品行公司統一編號: 00703310 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區南興路六五號一樓 | 食品業者登錄字號: C-100703310-00000-4 |
渴望飲品行公司統一編號: 00703310 | 登錄項目: 餐飲場所 | 基隆市七堵區南興路65號1樓 | 食品業者登錄字號: C-100703310-00001-5 |
昶錡創意麵點美食坊公司統一編號: 00703873 | 登錄項目: 販售場所 | 基隆市七堵區明德一路176號 | 食品業者登錄字號: C-200162488-00001-1 |
昶錡創意麵點美食坊公司統一編號: 00703873 | 登錄項目: 餐飲場所 | 基隆市七堵區永平里明德一路一七六號 | 食品業者登錄字號: C-200162488-00002-2 |
昶錡創意麵點美食坊公司統一編號: 00703873 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區永平里明德一路一七六號 | 食品業者登錄字號: C-200162488-00000-0 |
森一極蜜汁燒烤中和店公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 新北市中和區興南路二段19號 | 食品業者登錄字號: F-200213408-00000-2 |
豐華料理店公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 台北市萬華區峨嵋街122-1號 | 食品業者登錄字號: A-200137895-00000-2 |
玉井公有零售市場(附15)公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 台南市山上區南洲里41號之1 | 食品業者登錄字號: D-200084406-00000-4 |
順益號公司統一編號: 00706359 | 登錄項目: 販售場所 | 基隆市七堵區華新一路74號 | 食品業者登錄字號: C-100706359-00001-1 |
順益號公司統一編號: 00706359 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市七堵區華新一路74號 | 食品業者登錄字號: C-100706359-00000-0 |
集豐商行公司統一編號: 00707287 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 基隆市暖暖區源遠路249巷135號 | 食品業者登錄字號: C-100707287-00000-1 |