熱電薄膜元件技術 @ 政府開放資料
熱電薄膜元件技術 - 搜尋結果總共有 86 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
熱電薄膜元件技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本年度完成熱電元件薄膜特性Seebeck> 150 μV/K, Resistivity≦5 mΩcm、PF > 7.1 W/K2cm已具國際水準。此外；建立熱電薄膜元件理論模擬分析技術，首先透過理論... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10 W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜元件製程技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: (1)微型熱電薄膜元件之模擬設計技術；透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，預估熱電單位的最佳幾何因子與厚度。(2)薄膜材料製程技術開發；薄膜厚度＞5 μm、seekback係數(絕對值)≧... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Bi2Te3熱電材料改質與薄膜元件技術 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 塊狀單方向晶熱電材料ZT值 0.9~1.0；熱電薄膜膜厚 300~500nm；熱電薄膜ZT值 ~0.9 | 潛力預估: 開發微型熱電制冷模組或On-chip熱電薄膜致冷元件，預期可有效解決高頻高速化之電子元件熱點(Hot spot)問題，並可進一步做精確溫度控制(±0.01℃)，將對未來微型高速積體電路元件/晶片熱管... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO 透明導電薄膜材料技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可應用於PET材料表面鍍製透明電極材料之低溫製程及設備技術，利用高密度電弧電漿離子成膜技術得到高結晶性與低電阻率之AZO薄膜。鍍製AZO薄膜特性；目前基材鍍膜製程溫度≦100℃，片電阻值可調控10... | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，將使得透明導電膜產業有新的製程與材料可以選擇。並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO/PET 軟板技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成在100℃製程溫度下，應用Al/Zn金屬靶材製作出AZO薄膜片電阻≧600Ω/□ 光穿透率≧85%；鍍膜面積≧5”×5”之AZO薄膜於PET軟性積材上。 | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟性電子工業發展PET軟性基材結合透明導電薄膜製... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜式熱電轉換元件及其製作方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山 , | 證書號碼: I473310 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜式熱電轉換元件、裝置及其堆疊組件 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山, | 證書號碼: I360901 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜式熱電轉換元件、裝置及其堆疊組件 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山 , | 證書號碼: 7,777,126 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
石墨材表面功能性鍍層技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 石墨材表面沉積功能性薄膜製程技術，製程溫度≦150℃，膜層厚度>300nm，膜層與石墨材結合強度通過3M-No.600 tape test，膜層片電阻≦1.0 Ω/□ 。 | 潛力預估: 本技術建立我國自主高性能散熱材料研發與製造能力，使我國具有完整的相關散熱材料與技術。主要應用領域是智慧行動裝置散熱材料、OLED面板均溫材料及LED燈散熱材料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜式熱電轉換組件、裝置及其堆疊組件 | 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 專利發明人: 朱旭山 | 證書號碼: ZL200710308131.6 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜式熱電轉換元件及其製作方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山, | 證書號碼: 8,269,098 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
可撓式熱電薄膜技術 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 102 | 產出單位: 紡織所 | 計畫名稱: 產業用紡織品研究與開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: ．熱電薄膜之熱電轉換效率≧2.1% ．元件輸出電壓≧1 mV ．熱電薄膜之熱電輸出功率≧0.3mW/m2 | 潛力預估: 中 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
鋰電池隔離膜製程技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 大型儲電元件與系統技術開發 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 厚度＜25um，Gurley＜25(s/10cc)，Pore size＜1μm， 穿刺強度(Puncture strength)＞250g/mil， 機械強度(Tensile strength)＞14... | 潛力預估: 在聚烯類的石化產品中，鋰電池隔離膜擁有高毛利與高技術門檻之特色，加上穩定成長的鋰電池需求，符合高值化的發展方向。隔離膜的發展需要上游原料廠開發高品質的專用原料，隔離膜廠開發製造技術，成品提供給電池芯廠... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
足型光療裝置 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: class II以上醫材快速試製服務計畫 | 領域: | 技術規格: 波長：620~640 nm, 亮度：300~1500 nits 工作電壓：3.5- 6 V 電流密度：0.017 A/ cm2 電功率消耗：0.1 W/ cm2 光源厚度：1.0 mm 溫度控制：＜ ... | 潛力預估: 光療設備的全求市場規模預估到2015年預計將達到23.2億美元的規模。現有的光療設備的光源主要有雷射、螢光燈管及LED，其中又以雷射為大宗，但是雷射光療設備一般的能量與功率較高，在臨床使用時需非常小心... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
連續式隔離膜生產技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 隔離膜厚度15~25μm，Gurley(氣體阻抗)＜25，孔隙度40%，熱閉孔溫度130~135oC。 | 潛力預估: 隔離膜之毛利率平均在60-80%之間，可說是鋰電池材料生產技術中利潤最高的一項，具有高毛利與高附加價值的特色，預期未來隔離膜成本占整體電池比重逐漸增加，掌握此一關鍵技術對電池業者來說更加重要。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
撓曲性、低介電損失組成物及其製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 劉淑芬 ,陳孟暉 ,余曼君 | 證書號碼: I447155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
高順向高分子膜技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: ‧高順向高分子膜材料特性：熱膨脹係數≦25ppm、楊氏係數≧4.5GPa、破壞電壓≧7KV | 潛力預估: ‧使國內廠商具有高固含量高順向高分子樹脂製備能力 ‧使國內廠商具有R2R製備高順向厚膜能力 ‧協助國內熱管理產業建構高性能導熱材料之競爭力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度構裝用薄膜封裝材料 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: NCF配方塗佈完薄膜厚度17.2um，可清楚對位，可80~90°C轉印離形。NCF配方經TMA分析Tg為128°C，CTE1為49.3 ppm/°C 。 | 潛力預估: 建立新材料配方技術、並通過構裝驗證，可提供國內半導體構裝產業選用國內自製的高階電子封裝材料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜結構 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 呂明生 ,陳泰盛 ,施智超 | 證書號碼: I478405 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
熱電薄膜結構 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 呂明生 ,陳泰盛 ,施智超 | 證書號碼: 9,166,137 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
熱電薄膜元件技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 本年度完成熱電元件薄膜特性Seebeck> 150 μV/K, Resistivity≦5 mΩcm、PF > 7.1 W/K2cm已具國際水準。此外；建立熱電薄膜元件理論模擬分析技術，首先透過理論... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10 W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜元件製程技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: (1)微型熱電薄膜元件之模擬設計技術；透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，預估熱電單位的最佳幾何因子與厚度。(2)薄膜材料製程技術開發；薄膜厚度＞5 μm、seekback係數(絕對值)≧... | 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Bi2Te3熱電材料改質與薄膜元件技術執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 塊狀單方向晶熱電材料ZT值 0.9~1.0；熱電薄膜膜厚 300~500nm；熱電薄膜ZT值 ~0.9 | 潛力預估: 開發微型熱電制冷模組或On-chip熱電薄膜致冷元件，預期可有效解決高頻高速化之電子元件熱點(Hot spot)問題，並可進一步做精確溫度控制(±0.01℃)，將對未來微型高速積體電路元件/晶片熱管... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO 透明導電薄膜材料技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可應用於PET材料表面鍍製透明電極材料之低溫製程及設備技術，利用高密度電弧電漿離子成膜技術得到高結晶性與低電阻率之AZO薄膜。鍍製AZO薄膜特性；目前基材鍍膜製程溫度≦100℃，片電阻值可調控10... | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，將使得透明導電膜產業有新的製程與材料可以選擇。並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AZO/PET 軟板技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成在100℃製程溫度下，應用Al/Zn金屬靶材製作出AZO薄膜片電阻≧600Ω/□ 光穿透率≧85%；鍍膜面積≧5”×5”之AZO薄膜於PET軟性積材上。 | 潛力預估: 本計畫研發內容包括AZO鍍膜之製程及成膜之配方組成，透過材料與製程最佳化設計應用電弧離子鍍膜技術，並且提供廠商建立自主性鍍膜製程及設備技術；可以配合未來軟性電子工業發展PET軟性基材結合透明導電薄膜製... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜式熱電轉換元件及其製作方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山 , | 證書號碼: I473310 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜式熱電轉換元件、裝置及其堆疊組件核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山, | 證書號碼: I360901 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜式熱電轉換元件、裝置及其堆疊組件核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山 , | 證書號碼: 7,777,126 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
石墨材表面功能性鍍層技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 石墨材表面沉積功能性薄膜製程技術，製程溫度≦150℃，膜層厚度>300nm，膜層與石墨材結合強度通過3M-No.600 tape test，膜層片電阻≦1.0 Ω/□ 。 | 潛力預估: 本技術建立我國自主高性能散熱材料研發與製造能力，使我國具有完整的相關散熱材料與技術。主要應用領域是智慧行動裝置散熱材料、OLED面板均溫材料及LED燈散熱材料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜式熱電轉換組件、裝置及其堆疊組件核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 專利發明人: 朱旭山 | 證書號碼: ZL200710308131.6 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜式熱電轉換元件及其製作方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 | 專利發明人: 朱旭山, | 證書號碼: 8,269,098 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
可撓式熱電薄膜技術執行單位: 紡織所 | 產出年度: 102 | 產出單位: 紡織所 | 計畫名稱: 產業用紡織品研究與開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: ．熱電薄膜之熱電轉換效率≧2.1% ．元件輸出電壓≧1 mV ．熱電薄膜之熱電輸出功率≧0.3mW/m2 | 潛力預估: 中 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
鋰電池隔離膜製程技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 大型儲電元件與系統技術開發 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 厚度＜25um，Gurley＜25(s/10cc)，Pore size＜1μm， 穿刺強度(Puncture strength)＞250g/mil， 機械強度(Tensile strength)＞14... | 潛力預估: 在聚烯類的石化產品中，鋰電池隔離膜擁有高毛利與高技術門檻之特色，加上穩定成長的鋰電池需求，符合高值化的發展方向。隔離膜的發展需要上游原料廠開發高品質的專用原料，隔離膜廠開發製造技術，成品提供給電池芯廠... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
足型光療裝置執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: class II以上醫材快速試製服務計畫 | 領域: | 技術規格: 波長：620~640 nm, 亮度：300~1500 nits 工作電壓：3.5- 6 V 電流密度：0.017 A/ cm2 電功率消耗：0.1 W/ cm2 光源厚度：1.0 mm 溫度控制：＜ ... | 潛力預估: 光療設備的全求市場規模預估到2015年預計將達到23.2億美元的規模。現有的光療設備的光源主要有雷射、螢光燈管及LED，其中又以雷射為大宗，但是雷射光療設備一般的能量與功率較高，在臨床使用時需非常小心... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
連續式隔離膜生產技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 隔離膜厚度15~25μm，Gurley(氣體阻抗)＜25，孔隙度40%，熱閉孔溫度130~135oC。 | 潛力預估: 隔離膜之毛利率平均在60-80%之間，可說是鋰電池材料生產技術中利潤最高的一項，具有高毛利與高附加價值的特色，預期未來隔離膜成本占整體電池比重逐漸增加，掌握此一關鍵技術對電池業者來說更加重要。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
撓曲性、低介電損失組成物及其製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 劉淑芬 ,陳孟暉 ,余曼君 | 證書號碼: I447155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
高順向高分子膜技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: ‧高順向高分子膜材料特性：熱膨脹係數≦25ppm、楊氏係數≧4.5GPa、破壞電壓≧7KV | 潛力預估: ‧使國內廠商具有高固含量高順向高分子樹脂製備能力 ‧使國內廠商具有R2R製備高順向厚膜能力 ‧協助國內熱管理產業建構高性能導熱材料之競爭力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高密度構裝用薄膜封裝材料執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: NCF配方塗佈完薄膜厚度17.2um，可清楚對位，可80~90°C轉印離形。NCF配方經TMA分析Tg為128°C，CTE1為49.3 ppm/°C 。 | 潛力預估: 建立新材料配方技術、並通過構裝驗證，可提供國內半導體構裝產業選用國內自製的高階電子封裝材料 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
熱電薄膜結構核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 呂明生 ,陳泰盛 ,施智超 | 證書號碼: I478405 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
熱電薄膜結構核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 呂明生 ,陳泰盛 ,施智超 | 證書號碼: 9,166,137 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |