卷對卷模組技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文卷對卷模組技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是102, 計畫名稱是軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫, 技術規格是開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合力量0~20kg (使用3~5kg)、定長進給0.2~30m/次。, 潛力預估是可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備.
無其他 卷對卷模組技術 資料。
[ 搜尋所有 卷對卷模組技術 ... ]
根據電話 06-6939053 找到的相關資料
(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 06-6939053 ...)| 序號 | 1559 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 動壓HD-DVD主軸馬達技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 前瞻光資訊系統技術發展計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 光電所研發之動壓HD-DVD主軸馬達應用國內首見之流體動壓軸承技術，使得主軸馬達在運轉時精度大幅提高，此技術藉由流體動壓之特性使馬達所產生的噪音降至最低，同時在振動的抑制效能上亦有優異的表現。此HD-DVD主軸馬達符合高密度光碟片在資料讀寫時之低動態偏擺旋轉精度，並具備低振動與低噪音之特性。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 馬達型式：三相直流無刷；直徑≦30mm；高度≦22mm；額定電壓：12VDC；額定電流≦0.16Amp_x000D_；最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_；Turntable Runout≦5 μm。 |
| 技術成熟度 | 其他 |
| 可應用範圍 | HD-DVD主軸馬達；光碟機主軸馬達；HDD主軸馬達；MPU＆CPU風扇馬達；中、高速polygon馬達_x000D_。 |
| 潛力預估 | 散熱風扇模組廠,光碟機模組廠,軸承廠等些關業者。 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939059 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | 無 |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 無 |
| 序號: 1559 |
| 產出年度: 95 |
| 技術名稱-中文: 動壓HD-DVD主軸馬達技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 光電所研發之動壓HD-DVD主軸馬達應用國內首見之流體動壓軸承技術，使得主軸馬達在運轉時精度大幅提高，此技術藉由流體動壓之特性使馬達所產生的噪音降至最低，同時在振動的抑制效能上亦有優異的表現。此HD-DVD主軸馬達符合高密度光碟片在資料讀寫時之低動態偏擺旋轉精度，並具備低振動與低噪音之特性。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 馬達型式：三相直流無刷；直徑≦30mm；高度≦22mm；額定電壓：12VDC；額定電流≦0.16Amp_x000D_；最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_；Turntable Runout≦5 μm。 |
| 技術成熟度: 其他 |
| 可應用範圍: HD-DVD主軸馬達；光碟機主軸馬達；HDD主軸馬達；MPU＆CPU風扇馬達；中、高速polygon馬達_x000D_。 |
| 潛力預估: 散熱風扇模組廠,光碟機模組廠,軸承廠等些關業者。 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939059 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: 無 |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 無 |
| 序號 | 1560 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 噴墨法立體微透鏡製程技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用噴墨列印技術(Inkjet technology)發展之新製程，達成製程簡化、環保低污染之目的。本技術具有單製程(one-pass)及即需即印(Drop-on-demand,DOD)之新境界。適用於噴墨式立體影像製程中之特殊基材（3D media），可作為在立體影像噴射製程技術（3D inkjet optics）之基本且關鍵性技術依據。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Base Diameter: 100~1500 m_x000D_；Radius(R): 60~1200 m；Focal Length(f): 110~1600 m；Lens thickness(t): 50~300 m_x000D_； Pitch: 300 m。 |
| 技術成熟度 | 其他 |
| 可應用範圍 | 光纖用準直微透鏡_x000D_；立體相片；影像感測器鏡頭；光碟機讀取頭pickup lens。 |
| 潛力預估 | 背光模組廠,光纖通訊業及影像感測模組廠商。 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939059 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | 無 |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 無 |
| 序號: 1560 |
| 產出年度: 95 |
| 技術名稱-中文: 噴墨法立體微透鏡製程技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用噴墨列印技術(Inkjet technology)發展之新製程，達成製程簡化、環保低污染之目的。本技術具有單製程(one-pass)及即需即印(Drop-on-demand,DOD)之新境界。適用於噴墨式立體影像製程中之特殊基材（3D media），可作為在立體影像噴射製程技術（3D inkjet optics）之基本且關鍵性技術依據。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Base Diameter: 100~1500 m_x000D_；Radius(R): 60~1200 m；Focal Length(f): 110~1600 m；Lens thickness(t): 50~300 m_x000D_； Pitch: 300 m。 |
| 技術成熟度: 其他 |
| 可應用範圍: 光纖用準直微透鏡_x000D_；立體相片；影像感測器鏡頭；光碟機讀取頭pickup lens。 |
| 潛力預估: 背光模組廠,光纖通訊業及影像感測模組廠商。 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939059 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: 無 |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 無 |
| 序號 | 1565 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 高功率LED散熱模組技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 高功率Pump雷射耦合器的工作效果是將兩道正交極化光合併為一道光，反向使用則可將輸入的光，利用一個極化分光器分離成兩個正交極化的光。現今，具有正交偏振合光特性的工作元件，則能夠搭配雷射光源，扮演一個高雷射功率結合器的關鍵角色，達到較高的功率用以當作EDFA與Raman Amplifier的泵浦來源，通常雷射源必須搭配光隔絕器以隔絕光纖通訊系統中逆向的雜訊光，提高系統的品質。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Color full color (tunable)；Color Rendering >90%NTSC；Output Luminance >75lm；Dimension 25lm/w。 |
| 技術成熟度 | 概念 |
| 可應用範圍 | 無 |
| 潛力預估 | 3C電子,平面顯示器等相關產業。 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939059 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | 無 |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 無 |
| 序號: 1565 |
| 產出年度: 95 |
| 技術名稱-中文: 高功率LED散熱模組技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 高功率Pump雷射耦合器的工作效果是將兩道正交極化光合併為一道光，反向使用則可將輸入的光，利用一個極化分光器分離成兩個正交極化的光。現今，具有正交偏振合光特性的工作元件，則能夠搭配雷射光源，扮演一個高雷射功率結合器的關鍵角色，達到較高的功率用以當作EDFA與Raman Amplifier的泵浦來源，通常雷射源必須搭配光隔絕器以隔絕光纖通訊系統中逆向的雜訊光，提高系統的品質。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Color full color (tunable)；Color Rendering >90%NTSC；Output Luminance >75lm；Dimension 25lm/w。 |
| 技術成熟度: 概念 |
| 可應用範圍: 無 |
| 潛力預估: 3C電子,平面顯示器等相關產業。 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939059 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: 無 |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 無 |
| 序號 | 1579 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 手機相機自動對焦驅動模組技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 前瞻光資訊系統技術發展計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 1. 自動對焦驅動模組設計技術；2. 微型化構裝技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 尺寸（L×W×H）:12×12×5.1mm；解析度：0.01±0.005mm；行程：0.3mm以上；運轉電流≦100mA。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 手機相機自動對焦驅動模組、手機相機光學變焦驅動模組、網路相機/攝影機之自動光學變焦模組。 |
| 潛力預估 | 手機相機相關應用產業 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939059 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | 無 |
| 所須軟硬體設備 | 馬達生產相關設備 |
| 需具備之專業人才 | 馬達設計與製造產業相關背景 |
| 序號: 1579 |
| 產出年度: 95 |
| 技術名稱-中文: 手機相機自動對焦驅動模組技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 1. 自動對焦驅動模組設計技術；2. 微型化構裝技術。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 尺寸（L×W×H）:12×12×5.1mm；解析度：0.01±0.005mm；行程：0.3mm以上；運轉電流≦100mA。 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 手機相機自動對焦驅動模組、手機相機光學變焦驅動模組、網路相機/攝影機之自動光學變焦模組。 |
| 潛力預估: 手機相機相關應用產業 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939059 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: 無 |
| 所須軟硬體設備: 馬達生產相關設備 |
| 需具備之專業人才: 馬達設計與製造產業相關背景 |
| 序號 | 5622 |
| 產出年度 | 101 |
| 技術名稱-中文 | 高能雷射加工頭模組技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 南臺灣雷射光谷產業育成先導計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 高功率雷射光學設計，同步整合光、熱、電、機構等技術，讓雷射加工模組加以整合，達到緊湊結構之效果，並可協助國內達成高功率雷射加工模組與製程之可行性，可以針對產業需求客製化設計。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | (1)可應用於平均功率>1000W之光束雷射。 (2)多功能結構設計，提供雷射設備開發整合。 (3)本結構具有可相容之模組化設計，可以針對產業需求變更客製化設計。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 鈑金設備、運輸零組件加工設備、金屬加工設備 |
| 潛力預估 | 可應用於各式高功率雷射加工應用 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939056 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720 |
| 所須軟硬體設備 | 光纖雷射、光品質量測設備、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀) |
| 需具備之專業人才 | 光學、流體、材料與雷射應用背景 |
| 序號: 5622 |
| 產出年度: 101 |
| 技術名稱-中文: 高能雷射加工頭模組技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 南臺灣雷射光谷產業育成先導計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 高功率雷射光學設計，同步整合光、熱、電、機構等技術，讓雷射加工模組加以整合，達到緊湊結構之效果，並可協助國內達成高功率雷射加工模組與製程之可行性，可以針對產業需求客製化設計。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: (1)可應用於平均功率>1000W之光束雷射。 (2)多功能結構設計，提供雷射設備開發整合。 (3)本結構具有可相容之模組化設計，可以針對產業需求變更客製化設計。 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 鈑金設備、運輸零組件加工設備、金屬加工設備 |
| 潛力預估: 可應用於各式高功率雷射加工應用 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939056 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720 |
| 所須軟硬體設備: 光纖雷射、光品質量測設備、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀) |
| 需具備之專業人才: 光學、流體、材料與雷射應用背景 |
| 序號 | 5847 |
| 產出年度 | 101 |
| 技術名稱-中文 | 線型雷射光束模組技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 相對簡單之光學結構設計,使用較少的光學元件讓設備簡單化,省去繁瑣的調校步驟。 本結構具scaling up之可行性,可以針對產業需求客製化設計。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Gaussian to Line shape / Wavelength：355～1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80% |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | TCO Film相關應用(觸控面板、軟性顯示器等) |
| 潛力預估 | 取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939056 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/is/p11.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&NodeId=0714&ArticleNBR=4417 |
| 所須軟硬體設備 | 紫外光脈衝雷射、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀) |
| 需具備之專業人才 | 電控與雷射應用背景 |
| 序號: 5847 |
| 產出年度: 101 |
| 技術名稱-中文: 線型雷射光束模組技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 相對簡單之光學結構設計,使用較少的光學元件讓設備簡單化,省去繁瑣的調校步驟。 本結構具scaling up之可行性,可以針對產業需求客製化設計。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Gaussian to Line shape / Wavelength：355～1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80% |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: TCO Film相關應用(觸控面板、軟性顯示器等) |
| 潛力預估: 取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939056 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p11.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&NodeId=0714&ArticleNBR=4417 |
| 所須軟硬體設備: 紫外光脈衝雷射、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀) |
| 需具備之專業人才: 電控與雷射應用背景 |
| 序號 | 5848 |
| 產出年度 | 101 |
| 技術名稱-中文 | R2R傳輸模組技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 研發大面積、高產能、低成本及高精度之R2R傳輸模組以因應新世代軟性電子之需求 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合力量0~20kg (使用3~5kg)、定長進給0.2~30m/次 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 可擴及應用於軟性顯示器、低耗能軟性照明、太陽能光電產品、智慧型軟性元件等領域 |
| 潛力預估 | 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939056 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720 |
| 所須軟硬體設備 | 可搭配各製程需求開發R2R生產設備 |
| 需具備之專業人才 | 機械、電控與自動化 |
| 序號: 5848 |
| 產出年度: 101 |
| 技術名稱-中文: R2R傳輸模組技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 研發大面積、高產能、低成本及高精度之R2R傳輸模組以因應新世代軟性電子之需求 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合力量0~20kg (使用3~5kg)、定長進給0.2~30m/次 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 可擴及應用於軟性顯示器、低耗能軟性照明、太陽能光電產品、智慧型軟性元件等領域 |
| 潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939056 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720 |
| 所須軟硬體設備: 可搭配各製程需求開發R2R生產設備 |
| 需具備之專業人才: 機械、電控與自動化 |
| 序號 | 5849 |
| 產出年度 | 101 |
| 技術名稱-中文 | AMOLED薄膜封裝技術 |
| 執行單位 | 工研院南分院 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術以ICP電漿達成高密度反應粒子之需求，並經由電極與氣場設計，完成製程設備所需大面積及高均勻性，此封裝製程利用電漿模組及單一有機前驅物連續控制並調配薄膜的性質，達成低應力、高阻水氣率又兼具高穿透率之目標。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程，薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90% |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 可應用至軟性顯示器封裝、薄膜太陽能電池封裝、軟性電子封裝等產業 |
| 潛力預估 | 藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題，並布局創新結構及設備專利，透過關鍵專利技術移轉，協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖，解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。 |
| 聯絡人員 | 鄭志宏 |
| 電話 | 06-6939053 |
| 傳真 | 06-6939056 |
| 電子信箱 | chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/is/p11.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&NodeId=0714&ArticleNBR=4417 |
| 所須軟硬體設備 | (1)高密度電漿源 (2)PECVD設備 (3)前驅物與反應氣體供料系統 (4)PLC控制系統與人機介面 |
| 需具備之專業人才 | 機械,物理,光電背景專業 |
| 序號: 5849 |
| 產出年度: 101 |
| 技術名稱-中文: AMOLED薄膜封裝技術 |
| 執行單位: 工研院南分院 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 本技術以ICP電漿達成高密度反應粒子之需求，並經由電極與氣場設計，完成製程設備所需大面積及高均勻性，此封裝製程利用電漿模組及單一有機前驅物連續控制並調配薄膜的性質，達成低應力、高阻水氣率又兼具高穿透率之目標。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程，薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90% |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 可應用至軟性顯示器封裝、薄膜太陽能電池封裝、軟性電子封裝等產業 |
| 潛力預估: 藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題，並布局創新結構及設備專利，透過關鍵專利技術移轉，協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖，解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。 |
| 聯絡人員: 鄭志宏 |
| 電話: 06-6939053 |
| 傳真: 06-6939056 |
| 電子信箱: chengbicha@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p11.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&NodeId=0714&ArticleNBR=4417 |
| 所須軟硬體設備: (1)高密度電漿源 (2)PECVD設備 (3)前驅物與反應氣體供料系統 (4)PLC控制系統與人機介面 |
| 需具備之專業人才: 機械,物理,光電背景專業 |
[ 搜尋所有
06-6939053 ... ]
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 D | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um
量子效率 > 50%
NETD < 30mK
IDCA RDU
致冷器冷卻能力 > 0.5W
MTBF > 4000小時
訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能
輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 D | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um
量子效率 > 50%
NETD < 30mK
IDCA RDU
致冷器冷卻能力 > 0.5W
MTBF > 4000小時
訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能
輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
|