晶片/晶圓鍵合技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文晶片/晶圓鍵合技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是晶片/晶圓鍵合精度:±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術:250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術:500± 5℃/視覺對位技術,辨識精度: ± 2μm/晶片/晶圓鍵合力量控制技術: 最小0.5N;最大40kN/薄型晶片取放技..., 潛力預估是熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性,將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發,提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力,縮短客制化設備開發時程.

序號106
產出年度93
技術名稱-中文晶片/晶圓鍵合技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文先進IC構裝技術朝向輕薄短小的趨勢演進,應用於Ⅲ-Ⅴ族通訊光電產品或IC Card的主流構裝製程,所使用的晶片厚度已要求在50μm以下。因此國內外已有許多研發團隊進行晶圓薄化技術以及3D構裝技術的開發,而且多家公司已著手進入商品化開發階段,如德國IZM、日本Toshiba、Fujitsu等。然而晶片薄型化卻使相關製程設備面臨極大的挑戰,其中薄型晶片精密取放技術即為重要的核心技術之一,此項技術目前全球鮮有商品化之機型,現今我國若能及早研發完成此項技術,並配合各種晶片/晶圓取放、對位、鍵合等構裝設備之關鍵技術,即能破除新型設備仰賴國外進口之窘境,提昇國內於先進構裝製程設備的自製率。覆晶技術具有導電性佳、散熱快及封裝尺寸縮小等優點,而廣泛應用於高功率產品的封裝製程。現行成熟的覆晶鍵合技術有:Solder、Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP等,其中熱超音波覆晶黏晶技術是運用超音波能量進行晶片與基板之間接點的熔接,具有快速、低溫熔接、輕黏晶置放力以及不需助焊劑等製程優勢,至今已成功應用於各式光電與通訊產品。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格晶片/晶圓鍵合精度:±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術:250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術:500± 5℃/視覺對位技術,辨識精度: ± 2μm/晶片/晶圓鍵合力量控制技術: 最小0.5N;最大40kN/薄型晶片取放技術: 晶片尺寸40x40x2 mil (長x寬x厚度)/覆晶鍵合技術: Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP
技術成熟度試量產
可應用範圍光電產業之高亮度LED、通訊產業之SAW、TCXO、FPD產業之顯示器Diver IC、半導體產業之Memory,CMOS Image Sensor,CSP,CPU,SiP等產品
潛力預估熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性,將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發,提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力,縮短客制化設備開發時程
聯絡人員黃國興
電話06-5089239
傳真06-5089056
電子信箱Story@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/itri_show.jsp?idx=1871
所須軟硬體設備光電與半導體構裝、測試設備製造經驗、機密機械設備研發經驗
需具備之專業人才光電與半導體構裝製程、光電與半導體測試製程、精密機械設計

序號

106

產出年度

93

技術名稱-中文

晶片/晶圓鍵合技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

先進IC構裝技術朝向輕薄短小的趨勢演進,應用於Ⅲ-Ⅴ族通訊光電產品或IC Card的主流構裝製程,所使用的晶片厚度已要求在50μm以下。因此國內外已有許多研發團隊進行晶圓薄化技術以及3D構裝技術的開發,而且多家公司已著手進入商品化開發階段,如德國IZM、日本Toshiba、Fujitsu等。然而晶片薄型化卻使相關製程設備面臨極大的挑戰,其中薄型晶片精密取放技術即為重要的核心技術之一,此項技術目前全球鮮有商品化之機型,現今我國若能及早研發完成此項技術,並配合各種晶片/晶圓取放、對位、鍵合等構裝設備之關鍵技術,即能破除新型設備仰賴國外進口之窘境,提昇國內於先進構裝製程設備的自製率。覆晶技術具有導電性佳、散熱快及封裝尺寸縮小等優點,而廣泛應用於高功率產品的封裝製程。現行成熟的覆晶鍵合技術有:Solder、Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP等,其中熱超音波覆晶黏晶技術是運用超音波能量進行晶片與基板之間接點的熔接,具有快速、低溫熔接、輕黏晶置放力以及不需助焊劑等製程優勢,至今已成功應用於各式光電與通訊產品。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

晶片/晶圓鍵合精度:±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術:250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術:500± 5℃/視覺對位技術,辨識精度: ± 2μm/晶片/晶圓鍵合力量控制技術: 最小0.5N;最大40kN/薄型晶片取放技術: 晶片尺寸40x40x2 mil (長x寬x厚度)/覆晶鍵合技術: Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP

技術成熟度

試量產

可應用範圍

光電產業之高亮度LED、通訊產業之SAW、TCXO、FPD產業之顯示器Diver IC、半導體產業之Memory,CMOS Image Sensor,CSP,CPU,SiP等產品

潛力預估

熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性,將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發,提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力,縮短客制化設備開發時程

聯絡人員

黃國興

電話

06-5089239

傳真

06-5089056

電子信箱

Story@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/itri_show.jsp?idx=1871

所須軟硬體設備

光電與半導體構裝、測試設備製造經驗、機密機械設備研發經驗

需具備之專業人才

光電與半導體構裝製程、光電與半導體測試製程、精密機械設計

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晶片/晶圓鍵合技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度:±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )_x000D_;大面積加熱板溫度控制技術:250± 1℃;瞬間加熱板溫度控制技術:500± 5... | 潛力預估: 光電業及半導體業

@ 技術司可移轉技術資料集

劉正毓

聘書 職級: 教授 | 專兼任: 專任 | 單位名稱: 化學工程與材料工程學系 | 學校名稱: 國立中央大學 | 教師專長: 發光二極體,晶圓鍵合技術,無線寬頻晶片覆晶封裝技術,電致遷移熱遷移研究

@ 大學校院教師學術專長彙整表

晶片/晶圓鍵合技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度:±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )_x000D_;大面積加熱板溫度控制技術:250± 1℃;瞬間加熱板溫度控制技術:500± 5... | 潛力預估: 光電業及半導體業

@ 技術司可移轉技術資料集

劉正毓

聘書 職級: 教授 | 專兼任: 專任 | 單位名稱: 化學工程與材料工程學系 | 學校名稱: 國立中央大學 | 教師專長: 發光二極體,晶圓鍵合技術,無線寬頻晶片覆晶封裝技術,電致遷移熱遷移研究

@ 大學校院教師學術專長彙整表

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半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

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