技術名稱-中文功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權的執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院材料與化工領域環境建構計畫, 技術規格是粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水/油(接觸角>140°)、耐磨(>4H)、可見光穿透度高(>70%)之功能性奈米鍍膜技術, 潛力預估是根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加.
| 序號 | 266 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權 |
| 執行單位 | 工研院材料所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院材料與化工領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 可連續式量產（>3公斤/小時）不團聚、低成本之功能性(透明導電、殺菌、除臭、抗紫外光、近紅外光吸收、顏料、(光)觸媒、觸媒載體、透明抗刮耐磨、感測、阻燃、疏水自清潔)奈米氧化物粉體 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水/油(接觸角>140°)、耐磨(>4H)、可見光穿透度高(>70%)之功能性奈米鍍膜技術 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 可應用在電子、環保、化工、建築、生醫、製藥等領域 |
| 潛力預估 | 根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加 |
| 聯絡人員 | 廖世傑 |
| 電話 | 03-5915336 |
| 傳真 | 03-5820039 |
| 電子信箱 | SCLiao@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加 |
| 需具備之專業人才 | 材料、化工、機械 |
序號266 |
產出年度93 |
技術名稱-中文功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權 |
執行單位工研院材料所 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院材料與化工領域環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文可連續式量產（>3公斤/小時）不團聚、低成本之功能性(透明導電、殺菌、除臭、抗紫外光、近紅外光吸收、顏料、(光)觸媒、觸媒載體、透明抗刮耐磨、感測、阻燃、疏水自清潔)奈米氧化物粉體 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水/油(接觸角>140°)、耐磨(>4H)、可見光穿透度高(>70%)之功能性奈米鍍膜技術 |
技術成熟度試量產 |
可應用範圍可應用在電子、環保、化工、建築、生醫、製藥等領域 |
潛力預估根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加 |
聯絡人員廖世傑 |
電話03-5915336 |
傳真03-5820039 |
電子信箱SCLiao@itri.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加 |
需具備之專業人才材料、化工、機械 |
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| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 負極Li4Ti5O12材料：克電容量＞160mAh/g、不可逆電容量＜25mAh/g、Q20C/Q0.2C＞80%、循環壽命＞3000cycles。 | 潛力預估: 材料產值＞60億台幣、快充電池＞500億。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料克電容量達130 mAh/g。2材料工作電壓> 4.7 V。3.材料之高溫循環壽命>400 cycles (@55℃)。 | 潛力預估: 此高電壓LiNi0.5Mn1.5O4正極材料將可應用在電動手工具、EV、HEV、E-Bike、E-Scooter、風力及太陽能發電之大型儲電系統，估計需求量可達數萬噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.電容量>180mAh/g。2.大電流充放電能力：Q12C/Q0.2C＞80%。3.低不可逆 | 潛力預估: 快速充放電鋰?子電池特別適合應用於電動?、混成動??、電動工具、電動自??、電動機?、風力及太陽能發電之大型儲電系統，估計需求量可達數萬噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成開發鋰鎳錳高電壓正極材料，克電容量@0.2C＞130mAh/g、大電流放電能力Q20C/Q0.2C＞60%、Q10C/Q0.2C＞90%、室溫循環壽命約600次、高溫循環壽命約250次、振實密度＞... | 潛力預估: 預估年產量可超過50,00噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 合成高容量奈米複合結構的Li1+xNiCoMnO2，其D50＜20?m，振實密度＞1.85gcm-3。其第一次放電容量可??200mAh/g。 | 潛力預估: 預估年產量可超過10,00噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成開發鋰鈦氧快速充電負極材料，克電容量@0.2C＞170mAh/g、快速充電能力Q20C/Q0.2C＞80%、不可逆電容量＜12mAh/g、循環測試1400次CR值＞75%、振實密度＞1g/cc。 | 潛力預估: 預估年產量可超過10,000噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 大型儲電元件與系統技術開發 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 高能量xLi2MnO3? (1-x)LiMO2 (M=過渡金屬)正極材料：電容量＞230mAh/g，振實密度＞1.5g/cc，不可逆電容量＜25%。 | 潛力預估: 高容量正極材料由Li2MnO3和LiMO2組成，為目前國際上最熱門的研發主題，未來非常有機會應用於高值化商品的材料，因此高能量正極材料關鍵材料及系統技術之建立，可協助克服目前產業發展之瓶頸，提昇技術水... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後，細菌數目減少至原來之0.1%以下；(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計，2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時，日本的光觸媒產值將達100億日圓，約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念，在日本已經十分普... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 負極Li4Ti5O12材料：克電容量＞160mAh/g、不可逆電容量＜25mAh/g、Q20C/Q0.2C＞80%、循環壽命＞3000cycles。 | 潛力預估: 材料產值＞60億台幣、快充電池＞500億。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料克電容量達130 mAh/g。2材料工作電壓> 4.7 V。3.材料之高溫循環壽命>400 cycles (@55℃)。 | 潛力預估: 此高電壓LiNi0.5Mn1.5O4正極材料將可應用在電動手工具、EV、HEV、E-Bike、E-Scooter、風力及太陽能發電之大型儲電系統，估計需求量可達數萬噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.電容量>180mAh/g。2.大電流充放電能力：Q12C/Q0.2C＞80%。3.低不可逆 | 潛力預估: 快速充放電鋰?子電池特別適合應用於電動?、混成動??、電動工具、電動自??、電動機?、風力及太陽能發電之大型儲電系統，估計需求量可達數萬噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成開發鋰鎳錳高電壓正極材料，克電容量@0.2C＞130mAh/g、大電流放電能力Q20C/Q0.2C＞60%、Q10C/Q0.2C＞90%、室溫循環壽命約600次、高溫循環壽命約250次、振實密度＞... | 潛力預估: 預估年產量可超過50,00噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 合成高容量奈米複合結構的Li1+xNiCoMnO2，其D50＜20?m，振實密度＞1.85gcm-3。其第一次放電容量可??200mAh/g。 | 潛力預估: 預估年產量可超過10,00噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代儲電元件與系統技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 完成開發鋰鈦氧快速充電負極材料，克電容量@0.2C＞170mAh/g、快速充電能力Q20C/Q0.2C＞80%、不可逆電容量＜12mAh/g、循環測試1400次CR值＞75%、振實密度＞1g/cc。 | 潛力預估: 預估年產量可超過10,000噸。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 大型儲電元件與系統技術開發 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 高能量xLi2MnO3? (1-x)LiMO2 (M=過渡金屬)正極材料：電容量＞230mAh/g，振實密度＞1.5g/cc，不可逆電容量＜25%。 | 潛力預估: 高容量正極材料由Li2MnO3和LiMO2組成，為目前國際上最熱門的研發主題，未來非常有機會應用於高值化商品的材料，因此高能量正極材料關鍵材料及系統技術之建立，可協助克服目前產業發展之瓶頸，提昇技術水... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
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