技術名稱-中文CMOS影像IC設計及影像處理像技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫, 技術規格是可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μm之設計技術與雛品，使用製程法則:TSMC 0.5um 與025um；UMC 0.35um。也有開..., 潛力預估是依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。.
| 序號 | 438 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | CMOS影像IC設計及影像處理像技術 |
| 執行單位 | 中科院材料所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | CMOS影像感測元件因使用目前主流之CMOS半導體製程技術製作，故比傳統之CCD影像感測元件具有價格低、耗電少、體積小、系統整合性高、速度快、關鍵組件自主等優點，目前在低階（百萬像素以下）已取代CCD影像器市場，並朝向影像器系統單晶片方向發展，降低成本並擴大應用面。同時也朝向高解析度3-5百萬像素元件發展，進一步壓縮CCD市場空間。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μm之設計技術與雛品，使用製程法則:TSMC 0.5um 與025um；UMC 0.35um。也有開發800dpi光學滑鼠之影像感測元件。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 數位相機、數位攝影機、影像式手機與PDA、監控系統、機械視覺（自動化）、光學滑鼠、玩具、科學研究與遙測等等。 |
| 潛力預估 | 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
| 聯絡人員 | 翁炳國 |
| 電話 | 03-4712201轉357093 |
| 傳真 | 03-4711024 |
| 電子信箱 | (空) |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | Mixed mode IC設計環境與相關測試設備。 |
| 需具備之專業人才 | 具備Mixed mode積體電路設計經驗與光偵測器設計基礎。 |
序號438 |
產出年度93 |
技術名稱-中文CMOS影像IC設計及影像處理像技術 |
執行單位中科院材料所 |
產出單位(空) |
計畫名稱個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文CMOS影像感測元件因使用目前主流之CMOS半導體製程技術製作，故比傳統之CCD影像感測元件具有價格低、耗電少、體積小、系統整合性高、速度快、關鍵組件自主等優點，目前在低階（百萬像素以下）已取代CCD影像器市場，並朝向影像器系統單晶片方向發展，降低成本並擴大應用面。同時也朝向高解析度3-5百萬像素元件發展，進一步壓縮CCD市場空間。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μm之設計技術與雛品，使用製程法則:TSMC 0.5um 與025um；UMC 0.35um。也有開發800dpi光學滑鼠之影像感測元件。 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍數位相機、數位攝影機、影像式手機與PDA、監控系統、機械視覺（自動化）、光學滑鼠、玩具、科學研究與遙測等等。 |
潛力預估依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
聯絡人員翁炳國 |
電話03-4712201轉357093 |
傳真03-4711024 |
電子信箱(空) |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備Mixed mode IC設計環境與相關測試設備。 |
需具備之專業人才具備Mixed mode積體電路設計經驗與光偵測器設計基礎。 |
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| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:10萬-2百萬像素，Pixel Pitch：10-4.5μm，Process: 0.5-0.25um CMOS | 潛力預估: 隨著3G手機之推廣，CIS照相機將成為標準配備，預估在2007年手機全球產量達2.37億支，市場十分龐大，加上PC Camera，光學滑鼠等等商品應用，在2007年全球CMOS Image Sens... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:10萬-2百萬像素，Pixel Pitch：10-4.5μm，Process: 0.5-0.25um CMOS | 潛力預估: 隨著3G手機之推廣，CIS照相機將成為標準配備，預估在2007年手機全球產量達2.37億支，市場十分龐大，加上PC Camera，光學滑鼠等等商品應用，在2007年全球CMOS Image Sens... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428109 | 專利期間起: 119/12/01 | 專利期間訖: 1.內容摘要：一種全景式膠囊內視鏡裝置，包括一殼體，一電源供應模組，一光學感測模組以及一無線通訊單元。其中殼體內部形成一容置空間，殼體上具有至少一第一攝影窗與一第二攝影窗，且第一攝影窗與第二攝影窗分別... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明 | 翁炳國 | 巫穎毅 | 歐陽盟 | 鄭偉德 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428108 | 專利期間起: 119/12/01 | 專利期間訖: 1.內容摘要：本發明提供一種影像感測裝置，透過第一光源及第二光源混和照明於一畫面讀取灰階影像及彩色影像。影像感測裝置包含彩色濾光陣列模組及控制模組。彩色濾光陣列模組包含第一濾光單位、第二濾光單位、第三... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 翁炳國 | 巫穎毅 | 吳憲明 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I451854 | 專利期間起: 120/06/16 | 專利期間訖: 1. 內容摘要 一種膠囊內視鏡螢光標靶分子造影裝置，包括膠囊內視鏡與顯示裝置，其中膠囊內視鏡具有一光源能激發標記於抗體上之螢光物質，而其感測器能接收標靶之螢光反應。膠囊內視鏡係根據該抗體與抗原結合後之... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明 | 翁炳國 | 巫穎毅 | 李瑞成 | 官孝勳 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428109 | 專利期間起: 119/12/01 | 專利期間訖: 1.內容摘要：一種全景式膠囊內視鏡裝置，包括一殼體，一電源供應模組，一光學感測模組以及一無線通訊單元。其中殼體內部形成一容置空間，殼體上具有至少一第一攝影窗與一第二攝影窗，且第一攝影窗與第二攝影窗分別... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明 | 翁炳國 | 巫穎毅 | 歐陽盟 | 鄭偉德 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428108 | 專利期間起: 119/12/01 | 專利期間訖: 1.內容摘要：本發明提供一種影像感測裝置，透過第一光源及第二光源混和照明於一畫面讀取灰階影像及彩色影像。影像感測裝置包含彩色濾光陣列模組及控制模組。彩色濾光陣列模組包含第一濾光單位、第二濾光單位、第三... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 翁炳國 | 巫穎毅 | 吳憲明 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I451854 | 專利期間起: 120/06/16 | 專利期間訖: 1. 內容摘要 一種膠囊內視鏡螢光標靶分子造影裝置，包括膠囊內視鏡與顯示裝置，其中膠囊內視鏡具有一光源能激發標記於抗體上之螢光物質，而其感測器能接收標靶之螢光反應。膠囊內視鏡係根據該抗體與抗原結合後之... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明 | 翁炳國 | 巫穎毅 | 李瑞成 | 官孝勳 @ 技術司專利資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 |
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