矽晶片蝕穿技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30, 潛力預估是最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。.

序號993
產出年度94
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30
技術成熟度雛型
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
同步更新日期2023-07-22

序號

993

產出年度

94

技術名稱-中文

矽晶片蝕穿技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30

技術成熟度

雛型

可應用範圍

印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。

潛力預估

最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

電機,半導體製程背景人才。

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 矽晶片蝕穿技術 找到的相關資料

# 矽晶片蝕穿技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號659
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度試量產
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
序號: 659
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估: 潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。
[ 搜尋所有 矽晶片蝕穿技術 ... ]

根據電話 06-3847128 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 06-3847128 ...)

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號986
產出年度94
技術名稱-中文微機電共用晶片
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術建立一套微機電面型微加工標準製程,提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程,其中包含三層多晶矽與一層金屬層,以及兩層磷矽玻璃(PSG)犧牲層,最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者,在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件,然後整合在同一道光罩上一起製作流程,於精密控制的參數下進行製程。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格3 poly-silicon 1 Metal
技術成熟度雛型
可應用範圍MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.
潛力預估微機電面型微加工標準製程
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體及微機電製程能力
序號: 986
產出年度: 94
技術名稱-中文: 微機電共用晶片
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術建立一套微機電面型微加工標準製程,提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程,其中包含三層多晶矽與一層金屬層,以及兩層磷矽玻璃(PSG)犧牲層,最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者,在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件,然後整合在同一道光罩上一起製作流程,於精密控制的參數下進行製程。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.
潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體及微機電製程能力

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號987
產出年度94
技術名稱-中文無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術說明:本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術,內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術:dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率:0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率:2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計:5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率:440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術:Skin-electrode Interface Impedance
技術成熟度雛型
可應用範圍(1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_
潛力預估據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間,若依實際醫療支出推估,則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間,市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好,預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_
序號: 987
產出年度: 94
技術名稱-中文: 無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 技術說明:本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術,內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術:dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率:0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率:2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計:5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率:440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術:Skin-electrode Interface Impedance
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_
潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間,若依實際醫療支出推估,則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間,市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好,預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才: 電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號988
產出年度94
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構,厚膜光阻作出結構後,再加上後續的電鑄製程,便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道,或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度雛型
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備熱墊板,曝光機
需具備之專業人才熟悉黃光單站製程
序號: 988
產出年度: 94
技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構,厚膜光阻作出結構後,再加上後續的電鑄製程,便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道,或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 熱墊板,曝光機
需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號989
產出年度94
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用矽單晶片來當作微結構之本體,可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3
技術成熟度雛型
可應用範圍微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備PVD,CVD,RIE
需具備之專業人才半導體製程背景人才
序號: 989
產出年度: 94
技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體,可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: PVD,CVD,RIE
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號990
產出年度94
技術名稱-中文低應力薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格SIN Film Stress
技術成熟度雛型
可應用範圍氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估穩定可量產
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_;面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才具備爐管設備維修及製程人才
序號: 990
產出年度: 94
技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: SIN Film Stress
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估: 穩定可量產
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_;面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號991
產出年度94
技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項,其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性,我們必須能精確的控制蝕刻過程,並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性,本實驗室同仁通力合作,全力開發,並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。
技術成熟度雛型
可應用範圍壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估本製程可提升產品良率,降低生產成本
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 991
產出年度: 94
技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項,其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性,我們必須能精確的控制蝕刻過程,並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性,本實驗室同仁通力合作,全力開發,並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號992
產出年度94
技術名稱-中文微氣體感測器
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術說明:本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度,因偵測氣體與感測材料反應,致使電阻產生變化,而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電(MEMS)技術和互補式金氧半導體積體電路(CMOS IC)技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度雛型
可應用範圍此產品可應用於感測有毒害氣體濃度,如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才化工,機械背景及半導體製程人才
序號: 992
產出年度: 94
技術名稱-中文: 微氣體感測器
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 技術說明:本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度,因偵測氣體與感測材料反應,致使電阻產生變化,而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電(MEMS)技術和互補式金氧半導體積體電路(CMOS IC)技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 此產品可應用於感測有毒害氣體濃度,如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 化工,機械背景及半導體製程人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號994
產出年度94
技術名稱-中文矽晶深蝕刻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度雛型
可應用範圍矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備ICP or DRIE
需具備之專業人才半導體之乾蝕刻製程為基礎
序號: 994
產出年度: 94
技術名稱-中文: 矽晶深蝕刻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ICP or DRIE
需具備之專業人才: 半導體之乾蝕刻製程為基礎
[ 搜尋所有 06-3847128 ... ]

與矽晶片蝕穿技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

非球面鏡片玻璃模造成型技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 外徑尺寸:φ2~30mm±0.02mm;中心厚±0.03mm;曲率半徑:球面2.5<R<∞(mm);非球面曲率半徑>3mm;鏡片表面形狀精度:球面形狀 | 潛力預估: 非球面玻璃鏡片可應用在高畫質的數位相機及影像手機的取像鏡頭,其市場需求量將會逐年升高。

精密塑膠鏡片射出成形技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 依鏡片大小與功能訂定,以DVD pick-up head lens為例: ‧ 外徑尺寸:φ5.5mm±0.02mm;中心厚2.1mm±0.01mm。 ‧ 曲率半徑:非球面設計,近似曲率半徑>2.5... | 潛力預估: 此技術可應用在量產高精度的非球面塑膠鏡片如光碟機中讀取頭的物鏡,讀取頭的產量預估每年約4.5億顆。

精密非球面模仁加工技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 加工範圍: - 軸對稱元件:外徑 | 潛力預估: 各種非球面鏡片皆需使用非球面的模仁方有可能達到量產的目的。所以,此製程技術可說是精密光學元件製程技術的必備技術。

玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度570℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 因硬膜壽命的增加將可大幅降低模造玻璃鏡片的成本,提高產品的市場競爭力。

LED背光模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ RGB LED ‧ 面板尺寸:30吋 ‧ 中心點輝度:>10000 nits ‧ 照明均勻性:>85% ‧ Color Gamut:90% NTSC | 潛力預估: 傳統大面積的液晶背光模組均使用的CCFL(冷陰極管)光源,缺點是無法同時擴大液晶顯示器的色彩表現範圍和提高亮度。開發LED背光模組,其具「無汞」、「壽命長」、「高輝度」、「無水銀」、「高色再現性」等特...

IJP PLED全彩製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 噴墨技術:熱氣泡噴墨方式 ‧ 噴墨溶液:PEDOT水溶液、RGB LEP有機溶液 ‧ 基板大小:200mm x 200 mm ‧ 液滴體積:80 pl for 80 ppi、35 pl for 1... | 潛力預估: IJP PLED顯示技術可利用Drop on demand之噴墨方式使有機高分子成膜,具有大面積化及省材料、低污染之優勢,為目前全球研究單位及廠商積極投入之研發領域,目前已有主動式全彩之PLED顯示...

數位彩色視訊影像品質評量技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Gamma量測 ‧ 色域量測 ‧ 色彩精準度量測 (Eab) ‧ 畫面均勻度量測 ‧ 雜訊量測 (靜態影像及動態視訊) ‧ Flare特性量測 ‧ 自動曝光(AE)反應時間及精準度量測 ‧ 自動... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,因此技術之潛在利用機率極高。

CCD/CMOS數位影像處理器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧8 bit Ye, Cy, Mg and G complementary color mosaic input. ‧Digital output(CCIR601 format). ‧Serial i... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

控制光學變焦之自動對焦/自動光圈調整技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧螺桿式光學變焦鏡頭。 ‧步進馬達控制。 ‧直流馬達控制。 ‧數位影像處理。 | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

MPEG-2錄放影系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Embedded System Architecture -32-Bit x86 SoC. -Embedded Linux OS. -Internet accessing. ‧Video Signa... | 潛力預估: 根據Frost&Sullivan一份最新的預估顯示,未來安全監控產業每年的平均成長率至少可達12~15%左右。

人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

非球面鏡片玻璃模造成型技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 外徑尺寸:φ2~30mm±0.02mm;中心厚±0.03mm;曲率半徑:球面2.5<R<∞(mm);非球面曲率半徑>3mm;鏡片表面形狀精度:球面形狀 | 潛力預估: 非球面玻璃鏡片可應用在高畫質的數位相機及影像手機的取像鏡頭,其市場需求量將會逐年升高。

精密塑膠鏡片射出成形技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 依鏡片大小與功能訂定,以DVD pick-up head lens為例: ‧ 外徑尺寸:φ5.5mm±0.02mm;中心厚2.1mm±0.01mm。 ‧ 曲率半徑:非球面設計,近似曲率半徑>2.5... | 潛力預估: 此技術可應用在量產高精度的非球面塑膠鏡片如光碟機中讀取頭的物鏡,讀取頭的產量預估每年約4.5億顆。

精密非球面模仁加工技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 加工範圍: - 軸對稱元件:外徑 | 潛力預估: 各種非球面鏡片皆需使用非球面的模仁方有可能達到量產的目的。所以,此製程技術可說是精密光學元件製程技術的必備技術。

玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度570℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 因硬膜壽命的增加將可大幅降低模造玻璃鏡片的成本,提高產品的市場競爭力。

LED背光模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ RGB LED ‧ 面板尺寸:30吋 ‧ 中心點輝度:>10000 nits ‧ 照明均勻性:>85% ‧ Color Gamut:90% NTSC | 潛力預估: 傳統大面積的液晶背光模組均使用的CCFL(冷陰極管)光源,缺點是無法同時擴大液晶顯示器的色彩表現範圍和提高亮度。開發LED背光模組,其具「無汞」、「壽命長」、「高輝度」、「無水銀」、「高色再現性」等特...

IJP PLED全彩製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 噴墨技術:熱氣泡噴墨方式 ‧ 噴墨溶液:PEDOT水溶液、RGB LEP有機溶液 ‧ 基板大小:200mm x 200 mm ‧ 液滴體積:80 pl for 80 ppi、35 pl for 1... | 潛力預估: IJP PLED顯示技術可利用Drop on demand之噴墨方式使有機高分子成膜,具有大面積化及省材料、低污染之優勢,為目前全球研究單位及廠商積極投入之研發領域,目前已有主動式全彩之PLED顯示...

數位彩色視訊影像品質評量技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Gamma量測 ‧ 色域量測 ‧ 色彩精準度量測 (Eab) ‧ 畫面均勻度量測 ‧ 雜訊量測 (靜態影像及動態視訊) ‧ Flare特性量測 ‧ 自動曝光(AE)反應時間及精準度量測 ‧ 自動... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,因此技術之潛在利用機率極高。

CCD/CMOS數位影像處理器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧8 bit Ye, Cy, Mg and G complementary color mosaic input. ‧Digital output(CCIR601 format). ‧Serial i... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

控制光學變焦之自動對焦/自動光圈調整技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧螺桿式光學變焦鏡頭。 ‧步進馬達控制。 ‧直流馬達控制。 ‧數位影像處理。 | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

MPEG-2錄放影系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Embedded System Architecture -32-Bit x86 SoC. -Embedded Linux OS. -Internet accessing. ‧Video Signa... | 潛力預估: 根據Frost&Sullivan一份最新的預估顯示,未來安全監控產業每年的平均成長率至少可達12~15%左右。

人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

 |