相變化薄膜製程技術
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技術名稱-中文相變化薄膜製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間, 潛力預估是相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。.

序號	677
產出年度	93
技術名稱-中文	相變化薄膜製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心，本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估	相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備	具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才	CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

序號

677

產出年度

技術名稱-中文

相變化薄膜製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心，本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等

潛力預估

相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441

所須軟硬體設備

具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備

需具備之專業人才

CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集

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聚合型旋光性液晶化學品開發	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體，純度>98% \| 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元，市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年，增亮膜市場約新台幣3000萬/年
12吋晶圓廠製程排水回收計畫	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% \| 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗，不僅可提升回收水質與水回率，且因機台排管分流資料庫的建立，大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。
大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後，基板上五點接觸角平均 < 10度 \| 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50％之目標，故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備，此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。
晶圓表面有機污染檢測技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 \| 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題，任何的微量有機殘留都會影響製程與良率，因此有機物殘留檢測技術的建立，除了可以驗證清洗效率外，並能確保substrate表面之潔淨度。
奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格：TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... \| 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格，科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。
以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 有機會應用於風扇負載，或直流變頻壓縮機，展現節能效益，或更進一步的控制。此為其商業淺力。
UV/O3系統實廠操作技術評估與開發	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例，以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理
電子式溫度資料蒐集紀錄元件	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 \| 領域: \| 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH \| 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...
雨水貯留供水系統可行性評估系統	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輔助設計軟體。 \| 潛力預估: 因應建築規則，綠建築專章已通過，建築設計市場需求殷切。
高濃度臭氧水產生技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 臭氧水濃度：50ppm \| 潛力預估: 臭氧技術因是on-site製造，具有高潔淨度特性，符合奈米製程高標準的潔淨度要求，並且省能省水，氧化力強，能在常溫下快速將有機物直接氧化成為CO2、羧酸類(R-COOH)等簡單小分子，反應產物可迅速揮...
二相流體精密洗淨製程技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術可適用於具多孔性或具奈米孔洞之超微細結構元件與材料之清洗潔淨，奈米孔徑範圍可 < 5 nm~> 200 nm \| 潛力預估: 未來半導體及顯示器相繼產用具奈米孔洞或微細結構元件，故清洗技術需採用此技術。
蓄冷容器積載最佳化技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 傳統物流公司以專用車輛配送,常、低溫貨件,或實施多溫共配之物流公司,以常溫車輛共配常、低溫貨件時,運用畚積載最佳化系統,可有效利用車廂內空間提供裝載率,將技術導入服務業者應用,預估可產生每年1仟萬元的...
PROFIBUS通訊技術及CAN-Bus通訊技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 基於現今工廠與日常機能自動化盛行的需求，標準的工業網路為最主要的構成要件。
功因控制技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 220VAC輸入，具備保護功能，功因可達0.97以上。 \| 潛力預估: 運用於高功因雙向電能轉換控制系統之DSP架構，可應用於雙向交流電能轉換市場，如電梯、變頻器、工具機
12吋晶圓廠製程生產用水規劃	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 協助廠商去除水中有機物達回收限值1ppm以下 \| 潛力預估: 提升TOC處理效率，節省用藥成本與降低環境二次污染的風險。