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相變化記憶體元件及其製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
相變化記憶體元件及其製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
MRAM 元件製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化薄膜製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高介電值閘極介電物技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化記憶體元件與製程技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
應變矽CMOS元件與製程技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
應變矽製程技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM) | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化記憶體元件製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧最大操作電流 10_x000D__x000D_ | 潛力預估: 雖然電阻式記憶體目前仍有許多問題尚待克服，包括電性穩定度與高溫可靠度相關問題，但很多人認為他將是取代快閃記憶體的不錯方案。國際大廠大多也是這一兩年才投入相關的研究，所以IP的佈局仍有很大的空間。而國內... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
奈米晶粒之非揮發性記憶體 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.高效率奈米晶粒(層)成長技術_x000D_2.高功函數閘極導電層與奈米晶粒(層)製程整合技術 | 潛力預估: 目前國內廠商對快閃記憶體的佈局在自有技術者如旺宏、華邦、茂德多停留於低容量NOR FLASH，製程也僅到0.15~0.13um，代工及合作開發技術如力晶(Renesas)、旺宏(Saifun)、華邦(... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
DRAM電容關鍵製程技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧結構模組技術 EOT < 2.3nm；Thermal budget > 1000℃_x000D_ | 潛力預估: 現有電容製程所使用的絕緣層材料和矽晶電極已經無法在65奈米世代以下繼續使用，必須研發未來世代DRAM 電容的需求，新世代的技術除了製程微縮外，還伴隨著新材料的引進。DRAM之世界產值在2006年達30... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
RRAM | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧可變電阻單元其特性最大操作電流 < 300 Ua ‧最大操作電壓 < 5V ‧Retention: 10 years ‧Cycling: 106 ‧高低電阻比 > 3 ‧Repeatability... | 潛力預估: 電阻式記憶體近年來也受到國際半導體大廠及主要的研究單位的注意，主要原因是電阻式記憶體的元件結構相當簡單，同時所採用的材料並不特殊，許多的半導體廠均有現成的製程能力，同時電阻式記憶體元件所需的製程溫度不... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧可變電阻單元其特性最大操作電流 < 200 uA ‧最大操作電壓 < 3V ‧Retention: > 10 years @ 85°C ‧Cycling: >106 ‧高低電阻比: > 3 ‧Rep... | 潛力預估: 研發團隊所開發的RRAM元件，其優異特性使其成為下世代記憶體中最熱門的技術，這不僅讓工研院在發展RRAM取得領先的地位，也讓工研院掌握下世代記憶體發展的關鍵技術。因此這個技術的開發，將有助於本國記憶體... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
多階相變化記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 多階相變化記憶體技術計畫 | 領域: | 技術規格: 成功設計出1Kb MLC PCM晶片，可用於進行電路功能與良率提升的驗證 | 潛力預估: 由於PCM技術具處理大量資料內容及資料所需的高效應及低耗能需求，可應用在多功能手機及行動應用、嵌入式系統及高階運算裝置，國際上目前Numonyx 採用45nm製程開發出1Gb PCM，並宣稱明年可能進... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TSV製程模組電路驗證技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 0.18um CMOS process EOL via last process Freq : > 2 GHz Via : 20~30 um | 潛力預估: 高 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TSV製程開發及整合技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。 | 潛力預估: 與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化記憶體元件及其製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
相變化記憶體元件及其製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
MRAM 元件製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化薄膜製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高介電值閘極介電物技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化記憶體元件與製程技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
應變矽CMOS元件與製程技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
應變矽製程技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
相變化記憶體元件製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧最大操作電流 10_x000D__x000D_ | 潛力預估: 雖然電阻式記憶體目前仍有許多問題尚待克服，包括電性穩定度與高溫可靠度相關問題，但很多人認為他將是取代快閃記憶體的不錯方案。國際大廠大多也是這一兩年才投入相關的研究，所以IP的佈局仍有很大的空間。而國內... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
奈米晶粒之非揮發性記憶體執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.高效率奈米晶粒(層)成長技術_x000D_2.高功函數閘極導電層與奈米晶粒(層)製程整合技術 | 潛力預估: 目前國內廠商對快閃記憶體的佈局在自有技術者如旺宏、華邦、茂德多停留於低容量NOR FLASH，製程也僅到0.15~0.13um，代工及合作開發技術如力晶(Renesas)、旺宏(Saifun)、華邦(... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
DRAM電容關鍵製程技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧結構模組技術 EOT < 2.3nm；Thermal budget > 1000℃_x000D_ | 潛力預估: 現有電容製程所使用的絕緣層材料和矽晶電極已經無法在65奈米世代以下繼續使用，必須研發未來世代DRAM 電容的需求，新世代的技術除了製程微縮外，還伴隨著新材料的引進。DRAM之世界產值在2006年達30... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
RRAM執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧可變電阻單元其特性最大操作電流 < 300 Ua ‧最大操作電壓 < 5V ‧Retention: 10 years ‧Cycling: 106 ‧高低電阻比 > 3 ‧Repeatability... | 潛力預估: 電阻式記憶體近年來也受到國際半導體大廠及主要的研究單位的注意，主要原因是電阻式記憶體的元件結構相當簡單，同時所採用的材料並不特殊，許多的半導體廠均有現成的製程能力，同時電阻式記憶體元件所需的製程溫度不... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧可變電阻單元其特性最大操作電流 < 200 uA ‧最大操作電壓 < 3V ‧Retention: > 10 years @ 85°C ‧Cycling: >106 ‧高低電阻比: > 3 ‧Rep... | 潛力預估: 研發團隊所開發的RRAM元件，其優異特性使其成為下世代記憶體中最熱門的技術，這不僅讓工研院在發展RRAM取得領先的地位，也讓工研院掌握下世代記憶體發展的關鍵技術。因此這個技術的開發，將有助於本國記憶體... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
多階相變化記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 多階相變化記憶體技術計畫 | 領域: | 技術規格: 成功設計出1Kb MLC PCM晶片，可用於進行電路功能與良率提升的驗證 | 潛力預估: 由於PCM技術具處理大量資料內容及資料所需的高效應及低耗能需求，可應用在多功能手機及行動應用、嵌入式系統及高階運算裝置，國際上目前Numonyx 採用45nm製程開發出1Gb PCM，並宣稱明年可能進... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TSV製程模組電路驗證技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 0.18um CMOS process EOL via last process Freq : > 2 GHz Via : 20~30 um | 潛力預估: 高 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TSV製程開發及整合技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。 | 潛力預估: 與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |