極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術
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技術名稱-中文極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術的執行單位是中科院飛彈所, 產出年度是94, 計畫名稱是新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫, 技術規格是極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度, 潛力預估是超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元.

序號734
產出年度94
技術名稱-中文極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文晶圓平坦化整合設計、分析、製造系統技術;均勻壓力施壓方式及非線性壓力分析;精密加工;主軸剛性之分析、設計、材料選用及精密製造;震動隔離技術;拋光基礎機制技術及芬析;機台自動化整合技術;極低之下壓力( Extremely Low Down Force )。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍平面顯示器拋光及平坦化、晶圓素材及IC積體電路拋光及平坦化、光學儀器超精密研磨
潛力預估超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元
聯絡人員潘文玨
電話03-4456460
傳真03-4711605
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備控制系統
需具備之專業人才機械、電機、半導體製程、化學
同步更新日期2023-07-22

序號

734

產出年度

94

技術名稱-中文

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位

中科院飛彈所

產出單位

(空)

計畫名稱

新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

晶圓平坦化整合設計、分析、製造系統技術;均勻壓力施壓方式及非線性壓力分析;精密加工;主軸剛性之分析、設計、材料選用及精密製造;震動隔離技術;拋光基礎機制技術及芬析;機台自動化整合技術;極低之下壓力( Extremely Low Down Force )。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

平面顯示器拋光及平坦化、晶圓素材及IC積體電路拋光及平坦化、光學儀器超精密研磨

潛力預估

超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

聯絡人員

潘文玨

電話

03-4456460

傳真

03-4711605

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所須軟硬體設備

控制系統

需具備之專業人才

機械、電機、半導體製程、化學

同步更新日期

2023-07-22

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# 極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號428
產出年度93
技術名稱-中文極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文.晶圓平坦化整合設計、分析、製造系統技術 .均勻壓力施壓方式及非線性壓力分析 .精密加工 .主軸剛性之分析、設計、材料選用及精密製造 .震動隔離技術 .拋光基礎機制技術及芬析 .機台自動化整合技術 .極低之下壓力( Extremely Low Down Force )
技術現況敘述-英文(空)
技術規格極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍平面顯示器拋光及平坦化、晶圓素材及IC積體電路拋光及平坦化、光學儀器超精密研磨
潛力預估超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元
聯絡人員潘文玨
電話03-4456460
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參考網址(空)
所須軟硬體設備控制系統
需具備之專業人才機械、電機、半導體製程、化學
序號: 428
產出年度: 93
技術名稱-中文: 極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: .晶圓平坦化整合設計、分析、製造系統技術 .均勻壓力施壓方式及非線性壓力分析 .精密加工 .主軸剛性之分析、設計、材料選用及精密製造 .震動隔離技術 .拋光基礎機制技術及芬析 .機台自動化整合技術 .極低之下壓力( Extremely Low Down Force )
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 平面顯示器拋光及平坦化、晶圓素材及IC積體電路拋光及平坦化、光學儀器超精密研磨
潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元
聯絡人員: 潘文玨
電話: 03-4456460
傳真: 03-4711605
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所須軟硬體設備: 控制系統
需具備之專業人才: 機械、電機、半導體製程、化學
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# 03-4456460 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號2174
產出年度96
技術名稱-中文液晶滴入製程(ODF)拋下式真空壓合機關鍵技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文八代線真空壓合機台由於加工極限無法單純經由靜電吸磐進行精密定位固持及釋放,開發拋下式整合靜電吸磐真空壓合關鍵技術。利用薄膜施壓維持均勻壓力進行玻璃壓合,應用壓電執行1μm精密度之超精密對位關鍵技術開發。_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格真空壓合小平台測試;X-Y軸10μm步階試驗,X軸安定時間0.13秒,Y軸安定時間0.17秒,θ軸安定時間0.15秒。真空壓合小平台測試可滿足1μm位移需求。_x000D_
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍面板超精密對位、大面積壓合精密壓力控制系統。
潛力預估民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統。
聯絡人員潘文玨
電話03-4456460
傳真03-4713318
電子信箱Sp718982@tpts5.seed.net.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備電腦、靜電吸盤、電源供應器、壓電、壓電致動器。
需具備之專業人才電子、機械、控制相關背景
序號: 2174
產出年度: 96
技術名稱-中文: 液晶滴入製程(ODF)拋下式真空壓合機關鍵技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 八代線真空壓合機台由於加工極限無法單純經由靜電吸磐進行精密定位固持及釋放,開發拋下式整合靜電吸磐真空壓合關鍵技術。利用薄膜施壓維持均勻壓力進行玻璃壓合,應用壓電執行1μm精密度之超精密對位關鍵技術開發。_x000D_
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 真空壓合小平台測試;X-Y軸10μm步階試驗,X軸安定時間0.13秒,Y軸安定時間0.17秒,θ軸安定時間0.15秒。真空壓合小平台測試可滿足1μm位移需求。_x000D_
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 面板超精密對位、大面積壓合精密壓力控制系統。
潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統。
聯絡人員: 潘文玨
電話: 03-4456460
傳真: 03-4713318
電子信箱: Sp718982@tpts5.seed.net.tw
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所須軟硬體設備: 電腦、靜電吸盤、電源供應器、壓電、壓電致動器。
需具備之專業人才: 電子、機械、控制相關背景

# 03-4456460 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號2736
產出年度97
技術名稱-中文ODF真空壓合機關鍵技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文整合液晶滴入製程中之真空壓合機,在精密定位的過程中,會遇上如何在真空中將上玻璃基板平順且快速的貼合於下玻璃基板上,並且不能破壞框膠結構或均勻性。過去的做法一般採用靜電吸附解除自由落體的方式(中華民國專利2001-166272號公報)或者利用上盤鑽孔之氣流強迫靜電解除後落下之方式(中華民國專利2005-17700號專利)。不論何種方式都必須要解決下列的問題:1.上、下盤之間加工平行度公差的限制,造成密合時框膠的破壞;2.上盤下落時,所產生的位移偏差;3.快速處理靜電吸附釋放(玻璃基板載出、載入上下盤)。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格±1μ精密定位
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍超精密定位
潛力預估ODF真空壓合八代線及其次世代製程設備
聯絡人員潘文玨
電話03-4456460
傳真03-4713318
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微米級定位量測、CCD影像處理
需具備之專業人才精密控制、機構設計、影像處理、結構分析
序號: 2736
產出年度: 97
技術名稱-中文: ODF真空壓合機關鍵技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 整合液晶滴入製程中之真空壓合機,在精密定位的過程中,會遇上如何在真空中將上玻璃基板平順且快速的貼合於下玻璃基板上,並且不能破壞框膠結構或均勻性。過去的做法一般採用靜電吸附解除自由落體的方式(中華民國專利2001-166272號公報)或者利用上盤鑽孔之氣流強迫靜電解除後落下之方式(中華民國專利2005-17700號專利)。不論何種方式都必須要解決下列的問題:1.上、下盤之間加工平行度公差的限制,造成密合時框膠的破壞;2.上盤下落時,所產生的位移偏差;3.快速處理靜電吸附釋放(玻璃基板載出、載入上下盤)。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ±1μ精密定位
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 超精密定位
潛力預估: ODF真空壓合八代線及其次世代製程設備
聯絡人員: 潘文玨
電話: 03-4456460
傳真: 03-4713318
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微米級定位量測、CCD影像處理
需具備之專業人才: 精密控制、機構設計、影像處理、結構分析
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與極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

微小型燃料電池堆組裝製作技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成,是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙,同時因為捨棄傳統使用的雙極板,改以金屬網與塑膠框... | 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應,包括筆記型電腦,隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品,燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應,僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...

超薄卡片型鋰高分子電池

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術,厚度< 0.5mm,電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... | 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品,主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上,由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...

無排氣側管35W高壓氙氣金屬鹵化物燈放電管製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電弧室內容積 ~ 0.1c.c,電級間距經機械定位後的距離6  1mm,放電管總長<55 mm,發光效率68 lm/W,Warm-up Time ~ 6sec,初始光衰~ 92%。 | 潛力預估: 提昇國內投射燈具照明業界的產品附加價值,並提昇投射燈具照明業界的設計能力及其產品的多樣性,最重要者為此項產品貼近汽車照明使用規範,因而此此項技術將會導引投射燈具照明業界轉型走上高附加價值之汽車照明設計...

壓鑄非晶質合金技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.塊狀非晶質鐵基合金材料: 2φ×20mmL 棒材或OD=10, ID=6, T=1mm T- core環型鐵芯,飽和磁化強度>1T。2.塊狀非晶質鋯基合金材料: 3mmt×50mmw×90mmL板... | 潛力預估: 可創造出低成本、高性能、高附加價值及多樣化的新材料,有利於新產業版圖的開拓與機會的創造。

高密度電漿鍍膜技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值> 40 GPa,薄膜表面平均粗糙度Ra<0.05μm。 | 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面,此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜,磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸...

太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

電鑄網版技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電鑄技術開發複合式網板製作技術,面積20×20cm,金屬箔厚度10~50μm,不鏽鋼網為325mesh,接合後開孔率為原開孔率的70%以上。 | 潛力預估: 可提供電鑄厚度10μm~5mm電鑄箔及複合網板,並可進行技術與設備整合輸出作業。

金屬電化製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 銅箔強度(~75kg/mm2)、延展性(~5.5%)、耐疲勞(~2200 cycle)、表面粗度(Rz<2μm)。 | 潛力預估: 以脈衝電化學電鍍技術開發5~9μm超薄銅箔與銅箔分離層製程,技術特性是完全由國內自主開發,技術均已達國際商品等級,其銅箔成長速度遠高於國際領導業者專利。

高純度電子用鋁素箔製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 250V以下鋁電解電容器陽極板用鋁箔之鑄胚連鑄、99.8→99.99%鋁純化、軋延至100μm製程技術 | 潛力預估: 品質與日系商品箔相當。

高精細金屬精密蝕刻技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 | 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術,並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等...

塑膠光纖單芯雙向連接器設計

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 單蕊雙向塑膠光纖連接器收發模組,中心主波長為650nm,傳輸量在200Mbps。包括收發電路、光學機構及整合等工作。 | 潛力預估: 在國內寬頻產業逐漸萌芽之際,連接器產業若能藉由此計劃建立產業之塑膠光纖連接器之設計技術,適時切入市場技術,對產業在未來寬頻光纖連接器產品之發開技術上,將大有助益。

高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右,熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向),其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... | 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求,協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場,擴大市場規模。

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

微小型燃料電池堆組裝製作技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成,是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙,同時因為捨棄傳統使用的雙極板,改以金屬網與塑膠框... | 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應,包括筆記型電腦,隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品,燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應,僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...

超薄卡片型鋰高分子電池

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術,厚度< 0.5mm,電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... | 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品,主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上,由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...

無排氣側管35W高壓氙氣金屬鹵化物燈放電管製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電弧室內容積 ~ 0.1c.c,電級間距經機械定位後的距離6  1mm,放電管總長<55 mm,發光效率68 lm/W,Warm-up Time ~ 6sec,初始光衰~ 92%。 | 潛力預估: 提昇國內投射燈具照明業界的產品附加價值,並提昇投射燈具照明業界的設計能力及其產品的多樣性,最重要者為此項產品貼近汽車照明使用規範,因而此此項技術將會導引投射燈具照明業界轉型走上高附加價值之汽車照明設計...

壓鑄非晶質合金技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.塊狀非晶質鐵基合金材料: 2φ×20mmL 棒材或OD=10, ID=6, T=1mm T- core環型鐵芯,飽和磁化強度>1T。2.塊狀非晶質鋯基合金材料: 3mmt×50mmw×90mmL板... | 潛力預估: 可創造出低成本、高性能、高附加價值及多樣化的新材料,有利於新產業版圖的開拓與機會的創造。

高密度電漿鍍膜技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值> 40 GPa,薄膜表面平均粗糙度Ra<0.05μm。 | 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面,此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜,磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸...

太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

電鑄網版技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電鑄技術開發複合式網板製作技術,面積20×20cm,金屬箔厚度10~50μm,不鏽鋼網為325mesh,接合後開孔率為原開孔率的70%以上。 | 潛力預估: 可提供電鑄厚度10μm~5mm電鑄箔及複合網板,並可進行技術與設備整合輸出作業。

金屬電化製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 銅箔強度(~75kg/mm2)、延展性(~5.5%)、耐疲勞(~2200 cycle)、表面粗度(Rz<2μm)。 | 潛力預估: 以脈衝電化學電鍍技術開發5~9μm超薄銅箔與銅箔分離層製程,技術特性是完全由國內自主開發,技術均已達國際商品等級,其銅箔成長速度遠高於國際領導業者專利。

高純度電子用鋁素箔製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 250V以下鋁電解電容器陽極板用鋁箔之鑄胚連鑄、99.8→99.99%鋁純化、軋延至100μm製程技術 | 潛力預估: 品質與日系商品箔相當。

高精細金屬精密蝕刻技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 | 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術,並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等...

塑膠光纖單芯雙向連接器設計

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 單蕊雙向塑膠光纖連接器收發模組,中心主波長為650nm,傳輸量在200Mbps。包括收發電路、光學機構及整合等工作。 | 潛力預估: 在國內寬頻產業逐漸萌芽之際,連接器產業若能藉由此計劃建立產業之塑膠光纖連接器之設計技術,適時切入市場技術,對產業在未來寬頻光纖連接器產品之發開技術上,將大有助益。

高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右,熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向),其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... | 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求,協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場,擴大市場規模。

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