電鑄模仁低溫增厚技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文電鑄模仁低溫增厚技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是94, 計畫名稱是個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫, 技術規格是(1)接合溫度200-400℃;(2)結合強度3000psi以上;(3)變形量, 潛力預估是光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,本技術可縮短製模時程,提升模具使用壽命,市場前景可期。.

序號799
產出年度94
技術名稱-中文電鑄模仁低溫增厚技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術係一種快速增厚電鑄光學微模仁的方法,首先於原型母模表面電鑄一金屬殼模(shim),再將母模與電鑄金屬殼模分離。接著分別鍍著一層增加軟焊性的金屬層於金屬殼模及增厚模塊(die)上,並置於熱壓機上預熱,且於結合介面上分別塗覆一層活性銲料,再利用超音波銲接機進行預濕潤,最後將二接合介面加壓即可。藉由本發明方法可快速增厚電鑄光學模仁,金屬殼模與增厚模座不需要鏡面光處理,電鑄片與增厚模座係結合為一體,而非暫態性吸附於模座上,有助於提升模具的壽命。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1)接合溫度200-400℃;(2)結合強度3000psi以上;(3)變形量<0.5μm/㎝;(4)增厚厚度10mm以上。
技術成熟度雛型
可應用範圍光學微模具及手機零組件等快速製模。
潛力預估光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,本技術可縮短製模時程,提升模具使用壽命,市場前景可期。
聯絡人員張家華
電話03-4712201ext 354073
傳真03-4713119
電子信箱吳永榮 wuyoungzoung@yahoo.com.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備超音波接合機、活性銲料、熱壓機及相關測試設備。
需具備之專業人才機械、材料科學。

序號

799

產出年度

94

技術名稱-中文

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術係一種快速增厚電鑄光學微模仁的方法,首先於原型母模表面電鑄一金屬殼模(shim),再將母模與電鑄金屬殼模分離。接著分別鍍著一層增加軟焊性的金屬層於金屬殼模及增厚模塊(die)上,並置於熱壓機上預熱,且於結合介面上分別塗覆一層活性銲料,再利用超音波銲接機進行預濕潤,最後將二接合介面加壓即可。藉由本發明方法可快速增厚電鑄光學模仁,金屬殼模與增厚模座不需要鏡面光處理,電鑄片與增厚模座係結合為一體,而非暫態性吸附於模座上,有助於提升模具的壽命。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1)接合溫度200-400℃;(2)結合強度3000psi以上;(3)變形量<0.5μm/㎝;(4)增厚厚度10mm以上。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

光學微模具及手機零組件等快速製模。

潛力預估

光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,本技術可縮短製模時程,提升模具使用壽命,市場前景可期。

聯絡人員

張家華

電話

03-4712201ext 354073

傳真

03-4713119

電子信箱

吳永榮 wuyoungzoung@yahoo.com.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

超音波接合機、活性銲料、熱壓機及相關測試設備。

需具備之專業人才

機械、材料科學。

根據名稱 電鑄模仁低溫增厚技術 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 電鑄模仁低溫增厚技術 ...)

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

@ 技術司可移轉技術資料集

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 接合溫度200-400℃;結合強度3000psi以上;變形量 | 潛力預估: 光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,本技術可縮短製模時程,提升模具使用壽命,市場前景可期。

@ 技術司可移轉技術資料集

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

@ 技術司可移轉技術資料集

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 接合溫度200-400℃;結合強度3000psi以上;變形量 | 潛力預估: 光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,本技術可縮短製模時程,提升模具使用壽命,市場前景可期。

@ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 電鑄模仁低溫增厚技術 ... ]

根據電話 03-4712201ext 354073 找到的相關資料

無其他 03-4712201ext 354073 資料。

[ 搜尋所有 03-4712201ext 354073 ... ]

在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:


與電鑄模仁低溫增厚技術同分類的技術司可移轉技術資料集

多功能醫學造影奈米微粒技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米生醫技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fe3O4奈米微粒滯性能: ‧r1=28.9, r2=222 ‧r2/ r1=7.68 B0=0.47T ; Dendrimer奈米微粒滯性能: 第一代: r1=23.1 and r2=22.3 (m... | 潛力預估: 根據美國生醫資訊科技中心(Center of Biomedical and Bioinformatic Technology)的最新的統計(2004年8月),目前已經核准進入臨床實驗的各類特用分子影...

高光性主體(HOST)單體

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬催化平行反應平台:產品規格為Tg>100oC、純度>99% | 潛力預估: 本技術可快速合成及分析數十種以上的高光性主體(Host)材料,可加速有機電致發光平面顯示器用材料技術之發展,未來量產後預估相關產品產值將達新台幣2億元。

螢光組合配方材料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 摻雜型螢光粉可以紫外光激發而放射出特定波長的可見光。放射波長調控範圍:400~ 700nm。 | 潛力預估: 未來預估相關應用產品產值將達新台幣10億元。

自動化多功能光學特性檢測設備組裝技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 組裝後之系統具備量測膜厚、反射率、穿透率、吸收度、螢光光譜、色度、光學係數等功能,並兼具可連續多點量測之自動化功能。主要元件有光源兩組、單光儀、CCD 陣列式光譜儀、自動化 X-Y 移動平台、數據處... | 潛力預估: 利用本技術所組裝之自動化多功能光學特性檢測設備,可應用于光電或薄膜特性檢測上,國內相關檢測設備之年產值預估可達 3000-5000 萬元以上。

高純吸附劑合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性,而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術,可提昇產品的附加價值,使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...

無電鍍銅化學藥水應用在TFT-LCD閘極

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術

螢光染料之應用

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm; 螢光量子效率 =0.55; 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術,可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte,並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權,主導Sub-terabyte級儲存規格方...

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控); 純度 > 90% (未純化產物); 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程,克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

多功能醫學造影奈米微粒技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米生醫技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fe3O4奈米微粒滯性能: ‧r1=28.9, r2=222 ‧r2/ r1=7.68 B0=0.47T ; Dendrimer奈米微粒滯性能: 第一代: r1=23.1 and r2=22.3 (m... | 潛力預估: 根據美國生醫資訊科技中心(Center of Biomedical and Bioinformatic Technology)的最新的統計(2004年8月),目前已經核准進入臨床實驗的各類特用分子影...

高光性主體(HOST)單體

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬催化平行反應平台:產品規格為Tg>100oC、純度>99% | 潛力預估: 本技術可快速合成及分析數十種以上的高光性主體(Host)材料,可加速有機電致發光平面顯示器用材料技術之發展,未來量產後預估相關產品產值將達新台幣2億元。

螢光組合配方材料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 摻雜型螢光粉可以紫外光激發而放射出特定波長的可見光。放射波長調控範圍:400~ 700nm。 | 潛力預估: 未來預估相關應用產品產值將達新台幣10億元。

自動化多功能光學特性檢測設備組裝技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 組裝後之系統具備量測膜厚、反射率、穿透率、吸收度、螢光光譜、色度、光學係數等功能,並兼具可連續多點量測之自動化功能。主要元件有光源兩組、單光儀、CCD 陣列式光譜儀、自動化 X-Y 移動平台、數據處... | 潛力預估: 利用本技術所組裝之自動化多功能光學特性檢測設備,可應用于光電或薄膜特性檢測上,國內相關檢測設備之年產值預估可達 3000-5000 萬元以上。

高純吸附劑合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性,而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術,可提昇產品的附加價值,使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...

無電鍍銅化學藥水應用在TFT-LCD閘極

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術

螢光染料之應用

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm; 螢光量子效率 =0.55; 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術,可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte,並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權,主導Sub-terabyte級儲存規格方...

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控); 純度 > 90% (未純化產物); 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程,克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

 |