SD Card/SD Host/驗證測試
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技術名稱-中文SD Card/SD Host/驗證測試的執行單位是工研院光電所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫, 技術規格是依據SDA發行之規格書與測試規範執行。.

序號1141
產出年度94
技術名稱-中文SD Card/SD Host/驗證測試
執行單位工研院光電所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本實驗室驗證測試設備與人才歷經兩年的整備,以最高標準與日本松下電器同為SDA首批核准之SD驗證實驗室,先後與國內多家大廠合作進行SD相關產品之前測與問題對策,擁有完整之推廣實績。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格依據SDA發行之規格書與測試規範執行。
技術成熟度可即刻執行
可應用範圍協助合法取得SD LOGO,驗證及對策SD產品之相容性。
潛力預估(空)
聯絡人員林玉君
電話(03)5917456
傳真03-5917702
電子信箱JanetLin@itri.org.tw
參考網址http://www.sdcard.org
所須軟硬體設備從事或有意投入小型記憶卡、記憶卡控制晶片及記憶卡應用平台之相關廠商。
需具備之專業人才從事或有意投入小型記憶卡、記憶卡控制晶片及記憶卡應用平台之相關廠商。

序號

1141

產出年度

94

技術名稱-中文

SD Card/SD Host/驗證測試

執行單位

工研院光電所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本實驗室驗證測試設備與人才歷經兩年的整備,以最高標準與日本松下電器同為SDA首批核准之SD驗證實驗室,先後與國內多家大廠合作進行SD相關產品之前測與問題對策,擁有完整之推廣實績。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

依據SDA發行之規格書與測試規範執行。

技術成熟度

可即刻執行

可應用範圍

協助合法取得SD LOGO,驗證及對策SD產品之相容性。

潛力預估

(空)

聯絡人員

林玉君

電話

(03)5917456

傳真

03-5917702

電子信箱

JanetLin@itri.org.tw

參考網址

http://www.sdcard.org

所須軟硬體設備

從事或有意投入小型記憶卡、記憶卡控制晶片及記憶卡應用平台之相關廠商。

需具備之專業人才

從事或有意投入小型記憶卡、記憶卡控制晶片及記憶卡應用平台之相關廠商。

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SD Card/SD Host/SD IO驗證測試

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據SDA發行之規格書與測試規範執行。 | 潛力預估: 在2004年SD Card 的銷售量以極快的成長速度超越了其他規格記憶卡的銷售量,而SDA 正式會員已經達796家(台灣廠商約佔179家),全球廠商此刻均積極投入SD相關產品的研發與生產,SD相關應...

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SD Card/SD Host/SD IO驗證測試

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據SDA發行之規格書與測試規範執行。 | 潛力預估: 在2004年SD Card 的銷售量以極快的成長速度超越了其他規格記憶卡的銷售量,而SDA 正式會員已經達796家(台灣廠商約佔179家),全球廠商此刻均積極投入SD相關產品的研發與生產,SD相關應...

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選殖裝置及其分割擷取機構

核准國家: 英國 | 證書號碼: GB2466738 | 專利期間起: 116/12/30 | 專利期間訖: 一種選殖裝置,用以選殖一細胞或組織團塊,包括一機座、一進給機構以及一分割擷取機構。機座具有一平台,用以置放細胞或組織團塊。進給機構設置於機座上,並可相對於平台移動。分割擷取機構設置於進給機構上,包括一... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳婉昕 ,徐麗道 ,古有彬 ,陳玉美

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DVD-RW或DVD-Multi光學頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Product Type: For DVD-Multi、DVD±RW and CD-ROM/R/RW;Laser Diode: 650±10nm & 780±10nm;Objective Lens: ... | 潛力預估: TRI預估在台灣、中國廠商開始加入DVD錄放影機生產後,全球DVD錄放影機量產規模將大幅增加。在售價逼近DVD Player後將完全取代之

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DVD-Player光學頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Product Type: For DVD-ROM/Vedio;Laser Diode: 650±10nm & 780±10nm;Objective Lens: NA=0.60 for DVD ;NA... | 潛力預估: DVD-PLAYER於世界不同生活水平區域仍有廣大市場

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HD DVD光學頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Product Type: HD DVD/DVD Rewritable, CD Read only;Laser Diode: 405±10nm / 660nm±10nm/785±10nm;bjecti... | 潛力預估: 預估2008年藍光碟機銷售金額會達到2714億台幣(約US$ 8,100 M), 且年成長率超過100%

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HD-DVD/DVD±R光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 染料純度>98%; 碟片符合4.7GB ,DVD-R Book。 | 潛力預估: 可規避染料權利金,提昇國內廠商之競爭力

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多層光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複製的唯讀型DVD光碟片符合DVD規格書。 | 潛力預估: 用於多記錄層光碟片如daul-layer HD-DVD/BD/DVD Disc、螢光多層光碟片等可規避權利金,並提高碟片記錄容量。

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相變型濺鍍靶材製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2吋3吋。 | 潛力預估: 相變型DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW光碟片之關鍵材料。

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HD-DVD/DVD±RW光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 碟片符合DVD+RW規格;碟片符合DVD-RW規格。_x000D_ | 潛力預估: 可調整各層材料,降低碟片成本。

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選殖裝置及其分割擷取機構

核准國家: 英國 | 證書號碼: GB2466738 | 專利期間起: 116/12/30 | 專利期間訖: 一種選殖裝置,用以選殖一細胞或組織團塊,包括一機座、一進給機構以及一分割擷取機構。機座具有一平台,用以置放細胞或組織團塊。進給機構設置於機座上,並可相對於平台移動。分割擷取機構設置於進給機構上,包括一... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳婉昕 ,徐麗道 ,古有彬 ,陳玉美

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DVD-RW或DVD-Multi光學頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Product Type: For DVD-Multi、DVD±RW and CD-ROM/R/RW;Laser Diode: 650±10nm & 780±10nm;Objective Lens: ... | 潛力預估: TRI預估在台灣、中國廠商開始加入DVD錄放影機生產後,全球DVD錄放影機量產規模將大幅增加。在售價逼近DVD Player後將完全取代之

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DVD-Player光學頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Product Type: For DVD-ROM/Vedio;Laser Diode: 650±10nm & 780±10nm;Objective Lens: NA=0.60 for DVD ;NA... | 潛力預估: DVD-PLAYER於世界不同生活水平區域仍有廣大市場

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HD DVD光學頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Product Type: HD DVD/DVD Rewritable, CD Read only;Laser Diode: 405±10nm / 660nm±10nm/785±10nm;bjecti... | 潛力預估: 預估2008年藍光碟機銷售金額會達到2714億台幣(約US$ 8,100 M), 且年成長率超過100%

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HD-DVD/DVD±R光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 染料純度>98%; 碟片符合4.7GB ,DVD-R Book。 | 潛力預估: 可規避染料權利金,提昇國內廠商之競爭力

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多層光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複製的唯讀型DVD光碟片符合DVD規格書。 | 潛力預估: 用於多記錄層光碟片如daul-layer HD-DVD/BD/DVD Disc、螢光多層光碟片等可規避權利金,並提高碟片記錄容量。

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相變型濺鍍靶材製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2吋3吋。 | 潛力預估: 相變型DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW光碟片之關鍵材料。

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HD-DVD/DVD±RW光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 碟片符合DVD+RW規格;碟片符合DVD-RW規格。_x000D_ | 潛力預估: 可調整各層材料,降低碟片成本。

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MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API:1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services;Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%,降低5%的生產成本,縮短10%的Time-to-market,提升產品出貨量達3%。

行動影音傳輸整合工具

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 受限於頻寬與行動裝置的能力,多媒體內容在行動裝置上的應用一直受限,目前警局限於靜態圖片與語音資料。本技術提供有效率、高畫質之行動裝置多媒體solution,保含多媒體簡訊、視訊壓縮、視訊轉碼、視訊串流... | 潛力預估: 協助技轉廠商運用MPEG4影音技術研發成果,開發視訊會議、視訊編輯、PDA軟體、手機線上遊戲等多媒體軟體及視訊晶片產品,自主掌握關鍵技術,降低國內廠商產品開發成本。

行動終端平台3D線上互動引擎

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 行動終端平台 3D 場景漸進載入技術、行動終端平台 3D 物件場景管理技術、行動終端平台自動貼圖資源管理技術、行動網路環境 3D 內容下載技術、行動網路環境線上多互動 SESSION 管理技術、行動終... | 潛力預估: 應用行動終端平台3D線上互動引擎可加速內容廠商開發時程,降低開發成本,並帶起新的手機應用程式及新一代的界面,有利國內手機廠推行其獨特的手機,提供在世界上的市佔率。

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API:1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services;Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%,降低5%的生產成本,縮短10%的Time-to-market,提升產品出貨量達3%。

行動影音傳輸整合工具

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 受限於頻寬與行動裝置的能力,多媒體內容在行動裝置上的應用一直受限,目前警局限於靜態圖片與語音資料。本技術提供有效率、高畫質之行動裝置多媒體solution,保含多媒體簡訊、視訊壓縮、視訊轉碼、視訊串流... | 潛力預估: 協助技轉廠商運用MPEG4影音技術研發成果,開發視訊會議、視訊編輯、PDA軟體、手機線上遊戲等多媒體軟體及視訊晶片產品,自主掌握關鍵技術,降低國內廠商產品開發成本。

行動終端平台3D線上互動引擎

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 行動終端平台 3D 場景漸進載入技術、行動終端平台 3D 物件場景管理技術、行動終端平台自動貼圖資源管理技術、行動網路環境 3D 內容下載技術、行動網路環境線上多互動 SESSION 管理技術、行動終... | 潛力預估: 應用行動終端平台3D線上互動引擎可加速內容廠商開發時程,降低開發成本,並帶起新的手機應用程式及新一代的界面,有利國內手機廠推行其獨特的手機,提供在世界上的市佔率。

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