高性能封裝材料
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技術名稱-中文高性能封裝材料的執行單位是工研院材化所, 產出年度是95, 計畫名稱是影像顯示關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是折射率:1.63, 透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=31s。, 潛力預估是全球LED封裝市場約74億美金,本技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。.

序號1661
產出年度95
技術名稱-中文高性能封裝材料
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱影像顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用分子結構設計將高折射率基團導入LED透明封裝材料主鏈中從而提昇了材料的折射率,也因此提昇LED元件整體發光效能。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格折射率:1.63, 透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=31s。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍高性能LED封裝材料、高性能光學材料。
潛力預估全球LED封裝市場約74億美金,本技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。
聯絡人員李宗銘
電話03-5913108
傳真03-5820057
電子信箱TzMLee@itri.org.tw
參考網址http://無
所須軟硬體設備材料配料設備及特性測試儀器
需具備之專業人才材料或化工相關背景人才
同步更新日期2024-09-03

序號

1661

產出年度

95

技術名稱-中文

高性能封裝材料

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

影像顯示關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用分子結構設計將高折射率基團導入LED透明封裝材料主鏈中從而提昇了材料的折射率,也因此提昇LED元件整體發光效能。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

折射率:1.63, 透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=31s。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

高性能LED封裝材料、高性能光學材料。

潛力預估

全球LED封裝市場約74億美金,本技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

聯絡人員

李宗銘

電話

03-5913108

傳真

03-5820057

電子信箱

TzMLee@itri.org.tw

參考網址

http://無

所須軟硬體設備

材料配料設備及特性測試儀器

需具備之專業人才

材料或化工相關背景人才

同步更新日期

2024-09-03

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高性能封裝材料技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 折射率≧1.60,穿透度≧88% ‧ 透明材料耐熱特性:經110℃/ 2000hrs測試後,材料黃變係數△YI<2.0 ‧ 透明材料耐UV特性:經UV-A照射1000hrs測試後,材料黃變係數△Y... | 潛力預估: lamp type LED、LCD-TV用LED背光模組封裝材料、照明用LED模組

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

高性能封裝材料-LED用高耐熱環氧樹脂透明封裝材料開發

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:>1.55,透光率@450nm=85%,Hardness=85D,Gel time@150℃=85s. | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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高性能封裝材料-高折射率透明封裝配方開發

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:>1.60,透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=70s. | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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高性能封裝材料-反應型光-熱安定劑合成

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 合成規模:20g/batch,產率:78%,光譜鑑定化學結構正確 | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學穩定性。

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高性能封裝材料-高折射率矽氧烷環氧樹脂技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:>1.58,透光率@450nm=85%,Hardness=80D,Gel time@150℃=90s. | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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高性能封裝材料技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 折射率≧1.60,穿透度≧88% ‧ 透明材料耐熱特性:經110℃/ 2000hrs測試後,材料黃變係數△YI<2.0 ‧ 透明材料耐UV特性:經UV-A照射1000hrs測試後,材料黃變係數△Y... | 潛力預估: lamp type LED、LCD-TV用LED背光模組封裝材料、照明用LED模組

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高性能封裝材料-LED用高耐熱環氧樹脂透明封裝材料開發

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:>1.55,透光率@450nm=85%,Hardness=85D,Gel time@150℃=85s. | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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高性能封裝材料-高折射率透明封裝配方開發

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:>1.60,透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=70s. | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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高性能封裝材料-反應型光-熱安定劑合成

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 合成規模:20g/batch,產率:78%,光譜鑑定化學結構正確 | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學穩定性。

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高性能封裝材料-高折射率矽氧烷環氧樹脂技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:>1.58,透光率@450nm=85%,Hardness=80D,Gel time@150℃=90s. | 潛力預估: 全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 1.高性能要求之電子構裝材料 2.需要特定加工操作溫度之熱硬化塗裝材料

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

軟性基板與阻氣層技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率: ≧90%;CTE:<30ppm/℃;Tg:>300℃;表面粗糙度:<5nm;鉛筆硬度: 3H;楊氏模數:>2.5(Gpa) | 潛力預估: 可運用產品包括軟性塑膠LCD、OLED、PDP、FED、SED、E-ink、E-Paper等軟性塑膠顯示器,另外亦可運用於軟性太陽能電池等相關軟性電子產品。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 1.高性能要求之電子構裝材料 2.需要特定加工操作溫度之熱硬化塗裝材料

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

軟性基板與阻氣層技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率: ≧90%;CTE:<30ppm/℃;Tg:>300℃;表面粗糙度:<5nm;鉛筆硬度: 3H;楊氏模數:>2.5(Gpa) | 潛力預估: 可運用產品包括軟性塑膠LCD、OLED、PDP、FED、SED、E-ink、E-Paper等軟性塑膠顯示器,另外亦可運用於軟性太陽能電池等相關軟性電子產品。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

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高純吸附劑合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性,而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術,可提昇產品的附加價值,使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...

無電鍍銅化學藥水應用在TFT-LCD閘極

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度<300nm,Adhesion layer<50nm,均勻度<10%,Adhesion pass Scotch Tape#810,粗糙度<10nm,Cu resistivity<2.6W... | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術

螢光染料之應用

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm; 螢光量子效率 =0.55; 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術,可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte,並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權,主導Sub-terabyte級儲存規格方...

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控); 純度 > 90% (未純化產物); 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程,克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度<±15% | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_;介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

高純吸附劑合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性,而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術,可提昇產品的附加價值,使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...

無電鍍銅化學藥水應用在TFT-LCD閘極

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度<300nm,Adhesion layer<50nm,均勻度<10%,Adhesion pass Scotch Tape#810,粗糙度<10nm,Cu resistivity<2.6W... | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術

螢光染料之應用

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm; 螢光量子效率 =0.55; 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術,可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte,並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權,主導Sub-terabyte級儲存規格方...

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控); 純度 > 90% (未純化產物); 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程,克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度<±15% | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_;介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

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