技術名稱-中文玻璃-金屬異材接合精準控制技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是95, 計畫名稱是金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫, 技術規格是零件接合精度可達到±3°、洩漏檢測可達到3.2×10E(-9) atm‧cc/sec。, 潛力預估是應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%.
| 序號 | 1885 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 玻璃-金屬異材接合精準控制技術 |
| 執行單位 | 金屬中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | Kovar合金以免預氧化處理程序，使用Ag-Cu硬銲添料於790℃可獲得最適合於陶瓷與金屬異材之接合。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 零件接合精度可達到±3°、洩漏檢測可達到3.2×10E(-9) atm‧cc/sec。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 光通訊雷射二極體金屬與玻璃異質接合、高溫燒結模具製作。 |
| 潛力預估 | 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% |
| 聯絡人員 | 楊子青 |
| 電話 | 07-3513121轉2514 |
| 傳真 | 07-3533382 |
| 電子信箱 | tzcyang@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 高溫燒結爐、燒結模具等。 |
| 需具備之專業人才 | 材料、機械相關背景。 |
序號1885 |
產出年度95 |
技術名稱-中文玻璃-金屬異材接合精準控制技術 |
執行單位金屬中心 |
產出單位(空) |
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文Kovar合金以免預氧化處理程序，使用Ag-Cu硬銲添料於790℃可獲得最適合於陶瓷與金屬異材之接合。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格零件接合精度可達到±3°、洩漏檢測可達到3.2×10E(-9) atm‧cc/sec。 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍光通訊雷射二極體金屬與玻璃異質接合、高溫燒結模具製作。 |
潛力預估應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% |
聯絡人員楊子青 |
電話07-3513121轉2514 |
傳真07-3533382 |
電子信箱tzcyang@mail.mirdc.org.tw |
參考網址http://www.mirdc.org.tw |
所須軟硬體設備高溫燒結爐、燒結模具等。 |
需具備之專業人才材料、機械相關背景。 |
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| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達1μm、零組件接合良率可達95%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到± 5°、洩漏檢測可達到1.2×10E(-8) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達0.5μm、零組件接合良率可達85%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I315226 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 | 專利發明人: 林志倫 | 吳隆佃 | 姜志華 | 許宏旭 | 李明富 | 黃建成 @ 技術司專利資料集 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達1μm、零組件接合良率可達95%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到± 5°、洩漏檢測可達到1.2×10E(-8) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達0.5μm、零組件接合良率可達85%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I315226 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 | 專利發明人: 林志倫 | 吳隆佃 | 姜志華 | 許宏旭 | 李明富 | 黃建成 @ 技術司專利資料集 |
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| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性，而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術，可提昇產品的附加價值，使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性，而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術，可提昇產品的附加價值，使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
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