MEMS類比麥克風模組技術
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技術名稱-中文MEMS類比麥克風模組技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是96, 計畫名稱是南部產業關鍵技術計畫, 技術規格是尺寸：4.8mm×3.9mm×1.5mm，頻率響應：100Hz~10KHz，靈敏度：-40dB，訊噪比：53dB。, 潛力預估是本技術可應用於手機、筆記型電腦、助聽器、汽車電子、VOIP、機器人等產品，協助業者拓展新興電聲應用的3C、消費電子與醫療器材市場。.

序號	2008
產出年度	96
技術名稱-中文	MEMS類比麥克風模組技術
執行單位	工研院南分院
產出單位	(空)
計畫名稱	南部產業關鍵技術計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術著重在電容式麥克風元件結構、製作、讀取電路、封裝與應用技術之開發，利用MEMS製程設計製作出電容式麥克風，較一般傳統ECM麥克風具有小型化及易加工的特性，並適用於指向性或噪音消除等相關功能需求之3C消費產品應用。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	尺寸：4.8mm×3.9mm×1.5mm，頻率響應：100Hz~10KHz，靈敏度：-40dB，訊噪比：53dB。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	手機、PDA、MP3播放器、筆記型電腦、助聽器。
潛力預估	本技術可應用於手機、筆記型電腦、助聽器、汽車電子、VOIP、機器人等產品，協助業者拓展新興電聲應用的3C、消費電子與醫療器材市場。
聯絡人員	范玉玟
電話	06-3847123
傳真	06-3847298
電子信箱	AdyFan@itri.org.tw
參考網址	http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備	力學模擬軟體與電腦硬體、聲學模擬軟體與電腦硬體、電磁模擬軟體頻譜儀與電腦硬體、頻譜儀、訊號產生器、DC電源產生器、探針台、晶粒檢測設備、聲音頻率響應量測設備。
需具備之專業人才	電子學、電機學、物理學、材料學、力學、封裝與測試技術、聲學、微機電技術。

序號

2008

產出年度

技術名稱-中文

MEMS類比麥克風模組技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術著重在電容式麥克風元件結構、製作、讀取電路、封裝與應用技術之開發，利用MEMS製程設計製作出電容式麥克風，較一般傳統ECM麥克風具有小型化及易加工的特性，並適用於指向性或噪音消除等相關功能需求之3C消費產品應用。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

尺寸：4.8mm×3.9mm×1.5mm，頻率響應：100Hz~10KHz，靈敏度：-40dB，訊噪比：53dB。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

手機、PDA、MP3播放器、筆記型電腦、助聽器。

潛力預估

本技術可應用於手機、筆記型電腦、助聽器、汽車電子、VOIP、機器人等產品，協助業者拓展新興電聲應用的3C、消費電子與醫療器材市場。

聯絡人員

范玉玟

電話

06-3847123

傳真

06-3847298

電子信箱

AdyFan@itri.org.tw

參考網址

http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

力學模擬軟體與電腦硬體、聲學模擬軟體與電腦硬體、電磁模擬軟體頻譜儀與電腦硬體、頻譜儀、訊號產生器、DC電源產生器、探針台、晶粒檢測設備、聲音頻率響應量測設備。

需具備之專業人才

電子學、電機學、物理學、材料學、力學、封裝與測試技術、聲學、微機電技術。

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電阻式感測元件陣列掃瞄控制電路及讀出電路	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性電子關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.可掃描陣列數: > 10x10 陣列 2.誤差: < 5% (10x10 陣列， 12bit A/D) 3.速度: > 2Hz (10x10陣列， 8Bit Micro-Controller) \| 潛力預估: 以專利之標準電阻掃描電路及演算法技術，完成大型軟性壓力感測陣列模組開發。此一技術可以解決目前國內廠商對國外技術的依賴並降低成本 @ 技術司可移轉技術資料集
微機電製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: \| 潛力預估: 應用於光學指紋辨識及光學檢測等領域 @ 技術司可移轉技術資料集
晶圓級氣密接合與高緻密無汙染薄膜等關鍵技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: Direct bond：SiN /SiN, Si/Si … The gap of channel : 0.2, 0.5, 2?m \| 潛力預估: 本技術應用服務可協助電子業、生醫、傳產、化妝品、食品等相關產業，直接觀察分析液態樣品之載具 @ 技術司可移轉技術資料集
3D慣性感測應用技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 空間自由度：六軸，位移訊號傳送速率：100 次/秒，無線傳輸能力: 2.4 GHz / 10公尺，可解析動作數目: 10 種。_x000D_ \| 潛力預估: 本技術可應用於電腦輸入裝置、互動遊戲輸入裝置、數位家電遙控介面等，協助拓展新世代動作輸入介面產品應用及市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
CCM靜態防手振系統技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: Moving rate ≧5mm/sec，Compensated vibration：±0.4°，Compensated frequency≧10Hz。_x000D_ \| 潛力預估: 可協助國內手機照相模組與數位相機廠擁有高階照相模組自主技術，為國內數位相機產業創造更高的附加價值。 @ 技術司可移轉技術資料集
光學變焦模組技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3倍光學變焦，模組尺寸：14 × 13 × 22mm3，耗能：100~220mW。_x000D_ \| 潛力預估: 可協助國內手機相機鏡頭模組廠、手機系統廠切入高階相機手機市場，為國內行動數位影音產業創造更高的附加價值。 @ 技術司可移轉技術資料集
雙軸微加速度計元件技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: Range +/-2g，Package Size 25mm3，解析度 2mg (BW=100Hz)，功率消耗 < 1mW。_x000D_ \| 潛力預估: 主要合作廠商如3C電子廠商、ASIC 設計廠商及微機電代工廠商等。 @ 技術司可移轉技術資料集
微型無線靜態生理監控系統技術	執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 溫度範圍：25 ~ 45 ± 0.1 ℃，呼吸次數： 4 ~ 60 ± 1 BPM，心電圖波形： 1 channel ECG Lead，支援藍芽無線傳輸介面。_x000D_ \| 潛力預估: 可協助業界拓展居家照護、微型健康照護、無線個人網路通訊應用加值之新興市場。 @ 技術司可移轉技術資料集

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LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: none \| 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT...
LTPS光罩Reduction技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 \| 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接...
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。
具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 \| 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用
軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中